ГОСТ 18177-81
Группа Ф00
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Термины и определения
Semiconductor detectors of ionizing radiation.
Terms and definitions
ОКСТУ 4364*
__________________
* Введено дополнительно, Изм. N 1.
Дата введения 1983-01-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 30 сентября 1981 г. N 4455 срок введения установлен с 01.01.1983 г.
ВЗАМЕН ГОСТ 18177-72
ВНЕСЕНА поправка, опубликованная в ИУС N 6, 1983 год
Поправка внесена юридическим бюро по тексту ИУС N 6, 1983 год
ВНЕСЕНО Изменение N 1, утвержденное и введенное в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 06.07.87 N 3036 с 01.01.88
Изменение N 1 внесено юридическим бюро по тексту ИУС N 11, 1987 год
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается.
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
2.3. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-5.
4. Термины и определения общих понятий, используемых в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений приведены в справочном приложении.
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
(Измененная редакция, Изм. N 1).
Таблица 1
(Измененная редакция, Изм. N 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
50 |
Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД |
50 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый |
1 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый аналоговый |
5 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый временной |
9 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый диффузионный |
19 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый дрейфовый |
20 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый диффузионно-дрейфовый |
21 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый запоминающий |
28а |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый из особо чистого германия |
18 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый импульсный |
2 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый импульсный непропорциональный |
4 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый импульсный пропорциональный |
3 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый коаксиальный |
24 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый конверторный |
28 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый мозаичный |
26 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый монолитный |
27 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый однородный |
15 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый планарный |
23 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый поверхностно-барьерный |
14 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый позиционный |
11 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый пролетный |
10 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый радиационный |
22 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый составной |
25 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с структурой |
12 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с структурой |
13 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый спектрометрический |
7 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с поверхностным барьером |
16 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый счетный |
8 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый токовый |
6 |
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый усиливающий |
17 |
Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
32 |
Диапазон рабочих напряжений ППД |
32 |
Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
35 |
Емкость ППД |
35 |
Напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излучения максимально допустимое |
33 |
Напряжение ППД максимально допустимое |
33 |
Напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения оптимальное |
34 |
Напряжение спектрометрического ППД оптимальное |
34 |
Область полупроводникового детектора ионизирующего излучения чувствительная |
29 |
Область ППД чувствительная |
29 |
Окно полупроводникового детектора непосредственно ионизирующего излучения входное |
31 |
Окно ППД входное |
31 |
Отношение пик-комптон спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
48 |
Отношение пик-комптон ППД |
48 |
Помехоустойчивость полупроводникового детектора ионизирующего излучения радиационная |
51 |
Помехоустойчивость ППД радиационная |
51 |
ППД |
1 |
ППД аналоговый |
5 |
ППД временной |
9 |
ППД диффузионный |
19 |
ППД диффузионно-дрейфовый |
21 |
ППД дрейфовый |
20 |
ППД ОЧГ |
18 |
ППд запоминающий |
28а |
ППД импульсный |
2 |
ППД импульсный непропорциональный |
4 |
ППД импульсный пропорциональный |
3 |
ППД коаксиальный |
24 |
ППД конверторный |
28 |
ППД мозаичный |
26 |
ППД монолитный |
27 |
ППД однородный |
15 |
ППД ОЧГ |
18 |
ППД планарный |
23 |
ППД поверхностно-барьерный |
14 |
ППД позиционный |
11 |
ППД пролетный |
10 |
ППД радиационный |
22 |
ППД составной |
25 |
ППД с структурой |
12 |
ППД с структурой |
13 |
ППД спектрометрический |
7 |
ППД с поверхностным барьером |
16 |
ППД счетный |
8 |
ППД токовый |
6 |
ППД усиливающий |
17 |
ПШДВ ППД |
46 |
ПШПВ ППД |
45 |
Разрешение полупроводникового детектора ионизирующего излучения временное |
49 |
Разрешение ППД временное |
49 |
Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое на одной десятой высоты распределения |
46 |
Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое на полувысоте распределения |
45 |
Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое относительное |
47 |
Разрешение спектрометрического ППД энергетическое относительное |
47 |
Слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения мертвый |
30 |
Слой ППД мертвый |
30 |
Ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения темновой |
36 |
Ток ППД темновой |
36 |
Частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего излучения средняя |
39 |
Частота следования фоновых импульсов ППД средняя |
39 |
Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
40 |
Чувствительность ППД |
40 |
Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения аналоговая |
42 |
Чувствительность ППД аналоговая |
42 |
Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения дискретная |
41 |
Чувствительность ППД дискретная |
41 |
Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
43 |
Чувствительность спектрометрического ППД |
43 |
Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
37 |
Шум ППД |
37 |
Эквивалент толщины мертвого слоя полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетический |
52 |
Эквивалент толщины мертвого слоя ППД энергетический |
52 |
Эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетический |
38 |
Эквивалент шума ППД энергетический |
38 |
Эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения дискретная |
54 |
Эффективность ППд дискретная |
54 |
Эффективность собирания заряда полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
53 |
Эффективность собирания заряда ППД |
53 |
Эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения абсолютная |
44 |
Эффективность спектрометрического ППД абсолютная |
44 |
(Измененная редакция, Изм. N 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
Analoger Halbleiterdetektor |
5 |
Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors |
50 |
Dunkelstrom eines Halbleiterdetektors |
36 |
Durchschuss-Halbleiterdetektor |
10 |
Empfindlichkeit eines Halbleiterdetektors |
40 |
Empfindliches Volumen eines Halbleiterdetektors |
29 |
Fenster einer Halbleiterdetektors |
31 |
Halbleiterdetektor |
1 |
Halbleiterdetektor mit diffundierter Sperrschicht |
19 |
Halbleiterdetektor mit innerer |
17 |
Halbwertbreite eines Halbleiterdetektors |
45 |
Impulshalbleiterdetektor |
2 |
Linearer Impulshalbleiterdetektor |
3 |
Nichtlinearer Impulshalbleiterdetektor |
4 |
|
14 |
eines Halbleiterdetektors |
51 |
Strom-Halbleiterdetektor |
6 |
Totalabsorptions-Nachweiswahrscheinlichkeit |
44 |
Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors |
30 |
(Измененная редакция, Изм. N 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 4
Amplifying semiconductor detector |
17 |
Analogue semiconductor detector |
5 |
Current semiconductor detector |
6 |
Diffused junction semiconductor detector |
19 |
Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector |
45 |
Leakage current of a semiconductor detector |
36 |
Linear pulse semiconductor detector |
3 |
Non-linear pulse semiconductor detector |
4 |
Pulse semiconductor detector |
2 |
Selectivity of a semiconductor detector |
51 |
Semiconductor detector |
1 |
Semiconductor detector electrical rise time |
50 |
Sensitive volume of a semiconductor detector |
29 |
Sensitivity of a semiconductor detector |
40 |
Surface-barrier semiconductor detector |
14 |
Transmission semiconductor detector |
10 |
Total absorption detection effiency |
44 |
Total detector dead layer of a semiconductor detector |
30 |
Window of a semiconductor detector |
31 |
(Измененная редакция, Изм. N 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 5
Courant de fuite d'un detecteur semi-conducteur |
36 |
semi-conducteur |
1 |
semi-conducteur amplification interne |
17 |
semi-conducteur de surface |
14 |
semi-conducteur courant |
6 |
semi-conducteur impulsions |
2 |
semi-conducteur impulsions, |
3 |
semi-conducteur impulsions, non |
4 |
semi-conducteur jonction |
19 |
semi-conducteur analogique |
5 |
semi-conducteur transmission |
10 |
d'un semi-conducteur |
31 |
Resolution en energie (LMH) d'un detecteur semi-conducteur |
45 |
Rendement d'absorption totale de |
44 |
d'un semi-conducteur |
51 |
d'un semi-conducteur |
40 |
Tempo de montee electrique d'un detecteur semi-conducteur |
50 |
Volume utile d'un semi-conducteur |
29 |
Zone morte totale d'un detecteur semi-conducteur |
30 |
(Измененная редакция, Изм. N 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
Термин |
Определение |
1. Контрольный параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый и достаточный для достоверного контроля качества изготовления детектора |
2. Справочный параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый потребителю для расчетов электронной регистрирующей аппаратуры, который приводится в технических условиях, обеспечивается конструкцией и технологией изготовления детектора и гарантируется изготовителем на основании измерений или расчетов |
3. Радиометрический параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измерение которого производится в поле ионизирующего излучения |
4. Электрический параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измерение которого производится в отсутствии поля ионизирующего излучения |
5. Номинальная характеристика преобразования полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Номинально приписываемая полупроводниковому детектору ионизирующего излучения зависимость информативного параметра его выходного сигнала от значения физической величины, характеризующей источники или поле ионизирующих излучений, в котором находится детектор |
6. Спектральная характеристика полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Зависимость чувствительности полупроводникового детектора ионизирующего излучения от энергии ионизирующих частиц падающего на детектор моноэнергетического излучения |
7. Радиационная стойкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Свойство полупроводникового детектора ионизирующего излучения сохранять свои параметры в пределах установленных норм после воздействия ионизирующего излучения, для регистрации которого детектор не предназначен |
8. Предельно допустимое облучение полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Максимальная плотность потока ионизирующих частиц или мощность экспозиционной дозы фотонного излучения, при которых параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения сохраняются в пределах, установленных в технической документации на конкретный тип детектора |
9. Сигнальный вывод полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Вывод полупроводникового детектора ионизирующего излучения, электрически связанный с его чувствительной областью |
10. Коэффициент преобразования материала полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Физическая постоянная, численно равная отношению заряда, создаваемого в определенном объеме полупроводникового материала полупроводникового детектора ионизирующего излучения ионизирующей частицей, к энергии, теряемой частицей в этом объеме. |
11. Длительность фронта нарастания сигнала детектора |
Интервал времени, в течение которого импульс заряда (напряжения) на выходных электродах полупроводникового детектора ионизирующего излучения нарастает от нуля до половины своего максимального значения |
12. Радиационный ресурс |
Максимальная доза основного ионизирующего излучения, на регистрацию которого рассчитан детектор, после воздействия которого у гамма-процентной доли совокупности детекторов данного типа электрические и радиометрические параметры сохраняются в пределах норм, установленных для минимальной наработки |
(Измененная редакция, Изм. N 1).
Текст документа сверен по:
официальное издание