ГОСТ 18604.22-78*
(CT СЭВ 4289-83)

Группа Э29

    
    
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Методы измерения напряжения насыщения
коллектор-эмиттер и база-эмиттер

Transistors bipolar.
Methods for measuring collector-emitter
and base-emitter saturation voltage

    
    
Дата введения 1980-01-01

    
    
    Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 5 июля 1978 г. N 1816 срок введения установлен с 01.01.80
    
    Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 25.06.84 N 2078 срок действия продлен до 01.01.90**

________________

    ** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1455 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.
    
    ВЗАМЕН ГОСТ 13852-68
    
    * ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в октябре 1984 г. (ИУС 1-85).
    
    
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах.
    
    Общие условия при измерении напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзисторов должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.
    
    Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 4289-83.
    
    (Измененная редакция, Изм. N 1)
    
    

1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ
КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР И БАЗА-ЭМИТТЕР НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ

    
    1.1. Принцип и условия измерения
    
    1.1.1. Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянных токах коллектора и базы.
    
    1.1.2. Напряжение питания коллектора должно быть меньше граничного напряжения или равно ему.
    
    Если значение не нормируют, то напряжение питания коллектора не должно превышать максимально допустимого значения постоянного напряжения коллектор-эмиттер.
    
    1.1.3. Значения тока базы и тока коллектора , значение граничного напряжения указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
    
    1.1.4. Допускается задавать токи базы и коллектора от генераторов тока. При этом выходное сопротивление генератора тока базы должно удовлетворять условию
    

,

    
а выходное сопротивление генератора тока коллектора должно удовлетворять условию
    

,

    
где и - максимальные значения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер, которые могут быть измерены на данной установке;

     и - минимальные значения токов коллектора и базы, которые могут быть установлены на данной установке.
    
    1.2. Аппаратура
    
    1.2.1. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе следует измерять на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.
    
    

, - измерители постоянных токов базы и коллектора; - измеритель постоянного напряжения;
и ; , - резисторы; - измеряемый транзистор; - переключатель

Черт.1

    
    
    1.2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям.
    
    1.2.2.1. Входное сопротивление измерителя постоянного напряжения должно удовлетворять соотношениям
    

;

.

    1.2.2.2. Измеритель постоянного напряжения может быть компенсационного типа. В этом случае требования к входному сопротивлению не предъявляют.
    
    1.2.2.3. Допускается использование общего источника питания для задания токов базы и коллектора. Регулировку токов в этом случае осуществляют подбором резисторов и .
    
    1.2.2.4. Взамен резисторов и могут быть использованы внутренние сопротивления источников питания базы или коллектора.
    
    Резисторы , и измерители и могут полностью или частично отсутствовать, если каким-либо способом обеспечивается точность установки режима.
    
    1.2.2.5. Следует принимать меры к устранению погрешности измерения и за счет падения напряжения на соединительных проводах и контактах путем разделения контактов и соединительных проводов на токовые и потенциальные.
    
    1.2.2.6. Значение наводок на измерителе напряжения должно быть не более 2% шкалы.
    
    1.3. Подготовка и проведение измерения
    
    1.3.1. При измерении напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзистор включают в схему измерения. По шкале следует установить значение тока базы, а по шкале - значение тока коллектора, указанные в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов или рассчитанные по заданной степени насыщения.
    
    В положении 1 переключателя измеритель измеряет напряжение насыщения .
    
    В положении 2 переключателя измеритель измеряет напряжение насыщения .
    
    1.3.2. Допускается одновременное измерение напряжений насыщения и двумя приборами (без переключателя ), если режим измерения этих параметров одинаков.
    
    1.4. Показатели точности измерения
    
    1.4.1. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±5% конечного значения рабочей части шкалы.
    
    1.4.2. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±5% измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
    
    

2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ
КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР И БАЗА-ЭМИТТЕР НА ИМПУЛЬСНОМ ТОКЕ

    
    2.1. Принцип и условия измерения
    
    2.1.1. Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянном токе коллектора и импульсном токе базы.
    
    2.1.2. Напряжение питания коллектора, значения тока базы и тока коллектора устанавливают в соответствии с требованиями пп.1.1.2 и 1.1.3.
    
    2.1.3. Измерение напряжения следует начинать с задержкой относительно начала базового импульса и закончить до окончания базового импульса (черт.2) по формулам
    

;

,

    
где - длительность импульса в цепи базы;

    
     - максимальное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
    
     - максимальное значение коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала;
    
     - граничная частота коэффициента передачи тока.
    
    

- измеряемое напряжение

Черт.2

    
    
    Значения статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала и граничной частоты коэффициента передачи тока указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов. Для транзисторов, у которых значение не нормируется, используют значение предельной частоты коэффициента передачи тока или ,
    
где - частота, на которой измеряют модуль, коэффициента передачи тока на высокой частоте . Значение указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
    
    2.1.4. Допускается подавать напряжение коллектора в виде импульса, начинающегося не позднее базового импульса и заканчивающегося раньше базового импульса.
    
    Время подключения пикового вольтметра к выводам в этом случае не ограничивают.
    
    2.1.5. Допускается измерение напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер при постоянном токе базы и импульсном напряжении коллектора.
    
    2.1.6. Допускается одновременная подача базового и коллекторного импульсов, если пиковый вольтметр подключается на позднее начала базового импульса.
    
    2.1.7. Допускается задавать токи базы и коллектор от импульсных генераторов тока. При этом выходные сопротивления генераторов тока базы и тока коллектора должны соответствовать требованиям п.1.1.4.
    
    2.2. Аппаратура
    
    2.2.1. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе следует измерять на установке, структурная схема которой приведена на черт.3.
    
    

, , - пиковые вольтметры; - генератор однополярных импульсов; , - резисторы;
, - калибровочные резисторы; - переключатель; - конденсатор;
- измеряемый транзистор

Черт.3

    
    
    2.2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям.
    
    2.2.2.1. Пиковый вольтметр должен измерять ток базы по падению напряжения на резисторе . Его входное сопротивление должно быть больше или равно 100.
    
    2.2.2.2. Пиковый вольтметр должен измерять мгновенные значения напряжений. Требования к его входному сопротивлению должны соответствовать требованиям п.1.2.2.1.
    
    2.2.2.3. Пиковый вольтметр должен измерять ток коллектора по падению напряжения на резисторе . Его входное сопротивление должно быть больше или равно 100.
    
    2.2.2.4. Взамен резистора может быть использовано внутреннее сопротивление генератора , а резистора - внутреннее сопротивление источника питания коллектора.
    
    Резисторы и могут отсутствовать, если токи базы и коллектора задают от импульсных генераторов тока.
    
    2.2.2.5. Резисторы и должны обеспечивать измерение токов и на рабочих участках шкал приборов и . Номинальные сопротивления резисторов выбирают с допускаемым отклонением от номинального в пределах ±1%.
    
    2.2.2.6. Резисторы , и пиковые вольтметры , могут отсутствовать, если каким-либо способом обеспечивается точность установки режима.
    
    2.2.2.7. Частоту следования импульсов генератора следует выбирать такой, чтобы скважность импульсов была более 10.
    
    2.2.2.8. Емкость конденсатора следует выбирать из соотношения
    

,

    
если источник питания коллектора рассчитан на ток ,

где - скважность импульсов базы.

    
    Значение емкости конденсатора может быть уменьшено или конденсатор может быть отключен, если источник питания коллектора рассчитан на ток и при импульсном напряжении питания коллектора.
    
    2.3. Подготовка и проведение измерения
    
    2.3.1. Подготовка и проведение измерения - в соответствии с п.1.3.
    
    2.4. Показатели точности измерения
    
    2.4.1. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±5% конечного значения рабочей части шкалы.
    
    2.4.2. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±5% измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
    
    2.4.1, 2.4.2. (Измененная редакция, Изм. N 1).