Группа Ф00
ИЗМЕНЕНИЕ N 1
ГОСТ 18177-81 "Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые.
Термины и определения"
Дата введения 1988-01-01
УТВЕРЖДЕНО И ВВЕДЕНО В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 06.07.87 N 3036
Под наименованием стандарта проставить код: ОКСТУ 4364.
Вводную часть изложить в новой редакции: "Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается.
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
2.3. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-5.
4. Термины и определения общих понятий, используемых в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений приведены в справочном приложении.
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблицу дополнить номером - 1.
Таблица 1. Иноязычные эквиваленты для пп.30, 36, 45 и 50 изложить в новой редакции:
|
"30. |
D. Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors |
|||
|
36. |
E. Leakage current of a semiconductor detector |
|||
|
45. |
E. Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector |
|||
|
50. |
E. Semiconductor detector electrical rise time |
|||
Графа "Определение". Для термина 44 заменить слово: "количеству" на "числу";
дополнить терминами - 28а, 54:
|
Термин |
Определение |
|
28а. Запоминающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения |
Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, информационным параметром которого является долговременное изменение одной из характеристик, возникающее вследствие взаимодействия ионизирующего излучения с полупроводниковым материалом детектора |
|
54. Дискретная эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения |
Выраженное в процентах отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, к числу ионизирующих частиц, упавших на определенную поверхность внешнего контура детектора |
Алфавитный указатель терминов на русском языке оформить таблицей 2 и дополнить терминами в алфавитном порядке:
|
Термин |
Номер термина |
|
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый запоминающий |
28а |
|
ППд запоминающий |
28а |
|
Эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения дискретная |
54 |
|
Эффективность ППд дискретная |
54 |
Алфавитный указатель терминов на немецком языке оформить таблицей 3;
термин 30 изложить в новой редакции:
|
Термин |
Номер термина |
|
Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors |
30 |
Алфавитный указатель терминов на английском языке оформить таблицей 4;
термины 30, 36, 45, 50 изложить в новой редакции:
|
Термин |
Номер термина |
|
Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector |
45 |
|
Leakage current of a semiconductor detector |
36 |
|
Semiconductor detector electrical rise time |
50 |
|
Total detector dead layer of a semiconductor detector |
30 |
Алфавитный указатель терминов на французском языке оформить таблицей 5;
термины 30, 36, 45, 50 изложить в новой редакции:
|
Термин |
Номер термина |
|
Courant de fuite d'un detecteur semi-conducteur |
36 |
|
Resolution en energie (LMH) d'un detecteur semi-conducteur |
45 |
|
Tempo de montee electrique d'un detecteur semi-conducteur |
50 |
|
Zone morte totale d'un detecteur semi-conducteur |
30 |
Справочное приложение. Графа "Определение". Термин 10. Примечание. Заменить единицу: еКл/кэВ на аКл/кэВ;
дополнить терминами - 11, 12:
|
Термин |
Определение |
|
11. Длительность фронта нарастания сигнала детектора |
Интервал времени, в течение которого импульс заряда (напряжения) на выходных электродах полупроводникового детектора ионизирующего излучения нарастает от нуля до половины своего максимального значения |
|
12. Радиационный ресурс |
Максимальная доза основного ионизирующего излучения, на регистрацию которого рассчитан детектор, после воздействия которого у гамма-процентной доли совокупности детекторов данного типа электрические и радиометрические параметры сохраняются в пределах норм, установленных для минимальной наработки |
Текст документа сверен по:
официальное издание
ИУС N 11, 1987