ГОСТ 4.64-80
Группа Т51
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Система показателей качества продукции
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Номенклатура показателей
Product-quality index system. Semiconductor materials.
Nomenclature of indices
Дата введения 1981-07-01
ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. N 2059
ПЕРЕИЗДАНИЕ (февраль 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. N 545 от 13.03.85 (ИУС 6-85).
Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.
Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.
1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл.1.
Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.
Таблица 1
|
Показатель качества и единица измерения |
Условное обозначение показателя качества |
Характеризуемое свойство |
|
1. Удельное электрическое сопротивление, Ом·см |
|
Электрофизическое свойство |
|
1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом·см |
|
|
|
1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом·см |
|
|
|
1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом·см |
|
|
|
2. Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка, % |
|
Электрофизическое свойство |
|
3. Радиальное относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, % |
|
Электрофизическое свойство |
|
4. Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, % |
|
Электрофизическое свойство |
|
5. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка |
|
Кристаллографическое свойство |
|
6. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, ° |
|
Кристаллографическое свойство |
|
7. Концентрация атомов оптически активных примесей, см |
|
Химический состав |
|
7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см |
|
|
|
7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см |
|
|
|
8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка |
|
- |
|
8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм |
|
|
|
8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм |
|
|
|
8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм |
|
|
|
9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм |
|
- |
|
10. Длина монокристаллического слитка, мм |
|
- |
|
11. Плотность дислокаций, см |
|
Структурное совершенство |
|
12. Время жизни неравновесных носителей заряда, мкс, или диффузионная длина, мм |
|
Электрофизическое свойство |
|
13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра |
|
Структурное совершенство |
|
14. Концентрация основных несителей заряда, см |
|
Электрофизическое свойство |
|
15. Относительное отклонение от номинального значения концентрации основных носителей заряда, % |
|
Электрофизическое свойство |
|
16. Подвижность основных носителей заряда, см |
|
Электрофизическое свойство |
|
17. Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы) |
|
- |
|
18. Внутренние дефекты |
|
Структурное совершенство |
|
18.1. Раковины, трещины |
|
|
|
18.2. Наличие второй фазы |
|
|
|
18.3. Наличие двойниковых границ |
|
|
|
18.4. Наличие свирл-дефектов |
|
|
Примечания:
1. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.
2. В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1-1.3.
В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокристаллического слитка используется один из показателей 8.1-8.3.
Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1-18.4.
3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: "Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %".
(Измененная редакция, Изм. N 1).
2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА
Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл.2-6.
Таблица 2
Кремний монокристаллический
|
Номер показателя качества |
Кремний моно- кристал- лический для полупро- водниковых приборов и микросхем |
Кремний моно- кристал- лический для эпитак- сиальных структур |
Кремний моно- кристал- лический для силовой полупро- водниковой техники |
Кремний монокристал- лический для фотоприем- ников |
Кремний монокристал- лический для источников тока |
Кремний монокристал- лический для детекторов ядерных излучений |
Кремний монокристал- лический водородный |
|
1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
2 |
+ |
+ |
+ |
- |
- |
+ |
+ |
|
3 |
+ |
+ |
+ |
± |
- |
- |
- |
|
4 |
+ |
+ |
± |
± |
- |
- |
- |
|
5 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
6 |
+ |
+ |
+ |
+ |
- |
+ |
+ |
|
7.1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
- |
+ |
+ |
|
7.2 |
± |
± |
- |
- |
- |
- |
- |
|
8 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
9 |
+ |
+ |
± |
- |
- |
± |
- |
|
10 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
11 |
+ |
+ |
+ |
+ |
- |
+ |
+ |
|
12 |
± |
± |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
13 |
- |
- |
± |
- |
- |
± |
+ |
|
17 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
18.1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
18.4 |
± |
± |
- |
- |
- |
± |
- |
Таблица 3
Германий монокристаллический
|
Номер показателя качества |
Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем |
Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур |
Германий монокристаллический для оптоэлектроники |
Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии |
|
1 |
+ |
+ |
± |
± |
|
2 |
± |
± |
- |
± |
|
3 |
± |
± |
- |
± |
|
4 |
+ |
+ |
- |
- |
|
5 |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
6 |
- |
- |
- |
± |
|
8 |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
9 |
± |
± |
± |
± |
|
10 |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
11 |
± |
+ |
± |
+ |
|
12 |
± |
- |
- |
+ |
|
13 |
± |
± |
- |
- |
|
14 |
- |
- |
- |
± |
|
16 |
± |
± |
- |
± |
|
17 |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
18.1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
18.2 |
± |
- |
- |
± |
|
18.3 |
+ |
+ |
+ |
+ |
Таблица 4
Антимонид индия монокристаллический
|
Номер показателя качества |
Антимонид индия для полупроводниковых приборов |
Антимонид индия для эпитаксиальных структур |
|
1 |
± |
- |
|
5 |
+ |
+ |
|
6 |
± |
+ |
|
8 |
+ |
+ |
|
10 |
± |
+ |
|
11 |
+ |
+ |
|
12 |
± |
- |
|
13 |
- |
+ |
|
14 |
+ |
+ |
|
15 |
- |
+ |
|
16 |
+ |
+ |
|
17 |
+ |
+ |
|
18 |
+ |
+ |
Таблица 5
Арсенид галлия монокристаллический
|
Номер показателя качества |
Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур |
Арсенид галлия для источников тока |
|
1 |
± |
- |
|
5 |
+ |
+ |
|
6 |
+ |
+ |
|
8 |
+ |
+ |
|
9 |
+ |
- |
|
10 |
+ |
+ |
|
11 |
+ |
+ |
|
14 |
+ |
+ |
|
15 |
+ |
- |
|
16 |
+ |
- |
|
17 |
+ |
+ |
|
18 |
± |
± |
Таблица 6
Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические
|
Номер показателя качества |
Фосфид галлия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур |
Арсенид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур |
Фосфид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур |
|
1 |
± |
- |
± |
|
5 |
+ |
+ |
+ |
|
6 |
+ |
+ |
+ |
|
8 |
+ |
+ |
+ |
|
9 |
+ |
+ |
+ |
|
10 |
+ |
+ |
+ |
|
11 |
+ |
+ |
+ |
|
12 |
- |
- |
+ |
|
13 |
- |
+ |
+ |
|
14 |
+ |
+ |
- |
|
15 |
+ |
- |
- |
|
16 |
+ |
- |
+ |
|
17 |
+ |
+ |
+ |
|
18 |
± |
± |
± |
Примечание к табл.2-6. Знак "+" обозначает применение показателя качества, знак "-" обозначает неприменение показателя качества, знак "±" обозначает ограниченное применение показателя.
(Измененная редакция, Изм. N 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Справочное
|
Наименование продукции |
Код ОКП |
|
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для полупроводниковых приборов и микросхем |
17 7211 |
|
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для силовой полупроводниковой техники |
17 7212 |
|
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для эпитаксиальных структур |
17 7213 |
|
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для источников тока |
17 7215 |
|
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для полупроводниковых приборов и микросхем |
17 7221 |
|
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники |
17 7222 |
|
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для фотоприемников |
17 7224 |
|
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для детекторов ядерных излучений |
17 7226 |
|
Кремний монокристаллический водородный |
17 72211000 |
|
Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем |
17 7441 |
|
Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур |
17 7443 |
|
Германий монокристаллический для оптоэлектроники |
17 7444 |
|
Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии |
17 7447 |
|
Антимонид индия монокристаллический |
17 7532 |
|
Арсенид галлия монокристаллический |
17 7512 |
|
Фосфид галлия монокристаллический |
17 7542 |
|
Арсенид индия монокристаллический |
17 7522 |
|
Фосфид индия монокристаллический |
17 7552 |
(Введено дополнительно, Изм. N 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ
показателей качества полупроводниковых материалов
|
Наименование показателя качества |
Номер показателя качества |
|
Время жизни неравновесных носителей заряда |
12 |
|
Дефекты внешние |
17 |
|
Дефекты внутренние |
18 |
|
Диаметр монокристаллического слитка |
8.1 |
|
Длина малоугловых границ суммарная |
13 |
|
Длина монокристаллического слитка |
10 |
|
Длина диффузионная |
12 |
|
Значение удельного электрического сопротивления номинальное |
1.1 |
|
Интервал значений удельного электрического сопротивления |
1.3 |
|
Интервал номинальных значений диаметров |
8.2 |
|
Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления |
1.2 |
|
Концентрация атомов оптически активных примесей |
7 |
|
Концентрация атомов оптически активного кислорода |
7.1 |
|
Концентрация атомов оптически активного углерода |
7.2 |
|
Концентрация основных носителей заряда |
14 |
|
Наличие второй фазы |
18.2 |
|
Наличие двойных границ |
18.3 |
|
Наличие свирл-дефектов |
18.4 |
|
Ориентация продольной оси монокристаллического слитка |
5 |
|
Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения |
9 |
|
Отклонение относительное от номинального значения концентрации основных носителей заряда |
15 |
|
Отклонение плоскости торцевого среза от плоскости ориентации |
6 |
|
Отклонение относительное средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления |
4 |
|
Отклонение относительное удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка |
2 |
|
Отклонение относительное радиальное удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка |
3 |
|
Плотность дислокаций |
11 |
|
Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка |
8.3 |
|
Подвижность основных носителей заряда |
16 |
|
Раковины |
17; 18.1 |
|
Сколы |
17 |
|
Сопротивление удельное электрическое |
1 |
|
Характеристика геометрическая поперечного сечения монокристаллического слитка |
8 |
(Введено дополнительно, Изм.N 1).
Текст документа сверен по:
официальное издание
М.: Издательство стандартов, 1985