"Особое примечание.

Для нитевидных и волокнистых материалов
см. пункт 1.3.10";

"3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3";

"б) станки, специально разработанные как координатно-шлифовальные, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом;";

"2.2.2.

Станки с числовым программным управлением, использующие процесс магнитореологической чистовой обработки (МРЧО)

8464 20 110 0;
8464 20 190 0;
8464 20 950 0;
8465 93 000 0";

Техническое примечание.

Для целей пункта 2.2.2 под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем

"Примечания:

1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2

2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. В отношении контроля за программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1";

"3.1.1.1.3.2.

Более трех шин данных или команд либо последовательных портов связи, обеспечивающих в отдельности прямое внешнее соединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи 1000 Мбайт/с или более

8542 21 45;
8542 21 500 0;
8542 21 83;
8542 21 850 0;
8542 60 000";

"а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн.слов в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн.слов в секунду;

разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 50 млн.слов в секунду;

разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 5 млн.слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 1 млн.слов в секунду;";

"2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя";

"3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)

4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду;";

"3.1.1.2.2.

Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 29;
8542 60 000;
8542 70 000 0";

а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;

б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;

в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;

г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;

д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или

е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц

"2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности

3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;";

"3.1.1.2.3.

Микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 21 000 0;
8541 29 000 0

а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);

б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);

в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);

г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или

д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц

Примечание.

Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;

3.1.1.2.4.

Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители, имеющие любую из следующих характеристик:

8543 89 950 0";

а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;

б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 3 1,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;

в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;

г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;

д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или

е) предназначенные для работы на частотах выше 3 ГГц и имеющие все следующее:

среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт·ГГц) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f или в единицах размерности [(Вт) > (Вт·ГГц)/(ГГц)];

относительную ширину полосы частот 5% или более;

любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см·ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d 15/f или в единицах размерности [(см) (см·ГГц)/(ГГц)]

Особое примечание.

Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2

Примечания:

1. По пункту 3.1.1.2.4 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц

2. Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;

"3.1.2.3.1.

Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц;

9030 83 900 0;
9030 89 920 0";

"3.1.2.3.2.

Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц;

9030 83 900 0;
9030 89 920 0";

"б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц;";

"Техническое примечание.

Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4 длительность импульса определяется как временной интервал между передним фронтом импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом импульса, достигающим 10% от максимума";

"3.1.3.

Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты

8419 89 989 0;
8424 89 950 9;
8479 89 980 0";

"3.2.1.1.1.

Оборудование, обеспечивающее производство любого из следующего:

8479 89 650 0";

а) силиконового слоя с отклонением равномерности его толщины менее ±2,5% на расстоянии 200 мм или более; или

б) слоя из любого материала, отличного от силикона, с отклонением равномерности толщины менее ±2,5% на расстоянии 75 мм или более;

"3.2.1.4.1.

Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;

3.2.1.4.2.

Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;";

"Примечание.

По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1";

"3.4.2.

Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании:

а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1-3.2.1.6; или

б) контролируемом по пункту 3.2.2

3.4.3.

Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках

Техническое примечание.

Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)

Примечание.

Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология";

"3.4.4.

Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3";

"Примечание.

По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3";

"Примечание.

По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3-3.1.1.1.11, имеющих оба нижеперечисленных признака:

а) использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше; и

б) не содержащие многослойных структур";

"Примечание.

По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;";

"5.1.1.5.

Оборудование радиопеленгации, работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты:

8525 20 990 9;
8526 91 900 0";

а) мгновенную ширину полосы частот, равную 1 МГц или выше;

б) параллельную обработку данных по более чем 100 частотным каналам; и

в) производительность более 1000 пеленгований в секунду на частотный канал

"Техническое примечание.

Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии;";

"6.1.3.2.1.

Видеокамеры, включающие твердотельные датчики, имеющие максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от более 10 нм до 30000 нм включительно и все следующее:

8525 30;
8525 40";

а) имеющие любую из следующих характеристик:

более 4 х 10 активных пикселей на твердотельную матрицу для монохромных (черно-белых) камер;

более 4 х 10 активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер, включающих три твердотельные матрицы; или

более 12 х 10 активных пикселей для цветных камер на основе одной твердотельной матрицы; и

б) имеющие любую из следующих характеристик:

оптические зеркала, контролируемые по пункту 6.1.4.1;

оборудование оптического контроля, контролируемое по пункту 6.1.4.4; или способность комментирования отслеживаемых данных, накопленных внутри камеры

Технические примечания:

1. Для целей настоящего пункта цифровые видеокамеры должны оцениваться максимальным числом активных пикселей, используемых для фиксации движущихся изображений

2. Для целей настоящего пункта термин "отслеживаемые данные камеры" означает информацию, необходимую для определения ориентации по линии визирования камеры относительно земли. Это включает:

а) азимутальный угол линии визирования камеры, образованный относительно направления магнитного поля земли; и

б) вертикальный угол между линией визирования камеры и горизонтом земли;

"6.1.5.2.2.

Одиночные с многократными поперечными модами полупроводниковые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 40 100 0

а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт;

б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 2,5 Вт; или

в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 1 Вт;

6.1.5.2.3.

Матрицы отдельных полупроводниковых лазеров, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 40 100 0";

а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 80 Вт;

б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 25 Вт; или

в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт;

"6.1.5.2.4.

Наборы матриц полупроводниковых лазеров, включающие по меньшей мере одну матрицу, которая контролируется по пункту 6.1.5.2.3

8541 40 100 0";

"Технические примечания:

1. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами

2. Матрица состоит из повторяющихся излучателей полупроводникового лазера, скомпонованных как однокристальная микросхема таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях

3. Набор матриц компонуется наложением или иным способом сборки матриц таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях;";

"6.1.6.1.

Следующие магнитометры и их подсистемы:

6.1.6.1.1.

Использующие технологию сверхпроводящих материалов (сверхпроводящих квантовых интерференционных датчиков или СКВИДов) и имеющие любую из следующих характеристик:

9015 80 110 0;
9015 80 930 0

а) системы СКВИДов, разработанные для стационарной эксплуатации, без специально разработанных подсистем, предназначенных для уменьшения шума в движении, и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 50 фТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; или

б) системы СКВИДов, специально разработанные для устранения шума в движении и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) магнитометра в движении меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц;

6.1.6.1.2.

Использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах

9015 80 110 0;
9015 80 930 0

Особое примечание.

В отношении магнитометров и их подсистем, указанных в пункте 6.1.6.1.2, см. также пункт 6.1.5.1 раздела 2;

6.1.6.1.3.

Использующие технологию феррозондов (магнитомодуляционных датчиков), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 10 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц;

9015 80 110 0; 9015 80 930 0";

"б) угловой случайный дрейф, равный или меньше (лучше) 0,0035 градуса, деленного на корень квадратный из времени в часах; или

Примечание.

По подпункту "б" пункта 7.1.2 не контролируются гироскопы с вращающейся массой (гироскопы с вращающейся массой - гироскопы, использующие непрерывно вращающуюся массу для определения углового перемещения)

Техническое примечание.

Для целей подпункта "б" пункта 7.1.2 угловой случайный дрейф - угловое отклонение, накопленное со временем, в результате белого шума на угловой частоте (стандарт IEЕЕ STD 528-2001)";

"7.1.3.3.

Инерциальное оборудование для указания азимута, курса или севера, имеющее любую из следующих характеристик, а также специально разработанные компоненты для него:

9014 10 900 0;
9014 20 900 0;
9014 80 000 0;
9014 90 900 0";

а) разработанное для указания азимута, курса или севера со среднеквадратичной погрешностью, равной 6 угловым минутам или менее (лучше) от действующего значения на 45 градусах широты; или

б) разработанное с уровнем ударной нагрузки до нерабочего состояния в 900 g и более при продолжительности в 1 мс или более

"3. По подпункту "а" пункта 7.1.3.3 не контролируются теодолитовые системы, включающие инерциальное оборудование, специально разработанные для гражданских исследовательских целей";

"9.1.1.

Газотурбинные авиационные двигатели, имеющие любое из следующего:

8411 11 900 0;
8411 81;
8411 82";

а) использующие любые технологии, контролируемые по пункту 9.5.3.1; или

Примечание.

По подпункту "а" пункта 9.1.1 не контролируются газотурбинные авиационные двигатели, удовлетворяющие всему нижеследующему:

а) сертифицированные гражданским авиационным ведомством государства, являющегося участником Вассенаарских договоренностей по экспортному контролю за обычными вооружениями, товарами и технологиями двойного применения (ВД); и

б) предназначенные для полета невоенного пилотируемого летательного аппарата, для которого государством, являющимся участником ВД, был выдан сертификат гражданского типа

б) разработанные для полета летательного аппарата, предназначенного для перемещения с крейсерской скоростью, равной 1 М или выше, в течение более 30 мин

"6.1.5.1.

Магнитометры, использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 2 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах;

9015 80 110 0;
9015 80 930 0";

"КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА - нет".

"а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы;

9014 80 000 0;
9015 80 110 0;
9015 80 930 0

б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм;

9014 80 000 0;
9015 80 110 0;
9015 80 930 0

в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов: волоконно-оптические; пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-тетрафторэтилен)}); или гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов;

9014 80 000 0;
9015 80 930 0";

"Технические примечания:

1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку (сердечник) и прикреплена к ним

2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционного материала состоят из пьезоэлектрических керамических частиц или волокон, распределенных в электроизоляционном акустически прозрачном резиновом, полимерном или эпоксидном связующем, которое является неотъемлемой частью чувствительного элемента;";