ГОСТ 18604.6-74*
(CT СЭВ 3998-83)

Группа Э29

     
     
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод измерения обратного тока эмиттера

Transistors. Method for measuring emitter reverse current

     
     
Дата введения 1976-01-01

     
     
     Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. N 1478 срок введения установлен с 01.01.76
     
     Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 N 184 срок действия продлен до 01.01.91**

________________

     ** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1454 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.
     
     ВЗАМЕН ГОСТ 10867-68
     
     * ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в апреле 1984 г. (ИУС 8-84).
     
     
     Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера  (ток через переход эмиттер - база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА.
     
     Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998-83 в части измерения обратного тока эмиттера (справочное приложение).
     
     Общие условия при измерении обратного тока эмиттера должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.
     
     (Измененная редакция, Изм. N 1).
     
     

1. АППАРАТУРА

     
     1.1. Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерение с основной погрешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.
     
     Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
     
     Для импульсного метода измерения  при использовании стрелочных приборов основная погрешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, для цифровых приборов - в пределах ±10% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
     
     1.2. Допускаются токи утечки в цепи коллектора, не приводящие к превышению основной погрешности измерения сверх значения, указанного в п.1.1.
     
     

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

     
     2.1. Структурная электрическая схема для измерения обратного тока эмиттера должна соответствовать указанной на чертеже.
     
     

 - измеритель постоянного тока,  - измеритель постоянного напряжения,
 - напряжение источника питания эмиттера,  - испытуемый транзистор

     
     
     (Измененная редакция, Изм. N 1).
     
     2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.
     
     2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока  не должно превышать 5% от показаний измерителя постоянного напряжения .
     
     Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении  превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение источника питания  на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении .
     
     2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока эмиттера не должна превышать 2%.
     
     Значение напряжения  указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения .
     
     (Измененная редакция, Изм. N 1).
     
     2.3. Допускается проводить измерение  мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.
     
     Измерение проводят по схеме, указанной в настоящем стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.
     
     2.3.1. Длительность импульса  должна выбираться из соотношения
     

,

     
где ,

     
      - включение последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление внешней цепи (в том числе внутреннее сопротивление генератора импульсов);
     
      - емкость эмиттерного перехода испытуемого транзистора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
     
     (Измененная редакция, Изм. N 1).
     
     2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Длительность фронта импульса генератора  должна быть
     

.

     
     2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.
     
     2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
     
     (Измененная редакция, Изм. N 1).
     
     2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.
     
     (Введен дополнительно, Изм. N 1).
     
     

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

     
     3.1. Обратный ток эмиттера измеряют следующим образом. От источника постоянного тока на эмиттер подают обратное напряжение  и с помощью измерителя постоянного тока  измеряют обратный ток эмиттера .
     
     Допускается измерять обратный ток по значению падения напряжения на калиброванном резисторе , включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблюдаться соотношение
     

.

     
     Если падение напряжения на резисторе  превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение  назначение, равное падению напряжения на резисторе .
     
     3.2. Порядок проведения измерения  импульсным методом аналогичен указанному в п.3.1.
     
     3.3. При измерении  импульсным методом должно быть исключено влияние выброса напряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал времени не менее 3 с момента начала импульса.
     
     

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

     
Информационные данные о соответствии ГОСТ 18604.6-74 СТ СЭВ 3998-83

     
     ГОСТ 18604.6-74 соответствует разд.2 СТ СЭВ 3998-83.
     
     (Введено дополнительно, Изм. N 1).