Адрес документа: http://law.rufox.ru/view/9/11172.htm

    
     ГОСТ 18604.22-78*
(CT СЭВ 4289-83)

Группа Э29

     
     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Методы измерения напряжения насыщения
коллектор-эмиттер и база-эмиттер

Transistors bipolar.
Methods for measuring collector-emitter
and base-emitter saturation voltage

     
     
Дата введения 1980-01-01

     
     
     Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 5 июля 1978 г. N 1816 срок введения установлен с 01.01.80
     
     Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 25.06.84 N 2078 срок действия продлен до 01.01.90**

________________

     ** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1455 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.
     
     ВЗАМЕН ГОСТ 13852-68
     
     * ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в октябре 1984 г. (ИУС 1-85).
     
     
     Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер  и напряжения насыщения база-эмиттер  в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах.
     
     Общие условия при измерении напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзисторов должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.
     
     Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 4289-83.
     
     (Измененная редакция, Изм. N 1)
     
     

1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ
КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР И БАЗА-ЭМИТТЕР НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ

     
     1.1. Принцип и условия измерения
     
     1.1.1. Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянных токах коллектора и базы.
     
     1.1.2. Напряжение питания коллектора должно быть меньше граничного напряжения  или равно ему.
     
     Если значение  не нормируют, то напряжение питания коллектора не должно превышать максимально допустимого значения постоянного напряжения коллектор-эмиттер.
     
     1.1.3. Значения тока базы  и тока коллектора , значение граничного напряжения  указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
     
     1.1.4. Допускается задавать токи базы  и коллектора  от генераторов тока. При этом выходное сопротивление генератора тока базы должно удовлетворять условию
     

,

     
а выходное сопротивление генератора тока коллектора должно удовлетворять условию
     

,

     
где  и  - максимальные значения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер, которые могут быть измерены на данной установке;


      и  - минимальные значения токов коллектора и базы, которые могут быть установлены на данной установке.
     
     1.2. Аппаратура
     
     1.2.1. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе следует измерять на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.
     
     


, - измерители постоянных токов базы и коллектора;  - измеритель постоянного напряжения;
  и ; ,  - резисторы;  - измеряемый транзистор;  - переключатель

Черт.1

     
     
     1.2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям.
     
     1.2.2.1. Входное сопротивление измерителя постоянного напряжения  должно удовлетворять соотношениям
     

;

.

     1.2.2.2. Измеритель постоянного напряжения может быть компенсационного типа. В этом случае требования к входному сопротивлению не предъявляют.
     
     1.2.2.3. Допускается использование общего источника питания для задания токов базы и коллектора. Регулировку токов в этом случае осуществляют подбором резисторов  и .
     
     1.2.2.4. Взамен резисторов  и  могут быть использованы внутренние сопротивления источников питания базы или коллектора.
     
     Резисторы ,  и измерители  и  могут полностью или частично отсутствовать, если каким-либо способом обеспечивается точность установки режима.
     
     1.2.2.5. Следует принимать меры к устранению погрешности измерения  и  за счет падения напряжения на соединительных проводах и контактах путем разделения контактов и соединительных проводов на токовые и потенциальные.
     
     1.2.2.6. Значение наводок на измерителе напряжения  должно быть не более 2% шкалы.
     
     1.3. Подготовка и проведение измерения
     
     1.3.1. При измерении напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзистор включают в схему измерения. По шкале  следует установить значение тока базы, а по шкале  - значение тока коллектора, указанные в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов или рассчитанные по заданной степени насыщения.
     
     В положении 1 переключателя  измеритель  измеряет напряжение насыщения .
     
     В положении 2 переключателя  измеритель  измеряет напряжение насыщения .
     
     1.3.2. Допускается одновременное измерение напряжений насыщения  и  двумя приборами (без переключателя ), если режим измерения этих параметров одинаков.
     
     1.4. Показатели точности измерения
     
     1.4.1. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±5% конечного значения рабочей части шкалы.
     
     1.4.2. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±5% измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
     
     

2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ
КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР И БАЗА-ЭМИТТЕР НА ИМПУЛЬСНОМ ТОКЕ

     
     2.1. Принцип и условия измерения
     
     2.1.1. Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянном токе коллектора и импульсном токе базы.
     
     2.1.2. Напряжение питания коллектора, значения тока базы  и тока коллектора  устанавливают в соответствии с требованиями пп.1.1.2 и 1.1.3.
     
     2.1.3. Измерение напряжения следует начинать с задержкой  относительно начала базового импульса и закончить до окончания базового импульса (черт.2) по формулам
     

;

,

     
где  - длительность импульса в цепи базы;

     
      - максимальное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
     
      - максимальное значение коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала;
     
      - граничная частота коэффициента передачи тока.
     
     


 - измеряемое напряжение

Черт.2

     
     
     Значения статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала и граничной частоты коэффициента передачи тока указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов. Для транзисторов, у которых значение  не нормируется, используют значение предельной частоты коэффициента передачи тока  или ,
     
где  - частота, на которой измеряют модуль, коэффициента передачи тока на высокой частоте . Значение  указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
     
     2.1.4. Допускается подавать напряжение коллектора в виде импульса, начинающегося не позднее базового импульса и заканчивающегося раньше базового импульса.
     
     Время подключения пикового вольтметра к выводам в этом случае не ограничивают.
     
     2.1.5. Допускается измерение напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер при постоянном токе базы и импульсном напряжении коллектора.
     
     2.1.6. Допускается одновременная подача базового и коллекторного импульсов, если пиковый вольтметр подключается на  позднее начала базового импульса.
     
     2.1.7. Допускается задавать токи базы  и коллектор  от импульсных генераторов тока. При этом выходные сопротивления генераторов тока базы и тока коллектора должны соответствовать требованиям п.1.1.4.
     
     2.2. Аппаратура
     
     2.2.1. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе следует измерять на установке, структурная схема которой приведена на черт.3.
     
     


, ,  - пиковые вольтметры;  - генератор однополярных импульсов; ,  - резисторы;
,  - калибровочные резисторы;  - переключатель;  - конденсатор;
 - измеряемый транзистор

Черт.3

     
     
     2.2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям.
     
     2.2.2.1. Пиковый вольтметр  должен измерять ток базы по падению напряжения на резисторе . Его входное сопротивление должно быть больше или равно 100.
     
     2.2.2.2. Пиковый вольтметр  должен измерять мгновенные значения напряжений. Требования к его входному сопротивлению должны соответствовать требованиям п.1.2.2.1.
     
     2.2.2.3. Пиковый вольтметр  должен измерять ток коллектора по падению напряжения на резисторе . Его входное сопротивление должно быть больше или равно 100.
     
     2.2.2.4. Взамен резистора  может быть использовано внутреннее сопротивление генератора , а резистора  - внутреннее сопротивление источника питания коллектора.
     
     Резисторы  и  могут отсутствовать, если токи базы и коллектора задают от импульсных генераторов тока.
     
     2.2.2.5. Резисторы  и  должны обеспечивать измерение токов  и  на рабочих участках шкал приборов  и . Номинальные сопротивления резисторов выбирают с допускаемым отклонением от номинального в пределах ±1%.
     
     2.2.2.6. Резисторы ,  и пиковые вольтметры ,  могут отсутствовать, если каким-либо способом обеспечивается точность установки режима.
     
     2.2.2.7. Частоту следования импульсов генератора  следует выбирать такой, чтобы скважность импульсов была более 10.
     
     2.2.2.8. Емкость конденсатора  следует выбирать из соотношения
     

,

     
если источник питания коллектора рассчитан на ток ,

где  - скважность импульсов базы.

     
     Значение емкости конденсатора может быть уменьшено или конденсатор может быть отключен, если источник питания коллектора рассчитан на ток  и при импульсном напряжении питания коллектора.
     
     2.3. Подготовка и проведение измерения
     
     2.3.1. Подготовка и проведение измерения - в соответствии с п.1.3.
     
     2.4. Показатели точности измерения
     
     2.4.1. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±5% конечного значения рабочей части шкалы.
     
     2.4.2. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±5% измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
     
     2.4.1, 2.4.2. (Измененная редакция, Изм. N 1).