Адрес документа: http://law.rufox.ru/view/23/1200043748.htm


Группа Ф00

     
     
ИЗМЕНЕНИЕ N 1
ГОСТ 18177-81 "Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые.
Термины и определения"

     
     
Дата введения 1988-01-01

     
     
     УТВЕРЖДЕНО И ВВЕДЕНО В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 06.07.87 N 3036
     
     
     Под наименованием стандарта проставить код: ОКСТУ 4364.
     
     Вводную часть изложить в новой редакции: "Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений.
     
     Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
     
     1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.
     
     2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
     
     Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается.
     
     2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
     
     2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
     
     2.3. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
     
     3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-5.
     
     4. Термины и определения общих понятий, используемых в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений приведены в справочном приложении.
     
     5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
     
     Таблицу дополнить номером - 1.
     
     Таблица 1. Иноязычные эквиваленты для пп.30, 36, 45 и 50 изложить в новой редакции:
     

"30.

D. Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors

E. Total detector dead layer of a semiconductor detector

F. Zone morte totale d'un detecteur semi-conducteur

36.

E. Leakage current of a semiconductor detector

F. Courant de fuite d'un detecteur semi-conducteur

45.

E. Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector

F. Resolution en energie (LMH) d'un detecteur semi-conducteur

50.

E. Semiconductor detector electrical rise time

F. Tempo de montee electrique d'un detecteur semi-conducteur".

     
     Графа "Определение". Для термина 44 заменить слово: "количеству" на "числу";
     
     дополнить терминами - 28а, 54:     
     

Термин

Определение

28а. Запоминающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Запоминающий ППд

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, информационным параметром которого является долговременное изменение одной из характеристик, возникающее вследствие взаимодействия ионизирующего излучения с полупроводниковым материалом детектора

54. Дискретная эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Дискретная эффективность ППд

Выраженное в процентах отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, к числу ионизирующих частиц, упавших на определенную поверхность внешнего контура детектора

     
     
     Алфавитный указатель терминов на русском языке оформить таблицей 2 и дополнить терминами в алфавитном порядке:     
     

Термин

Номер термина

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый запоминающий

28а

ППд запоминающий

28а

Эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения дискретная

54

Эффективность ППд дискретная

54

     
     
     Алфавитный указатель терминов на немецком языке оформить таблицей 3;
     
     термин 30 изложить в новой редакции:     
     

Термин

Номер термина

Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors

30

     
     
     Алфавитный указатель терминов на английском языке оформить таблицей 4;
     
     термины 30, 36, 45, 50 изложить в новой редакции:     
     

Термин

Номер термина

Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector

45

Leakage current of a semiconductor detector

36

Semiconductor detector electrical rise time

50

Total detector dead layer of a semiconductor detector

30

     
     
      Алфавитный указатель терминов на французском языке оформить таблицей 5;
     
     термины 30, 36, 45, 50 изложить в новой редакции:     
     

Термин

Номер термина

Courant de fuite d'un detecteur semi-conducteur

36

Resolution en energie (LMH) d'un detecteur semi-conducteur

45

Tempo de montee electrique d'un detecteur semi-conducteur

50

Zone morte totale d'un detecteur semi-conducteur

30

     
     
     Справочное приложение. Графа "Определение". Термин 10. Примечание. Заменить единицу: еКл/кэВ на аКл/кэВ;
     
     дополнить терминами - 11, 12:
     

Термин

Определение

11. Длительность фронта нарастания сигнала детектора

Интервал времени, в течение которого импульс заряда (напряжения) на выходных электродах полупроводникового детектора ионизирующего излучения нарастает от нуля до половины своего максимального значения

12. Радиационный ресурс

Максимальная доза основного ионизирующего излучения, на регистрацию которого рассчитан детектор, после воздействия которого у гамма-процентной доли совокупности детекторов данного типа электрические и радиометрические параметры сохраняются в пределах норм, установленных для минимальной наработки

     
     
     
Текст документа сверен по:
официальное издание
ИУС N 11, 1987