- USD ЦБ 03.12 30.8099 -0.0387
- EUR ЦБ 03.12 41.4824 -0.0244
Краснодар:
|
погода |
ГОСТ 21934-83
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
Термины и определения
Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices.
Terms and definitions
МКС 01.040.31
31.080
ОКСТУ 6250
Дата введения 1984-07-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25 апреля 1983 г. N 2043 дата введения установлена 01.07.84
ВЗАМЕН ГОСТ 21934-76, ГОСТ 22899-78
ИЗДАНИЕ с Изменением N 1, утвержденным в августе 1984 г. (ИУС 12-84).
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767-80 в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. приложение 2) и СТ СЭВ 3787-82 в части раздела 2.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.
Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте имеется приложение 1, содержащее общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым.
________________
* На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
** Термины 64-74 могут употребляться в различных комбинациях. Например, вольтовая интегральная чувствительность (комбинация терминов 69 и 70), вольтовая монохроматическая чувствительность (комбинация терминов 69 и 71), токовая чувствительность к освещенности и токовая чувствительность к световому потоку (комбинация терминов 68 с 65 и 67).
Буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации.
В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.
*** Верхний индекс "", "", "" в пп.102-125 указывает на схему включения фототранзистора соответственно с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором.
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП |
150 |
Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП |
149 |
Время нарастания |
91 |
Время нарастания ФЭПП |
91 |
Время спада |
92 |
Время спада ФЭПП |
92 |
Время установления |
93 |
Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню |
93 |
Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
41 |
Вывод ФЭПП |
41 |
Выход фотоприемного устройства |
48 |
Диапазон ФЭПП динамический |
141 |
Диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная |
47 |
Диафрагма ФЭПП апертурная |
47 |
Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП |
84 |
Граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая |
86 |
Граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая |
85 |
Дрейф нулевой точки координатного фотодиода временной |
191 |
Дрейф нуля |
191 |
Емкость ФЭПП |
95 |
Зазор многоэлемеитного ФЭПП межэлементный |
99 |
Зона координатной характеристики координатного фотодиода линейная |
127 |
Контакт фоточувствительного элемента |
42 |
Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
42 |
Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
43 |
Корпус ФЭПП |
43 |
Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода |
137 |
Коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный |
135 |
Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода |
132 |
Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода |
133 |
Коэффициент усиления инжекционного фотодиода |
136 |
Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора |
126 |
Коэффициент фототока ФЭПП температурный |
146 |
Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП |
100 |
Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода дифференциальная |
128 |
Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода статическая |
129 |
Мощность излучения для ФЭПП критическая |
140 |
Мощность ФЭПП рассеиваемая |
138 |
Мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая |
139 |
Наклон люксомической характеристики фоторезистора |
75 |
Напряжение коллектор-база фототранзистора пробивное |
106 |
Напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора пробивное |
105 |
Напряжение на базе фототранзистора |
104 |
Напряжение на коллекторе фототранзистора |
102 |
Напряжение на эмиттере фототранзистора |
103 |
Напряжение фотодиода пробивное |
50 |
Напряжение фотосигнала ФЭПП |
61 |
Напряжение ФЭПП максимально допустимое |
51 |
Напряжение ФЭПП рабочее |
49 |
Напряжение шума ФЭПП |
87 |
Напряжение эмиттер-база фототранзистора пробивное |
107 |
Напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора пробивное |
108 |
Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу |
142 |
Нестабильность сопротивления ФЭПП |
143 |
Нестабильность темнового тока ФЭПП |
144 |
Нестабильность ФЭПП световая |
147 |
Нестабильность чувствительности ФЭПП |
145 |
Область спектральной чувствительности ФЭПП |
87 |
Окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное |
46 |
Окно ФЭПП входное |
46 |
Площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная |
88 |
Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
45 |
Подложка ФЭПП |
45 |
Поле зрения ФЭПП эффективное |
90 |
Порог |
78 |
Порог в единичной полосе частот |
79 |
Порог удельный |
80 |
Порог чувствительности ФЭПП |
78 |
Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот |
79 |
Порог чувствительности ФЭПП радиационный |
83 |
Порог чувствительности ФЭПП удельный |
80 |
Прибор полупроводниковый фоточувствительный |
1 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический |
2 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный |
8 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный |
9 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный |
7 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный |
4 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный |
6 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный |
5 |
Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый |
20 |
Прочность изоляции ФЭПП электрическая |
52 |
фотодиод |
12 |
Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП |
101 |
Распределение чувствительности по элементу ФЭПП |
192 |
Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
36 |
Режим короткого замыкания ФЭПП |
36 |
Режим ОГ |
30 |
Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
29 |
Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
39 |
Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП |
39 |
Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
30 |
Режим ОФ |
29 |
Режим работы фотодиода лавинный |
33 |
Режим работы фототранзистора с плавающей базой |
35 |
Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой |
38 |
Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой |
38 |
Режим ТГ |
31 |
Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
31 |
Режим фотогальванический |
34 |
Режим фотодиодный |
32 |
Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
37 |
Режим холостого хода ФЭПП |
37 |
Сканистор полупроводниковый фотоэлектрический фоточувствительный |
25 |
Сопротивление координатного фотодиода выходное |
131 |
Сопротивление фотодиода последовательное |
96 |
Сопротивление фотодиода при нулевом смещении |
56 |
Сопротивление ФЭПП световое |
57 |
Сопротивление ФЭПП статическое |
54 |
Сопротивление ФЭПП темновое |
55 |
Сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное |
53 |
Спектр напряжения шума ФЭПП |
171 |
Спектр тока шума ФЭПП |
170 |
Способность ФЭПП обнаружительная |
81 |
Способность ФЭПП обнаружительная удельная |
82 |
Температура выхода на режим оптической генерации |
148 |
Ток базы фототранзистора общий |
121 |
Ток базы фототранзистора темновой |
111 |
Ток коллектора фототранзистора общий |
119 |
Ток коллектора фототранзистора темновой |
109 |
Ток коллектор-база фототранзистора общий |
123 |
Ток коллектор-база фототранзистора темновой |
113 |
Ток коллектор-эмиттер фототранзистора общий |
122 |
Ток коллектор-эмиттер фототранзистора темновой |
112 |
Ток фотосигнала ФЭПП |
62 |
Ток ФЭПП общий |
60 |
Ток ФЭПП темновой |
58 |
Ток шума ФЭПП |
76 |
Ток эмиттер-база фототранзистора темновой |
114 |
Ток эмиттер-коллектор фототранзистора темновой |
115 |
Ток эмиттера фототранзистора общий |
120 |
Ток эмиттера фототранзистора темновой |
110 |
Точка координатного фотодиода нулевая |
130 |
Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода |
134 |
Угол зрения ФЭПП плоский |
89 |
Устройство с внутренней коммутацией фотоприемное многоэлементное |
23 |
Устройство с разделенными каналами фотоприемное многоэлементное |
22 |
Устройство фотоприемное |
3 |
Устройство фотоприемное гибридное |
28 |
Устройство фотоприемное многоспектральное |
24 |
Устройство фотоприемное монолитное |
27 |
Устройство фотоприемное одноэлементное |
21 |
Устройство фотоприемное охлаждаемое |
26 |
Фотодиод |
11 |
Фотодиод инжекционный |
16 |
Фотодиод лавинный |
15 |
Фотодиод с барьером Шоттки |
13 |
Фотодиод с гетеропереходом |
14 |
Фоторезистор |
10 |
Фототок базы фототранзистора |
118 |
Фототок коллектора фототранзистора |
116 |
Фототок ФЭПП |
59 |
Фототок эмиттера фототранзистора |
117 |
Фототранзистор |
17 |
Фототранзистор биполярный |
19 |
Фототранзистор полевой |
18 |
ФПУ |
3 |
ФПУ гибридное |
28 |
ФПУ многоспектральное |
24 |
ФПУ монолитное |
27 |
ФПУ одноэлементное |
21 |
ФПУ охлаждаемое |
26 |
ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное |
23 |
ФПУ с разделенными каналами многоэлементное |
22 |
ФЭПП |
2 |
ФЭПП гетеродинный |
8 |
ФЭПП иммерсионный |
9 |
ФЭПП координатный |
7 |
ФЭПП многоспектральный |
4 |
ФЭПП многоэлементный |
6 |
ФЭПП одноэлементный |
5 |
ФЭПП охлаждаемый |
20 |
Характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода температурная |
187 |
Характеристика координатного фотодиода координатная |
190 |
Характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая |
161 |
Характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая |
163 |
Характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая |
159 |
Характеристика напряжения шума ФЭПП температурная |
184 |
Характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая |
176 |
Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная |
185 |
Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая |
177 |
Характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная |
179 |
Характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая |
173 |
Характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая |
164 |
Характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная |
180 |
Характеристика темнового тока ФЭПП температурная |
181 |
Характеристика тока шума ФЭПП вольтовая |
158 |
Характеристика тока шума ФЭПП температурная |
183 |
Характеристика тока шума ФЭПП фоновая |
175 |
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая |
160 |
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная |
186 |
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая |
178 |
Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная |
172 |
Характеристика фоторезистора люксомическая |
165 |
Характеристика фототока ФЭПП энергетическая |
162 |
Характеристика фототранзистора вольт-амперная входная |
155 |
Характеристика фототранзистора вольт-амперная выходная |
156 |
Характеристика фототранзистора энергетическая входная |
167 |
Характеристика фототранзистора энергетическая выходная |
168 |
Характеристика ФЭПП вольт-амперная |
154 |
Характеристика ФЭПП люксамперная |
166 |
Характеристика ФЭПП нормированная переходная |
188 |
Характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная |
189 |
Характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая |
157 |
Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная |
151 |
Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная |
152 |
Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная |
153 |
Характеристика чувствительности ФЭПП температурная |
182 |
Характеристика чувствительности ФЭПП угловая |
193 |
Характеристика чувствительности ФЭПП фоновая |
174 |
Характеристика чувствительности ФЭПП частотная |
169 |
Частота ФЭПП предельная |
94 |
Число элементов ФЭПП |
97 |
Чувствительность фототранзистора вольтовая |
125 |
Чувствительность фототранзистора токовая |
124 |
Чувствительность ФЭПП |
63 |
Чувствительность ФЭПП вольтовая |
69 |
Чувствительность ФЭПП дифференциальная |
73 |
Чувствительность ФЭПП импульсная |
74 |
Чувствительность ФЭПП интегральная |
70 |
Чувствительность ФЭПП к облученности |
66 |
Чувствительность ФЭПП к освещенности |
67 |
Чувствительность ФЭПП к потоку излучения |
64 |
Чувствительность ФЭПП к световому потоку |
65 |
Чувствительность ФЭПП монохроматическая |
71 |
Чувствительность ФЭПП статическая |
72 |
Чувствительность ФЭПП токовая |
68 |
Шаг элементов ФЭПП |
98 |
Элемент фоточувствительный |
40 |
Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный |
44 |
Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный |
40 |
Элемент ФЭПП иммерсионный |
44 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Abfallzeit der normierter |
92 |
der Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss |
174 |
der equivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung |
177 |
der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss |
163 |
der Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss |
176 |
der spezifischen von dem Hintergrundstrahlungsfluss |
178 |
des Hellwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss |
173 |
des inneren Widerstands von der |
165 |
des Photostroms von dem Strahlungsfluss |
162 |
des Photostroms von der |
166 |
des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss |
175 |
Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie |
152 |
Ansprechempfindlichkeit |
63 |
Anstiegszeit der normierten |
91 |
Aperturblende des |
47 |
Rauschleistung |
78 |
Rauschleistung im Einheitsfrequenzband |
79 |
Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie |
156 |
Basisdunkelstrom |
111 |
Basisfotostrom eines Phototransistors |
118 |
Basisgesamtstrom eines Phototransistors |
121 |
Basisspannung |
104 |
|
67 |
|
66 |
Betriebsspannung |
49 |
der Empfindlichkeit |
157 |
der Nachweisfahigkeit |
160 |
der Rauschspannung |
159 |
des Rauschstromes |
158 |
des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode |
161 |
Bipolarphototransistor |
19 |
Differentielle Empfindlichkeit |
73 |
Differentieller elektrischer Widerstand |
53 |
Dunkelstrom |
58 |
der Lawinenphotodiode |
132 |
Dunkelwiderstand |
55 |
Durchbruchspannung einer Photodiode |
50 |
Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des |
29 |
Dynamischer Bereich |
141 |
Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel |
90 |
|
88 |
|
5 |
Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie |
155 |
Einstellzeit der normierten |
93 |
Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors |
114 |
Emitter-Basis- Durchbruchspannung eines Phototransistors |
107 |
Emitterdunkelstrom |
110 |
Emittergesamtstrom eines Phototransistors |
120 |
Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors |
115 |
Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung eines Phototransistors |
108 |
Emitterphotostrom eines Phototransistors |
117 |
Emitterspannung |
103 |
|
192 |
Empfindlichkeitswinkelverteilung |
193 |
der Empfindlichkeit |
142 |
Frequenzgang der Empfindlichkeit |
169 |
Fuhlelementenabstand |
99 |
|
97 |
|
20 |
Gesamtempfindlichkeit |
70 |
Gesamtstrom |
60 |
Gesamtverlustleistung |
138 |
Gesichtsfeldwinkel |
89 |
Grenzfrequenz |
94 |
Halbleiterphotoelement |
2 |
Hellwiderstand |
57 |
|
9 |
Impulsempfindlichkeit |
74 |
Injektionsphotodiode |
16 |
der Empfindlichkeit |
145 |
des Dunkelstromes |
144 |
des Widerstandes |
143 |
Isolationsfestigkeit |
52 |
|
95 |
Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors |
113 |
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung eines Phototransistors |
106 |
Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors |
123 |
Kollektordunkelstrom |
109 |
Kollektor-Emitter-Dunkelstrom eines Phototransistors |
112 |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung eines Phototransistors |
105 |
Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors |
122 |
Kollektorfotostrom eines Phototransistors |
116 |
Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors |
119 |
Kollektorspannung |
102 |
Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung |
134 |
Kurzschlussbetrieb des |
36 |
Kurzwellengrenze |
85 |
Langwellengrenze |
86 |
Lawinenphotodiode |
15 |
Leerlaufbetrieb des |
37 |
Lichtempfindliches Element eines |
40 |
|
147 |
Lichtstromempfindlichkeit |
65 |
Maximal Spannung |
51 |
Maximal Verlustleistung |
139 |
Monochromatische Empfindlichkeit |
71 |
|
4 |
|
81 |
Normierte |
188 |
Normierte |
189 |
Nullpunktdrift |
191 |
Nullpunktwiderstand einer Photodiode |
56 |
Nullvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle |
34 |
Ortsempfindlicher Photoempfanger |
7 |
Parameterstreuung |
101 |
Photodiode |
11 |
Photodiode mit |
14 |
Photoelektrischer Kopplungsfaktor |
100 |
|
41 |
bei Anpassung |
38 |
bei |
39 |
|
46 |
|
43 |
|
44 |
Phtoempfindliches Halbleiterbauelement |
1 |
Photofeldeffekttransisfor |
18 |
Photosignalstrom |
62 |
Photostrom |
59 |
|
126 |
Photostromvervielfachungsfaktor |
133 |
Phototransistor |
17 |
Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis |
35 |
Photowiderstand |
10 |
Pin-Photodiode |
12 |
Rastermass |
98 |
Rauschspannung |
77 |
Rauschspannungsspektrum |
171 |
Rauschstrom |
76 |
Rauschstromspektrum |
170 |
Reihenwiderstand einer Photodiode |
96 |
Relativer |
137 |
Relative spectral Empfindlichkeitskennlinie |
153 |
Schichttrager des |
45 |
Schottky-Photodiode |
13 |
Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors |
125 |
Spektrale Empfindlichkeit |
151 |
Spektraler Empfidlichkeitsbereich |
87 |
Sperrvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle |
32 |
Spezifische Rauschleistung |
80 |
Spezifische |
82 |
Statische Empfindlichkeit |
72 |
Statischer Widerstand |
54 |
Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie |
75 |
des statischen Widerstands |
164 |
|
64 |
Stromempfindlichkeit |
68 |
Stromempfindlichkeit eines Phototransistors |
124 |
Strom-Spannung-Kennlinie |
154 |
Temperaturkoeffizient der Betriebsspannung |
135 |
Temperaturkoeffizient des Photostromes |
146 |
Temperaturverlauf der aquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband |
185 |
Temperaturverlauf der Empfindlichkeit |
182 |
Temperaturverlauf der Nullpunktdrift |
187 |
Temperaturverlauf der Rauschspannung |
184 |
Temperaturverlauf der spezifischen |
186 |
Temperaturverlauf des Dunkelstroms |
181 |
Temperaturverlauf des Dunkelwiderstands |
180 |
Temperaturverlauf des Hellwiderstands |
179 |
Temperaturverlauf des Rauschstroms |
183 |
der Photodiode |
33 |
|
8 |
Betriebszeit |
150 |
der Injektionsphotodiode |
136 |
|
6 |
der maximalen Spektralempfindlichkeit |
84 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Absolute spectral-response characteristic |
152 |
Angular field of view |
89 |
Avalanche mode of photodiode operation |
33 |
Avalanche photodiode |
15 |
Back-biased mode of photovoltaic detector operation |
32 |
Background limited |
29 |
Base dark current |
111 |
Base photocurrent of a phototransistor |
118 |
Base total current of a phototransistor |
121 |
Base voltage |
104 |
Bias detectivity characteristic |
160 |
Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode |
161 |
Bias noise current characteristic |
158 |
Bias noise voltage characteristic |
159 |
Bias voltage response characteristic |
157 |
Bipolar phototransistor |
19 |
BLIP |
33 |
Breakdown voltage of a photodiode |
50 |
Capacitance |
95 |
Collector-base breakdown voltage of a phototransistor |
106 |
Collector-base dark current of a phototransistor |
113 |
Collector-base total current of a phototransistor |
123 |
Collector dark current |
109 |
Collector-emitter breakdown voltage of a phototransistor |
105 |
Collector-emitter dark current of a phototransistor |
112 |
Collector-emitter total current of a phototransistor |
122 |
Collector photocurrent of a phototransistor |
116 |
Collector total current of a phototransistor |
119 |
Collector voltage |
102 |
Cooldown time |
149 |
Cooled detector |
20 |
Current responsivity |
68 |
Current responsivity of the phototransistor |
124 |
Current-voltage characteristic |
154 |
Cut-off frequency |
94 |
Dapk current |
58 |
Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode |
132 |
Dark current-temperature characteristic |
181 |
Dark current unstability coefficient |
144 |
Dark resistance |
55 |
Dark resistance-temperature characteristic |
180 |
Decay time of the normalized inverse transfer characteristic |
92 |
Detectivity |
81 |
Detector aperture stop |
47 |
Detector-film base |
45 |
Detector optical immersion element |
44 |
Detector sensitive element |
40 |
Detector terminal |
41 |
Detector window |
46 |
Differential electrical resistance |
53 |
Differential responsivity |
73 |
Dynamic range |
141 |
Effective area of the responsive element |
88 |
Effective weighted solid angle |
90 |
Element number |
97 |
Element spacing |
99 |
Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor |
107 |
Emitter-base dark current of a phototransistor |
114 |
Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor |
108 |
Emitter-collector dark current of a phototransistor |
115 |
Emitter dark current |
110 |
Emitter photocurrent of a phototransistor |
117 |
Emitter total current of a phototransistor |
120 |
Emitter voltage |
103 |
Field effect phototransistor |
18 |
Figure of merit straggling |
101 |
Floating-base phototransistor operation |
35 |
Frequency response characteristic |
169 |
Heterodyne detector |
8 |
Heterodyne reception mode of detector operation |
39 |
Heterojunction photodiode |
14 |
Illuminance-resistance characteristique slope |
75 |
Illumination responsivity |
67 |
Immersed detector |
9 |
Independent operating time |
150 |
Injection photodiode |
16 |
Injection photodiode gain |
136 |
Input current-voltage characteristic |
155 |
Insulating strength |
52 |
Irradiance responsivity |
66 |
Light unstability |
147 |
Long wavelength limit |
86 |
Luminous flux responsivity |
65 |
Matched impedance mode of detector operation |
38 |
Maximum admissible power dissipation |
139 |
Maximum admissible voltage |
51 |
Monochromatic responsivity |
71 |
Multi-band photodetector |
4 |
Multi-element detector |
6 |
NEP-background radiant flux characteristic |
177 |
NEP-temperature characteristic |
185 |
Noise current |
76 |
Noise current-background radiant flux characteristic |
175 |
Noise current spectrum |
170 |
Noise current-temperature characteristic |
183 |
Noise equivalent power |
78 |
Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP) |
83 |
Noise voltage |
77 |
Noise voltage-background radiant flux characteristic |
176 |
Noise voltage spectrum |
171 |
Noise voltage-temperature characteristic |
184 |
Normalized inverse transfer characteristic |
189 |
Normalized transfer characteristic |
188 |
Open-circuit mode of detector operation |
37 |
Operating voltage |
49 |
Operating voltage constant keeping accuracy |
134 |
Operating voltage temperature coefficient |
135 |
Output current-voltage characteristic |
156 |
Peak spectral response wavelength |
84 |
Photoconductive cell |
10 |
Photocurrent |
59 |
Photocurrent gain factor |
126 |
Photocurrent-illuminance characteristic |
166 |
Photocurrent multiplication factor |
133 |
Photocurrent-radiant flux characteristic |
162 |
Photocurrent-temperature coefficient |
146 |
Photodetector package |
43 |
Photodiode |
11 |
Photoelectric coupling coefficient |
100 |
Photoelectric semiconductor detector |
2 |
Photoelectric signal current |
62 |
Photoelectric signal voltage |
61 |
Photoelectric signal voltage-radiante flux characteristic |
163 |
Photosensitive semiconductor device |
1 |
Phototransistor |
17 |
Pin-photodiode |
12 |
Pitch |
98 |
Position-sensitive detector |
7 |
Pulse responsivity |
74 |
Radiant flux responsivity |
64 |
Radiant power-static resistance characteristic |
164 |
Relative gain |
137 |
Resistance-illuminance characteristic |
165 |
Resistance under illumination |
57 |
Resistance under illumination-background radiant flux characteristic |
173 |
Resistance under illumination-temperature characteristic |
179 |
Resistance unstability coefficient |
143 |
Response unstability coefficient |
145 |
Responsivity |
63 |
Responsivity-background radiant flux characteristic |
174 |
Responsivity directional distribution |
193 |
Responsivity surface distribution |
192 |
Responsivity-temperature characteristic |
182 |
Rise time of the normalized transfer characteristic |
91 |
Schottky-Barrier-Photodiode |
13 |
Short-circuit mode of detector operation |
36 |
Short-wavelength limit |
85 |
Series resistance |
96 |
Set-up time of the normalized transfer characteristic |
93 |
Single-element detector |
5 |
Spacing response non-uniformity |
142 |
Specific detectivity |
82 |
Specific detectivity-background radiant flux characteristic |
178 |
Specific detectivity frequency dependence |
172 |
Specific detectivity-temperature characteristic |
186 |
Specific noise equivalent power |
80 |
Spectral sensitivity |
151 |
Spectral sensitivity range |
87 |
Static resistance |
54 |
Static responsivity |
72 |
Total current |
60 |
Total power dissipation |
138 |
Total responsivity |
70 |
Unit frequency bandwidth noise equivalent power |
79 |
Voltage responsivity |
69 |
Voltage responsivity of the phototransistor |
125 |
Zero-bias mode of photovoltaic detector operation |
34 |
Zero-bias resistance of a photodiode |
56 |
Zero drift |
191 |
Zero drift-temperature characteristic |
187 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Aire efficace de |
88 |
Angle d'ouverture |
89 |
Angle solide efficace |
90 |
|
43 |
Branchement du |
41 |
|
95 |
courant-tension |
154 |
courant-tension |
155 |
courant-tension de sortie |
156 |
|
169 |
spectrale absolue |
152 |
de transmission inverse |
189 |
de transmission |
188 |
Cellule photoinductive |
10 |
Coefficient de couplage |
100 |
Coefficient de |
145 |
Coefficient de |
143 |
Coefficient de du courant |
144 |
Coefficient de de tension de |
135 |
Coefficient de de photocourant |
146 |
Courant de bruit |
76 |
Courant de signal |
62 |
Courant |
58 |
Courant collecteur-base de phototransistor |
113 |
Courant de phototransistor |
112 |
Courant de base |
111 |
Courant |
110 |
Courant de collecteur |
109 |
Courant de phototransistor |
114 |
Courant de phototransistor |
115 |
Courant total |
60 |
Courant total collecteur-base de phototransistor |
123 |
Courant total de phototransistor |
122 |
Courant total de base de phototransistor |
121 |
Courant total de phototransistor |
120 |
Courant total du collecteur de phototransistor |
119 |
unique |
5 |
immersion |
9 |
semi-conducteur |
2 |
|
8 |
multiple |
6 |
|
81 |
|
82 |
Diaphragme d'ouverture du |
47 |
Dispersion de figure de |
101 |
Dispositif semiconducteur photosensible |
1 |
Dissipation totale de puissance |
138 |
Distribution directionnelle de la |
193 |
Distribution superficielle de la |
192 |
autonome |
150 |
Ecartement |
98 |
|
44 |
sensible du |
40 |
Espacement des |
99 |
Facteur de multiplication de courant de photo-diode avalanche |
132 |
Facteur de multiplication de photocourant |
133 |
|
46 |
Fonctionnement du circuit ouvert |
37 |
Fonctionnement du court-circuit |
36 |
de coupure |
94 |
Gain de photocourant |
126 |
Gain de photodiode injection |
136 |
Gain relatif |
137 |
Gamme dynamique |
141 |
lumineuse |
147 |
Longueur d'onde de la spectrale maximale |
84 |
Nombre de |
97 |
spatiale |
142 |
Part sensible spectrale |
87 |
Pente de |
75 |
Photocourant |
59 |
Photocourant de base de phototransistor |
118 |
Photocourant de phototransistor |
117 |
Photocourant du collecteur de phototransistor |
116 |
plusieurs gammes |
4 |
refroidi |
20 |
Photodiode |
11 |
Photodiode avalanche |
15 |
Photodiode d'injection |
16 |
Phototransistor |
17 |
Phototransistor effet de champ |
18 |
Phototransistor bipolaire |
19 |
Pin-photodiode |
12 |
Puissance maximale admissible |
139 |
Puissance au bruit |
78 |
Puissance au bruit dans une bande passante des unitaires |
79 |
Puissance au bruit du philra |
83 |
Puissance au bruit |
80 |
de fonctionnement du |
39 |
de fonctionnement du de charge |
38 |
de fonctionnement du |
34 |
de fonctionnement du au contretension de polarization |
32 |
du phototransistor de basis flottante |
35 |
infrarouge par le rayonnement ambiant |
29 |
|
63 |
|
66 |
limineux |
67 |
au flux |
64 |
au flux lumineux |
65 |
|
73 |
d'impulsions |
74 |
en courant |
68 |
en courant du phototransistor |
124 |
en tension |
69 |
en tension du phototransistor |
125 |
globale |
70 |
monochromatique |
71 |
statique |
72 |
|
53 |
|
55 |
du point de photodiode |
56 |
|
96 |
sous |
57 |
statique |
54 |
d'isolement |
52 |
spectrale |
151 |
Spectre de la tension de bruit |
171 |
Spectre du courant de bruit |
170 |
Temps de descente de de transmission inverse |
92 |
Temps de de transmission |
91 |
Temps de transmission |
93 |
Tension de base |
104 |
Tension de bruit |
77 |
Tension de claquage collecteur-base de phototransistor |
106 |
Tension de claquage de phototransistor |
105 |
Tension de claquage de photodiode |
50 |
Tension de claquage de phototransistor |
107 |
Tension de claquage de phototransistor |
108 |
Tension |
103 |
Tension de |
49 |
Tension de service |
49 |
Tension de signal |
61 |
Tension du collecteur |
102 |
Tension maximale admissible |
51 |
(Измененная редакция, Изм. N 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Справочное
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ
И ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
Термин |
Пояснение |
1. Электромагнитное излучение |
Процесс испускания электромагнитных волн. |
2. Оптическое излучение |
Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10-10 м. |
3. Ультрафиолетовое излучение |
Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10-4·10 м |
4. Видимое излучение |
Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4·10-7,6·10 м |
5. Инфракрасное излучение |
Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6·10-10 м |
6. Равновесное излучение |
Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии |
7. Немодулированное излучение |
Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения |
8. Модулированное излучение |
Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов |
9. Фотоэлектрический эффект |
Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов |
10. Внутренний фотоэлектрический эффект |
Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов |
11. Эффект проводимости |
Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом |
12. Фотогальванический эффект |
Возникновение ЭДС в электронно-дырочном переходе либо тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника. |
13. Фотопроводимость |
Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения |
14. Собственная фотопроводимость |
Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения |
15. Примесная фотопроводимость |
Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения |
16. Фотоэлектродвижущая сила |
Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на переходе под действием оптического излучения |
17. Фотосигнал |
Реакция приемника на оптическое излучение |
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 21934-83 И СТ СЭВ 2767-80
Пп.10, 11, 17 ГОСТ 21934-83 соответствуют пп.1.5.8, 1.5.10, 1.5.11 СТ СЭВ 2767-80.
Текст документа сверен по:
официальное издание
Электроника. Термины и определения. Часть 2:
Сб. стандартов. - М.: Стандартинформ, 2005