Обозначение НТД, на который дана ссылка

Номер пункта, подпункта

ГОСТ 21934-83

Табл.1, п.п.127а, 127б, 127в

ГОСТ 25066-91

Табл.1, п.120а

Термин

Определение

ФИЗИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

1. Электрический переход

Переход

D. Elektrischer  (Sperrschicht)

E. Junction

F. Jonction

Переходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. Одна из областей может быть металлом

2. Электронно-дырочный переход

 переход

D.

E. P-N junction

F. Jonction P-N

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность -типа, а другая -типа

3. Электронно-электронный переход

 переход

D.

E. N-N junction

F. Jonction N-N

Электрический переход между двумя областями полупроводника -типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

4. Дырочно-дырочный переход

 переход

D.

E. P-P junction

F. Jonction P-P

Электрический переход между двумя областями полупроводника -типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. В терминах 3 и 4 "+" условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью

5. Резкий переход

D. Steiler   

E. Abrupt junction

F. Jonction abrupte

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси

6. Плавный переход

D. Stetiger

E. Graded junction

F. Jonction graduelle

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда

7. Плоскостной переход

D.

E. Surface junction

F. Jonction de par surface

Электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины

8. Точечный переход

D.

E. Point-contact junction

F. Jonction  pointe

Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

Примечание. Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т.д.

9. Диффузионный переход

D. Diffundierter

E. Diffused junction

F. Jonction  diffusion

Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике

10. Планарный переход

D.

E. Planar junction

F. Jonction planar

Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника

11. Конверсионный переход

D.

E. Conversion junction

F. Jonction de conversion

Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси

12. Сплавной переход

Ндп. Вплавной переход

D. Legierter

E. Alloyed junction

F. Jonction

Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси

13. Микросплавной переход

Ндп. Микровплавной переход

D. Mikrolegierter

E. Micro-alloy junction

F. Jonction

Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника

14. Выращенный переход

Ндп. Тянутый переход

D. Gezogener

Е. Grown junction

F. Jonction de croissance

Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава

15. Эпитаксиальный переход

D.

E. Epitaxial junction

F. Jonction

Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

Примечание. Эпитаксиальное наращивание - создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки

16. Гетерогенный переход

Гетеропереход

D.

E. Heterogenous junction

F. Jonction

Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

17. Гомогенный переход

Гомопереход

D. Homogener  

E. Homogenous junction

F. Jonction

Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны

18. Переход Шоттки

D.

E. Schottky junction

F. Jonction Schottky

Электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником

19. Выпрямляющий переход

D.

E. Rectifying junction

F. Jonction redresseuse

Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом

20. Омический переход

Ндп. Линейный контакт

D. Ohmischer  

Е. Ohmic junction

F. Jonction ohmique

Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов

21. Эмиттерный переход

D.

E. Emitter junction

F. Jonction  

Электрический переход между эмиттерной (27)* и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62)

________________

     * Числа в скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных в настоящем стандарте.

22. Коллекторный переход

D.

E. Collector junction

F. Jonction collecteur
     

Электрический переход между базовой (26) и коллекторной (28) областями полупроводникового прибора (62)

23. Дырочная область

-область

D. Defektelektronengebiet

E. P-region

F.

Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью

24. Электронная область

-область

D. Elektronengebiet

E. N-region

F.  

Область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью

25. Область собственной электропроводности

-область

Ндп. Собственная область

D. Eigenleitungsgebiet

Е. Intrinsic region

F.

Область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника

26. Базовая область

База

D. Basisgebiet

Е. Base region

F.  de base

Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда

27. Эмиттерная область

Эмиттер

D. Emittergebiet

E. Emitter region

F.  d'emitteur

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область

28. Коллекторная область

Коллектор

D. Kollektorgebiet

E. Collector region

F.  de collecteur

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой области

29. Активная часть базовой области

D. Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

E. Active part of base region

F.  active de base

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

30. Пассивная часть базовой области
 
D. Passiver Teil des Basisgebietes
eines bipolaren Transistors

E. Passive part of base region

F.  passive de base

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

31. Проводящий канал

D. Kanal

E. Channel

F. Canal

Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда.
     
Примечания:

1. Данное понятие не следует смешивать с "каналом утечки", возникающим в месте выхода  перехода на поверхность кристалла.

2. Проводящий канал может быть  или -типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника

32. Исток

D. Source (Quelle)

E. Source

F. Source

Электрод полевого транзистора (100), через который в проводящий канал втекают носители заряда

33. Сток

D. Drain (Senke)

S. Drain

F. Drain

Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда

34. Затвор

D. Gate (Tor)

E. Gate

F. Grille

Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический сигнал

35. Структура полупроводникового прибора

Структура

D. Struktur eines Halbleiterbauelementes

E. Structure

F. Structure

Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором (62) его функций.

Примечания :

1. Примеры структур полупроводниковых приборов: ; ; ;  и др.

2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик

36. Структура металл-диэлектрик-полупроводник

Структура МДП

D. Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur)

F. MIS-structure

F. Structure-MIS

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника

37. Структура металл-окисел-полупроводник

Структура МОП

D. Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur
(HOS-Struktur)

Е. MOS-structure

F. Structure-MOS

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупроводника

38. Мезаструктура

D. Mesastruktur

E. Mesa-structure

F.

Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием

39. Обедненный слой

D. Verarmungsschicht

E. Depletion layer

F. Couche de

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов

40. Запирающий слой

Ндп. Запорный слой

D. Sperrschicht

Е. Barrier region (layer)

F.

Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом

41. Обогащенный слой

D. Anreicherungsschicht

E. Enriched layer

F. Couche enrichie

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов

42. Инверсный слой

D. Inversionsschicht

E. Inversion layer

F. Couche d'inversion
     

Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов

ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

43. Прямое направление для  перехода

D. Durchlassrichtung des

E. Forward direction (of a P-N junction)

F. Sens direct (d'une jonction P-N)

Направление постоянного тока, в котором  переход имеет наименьшее сопротивление

44. Обратное направление для  перехода

D. Sperrichtung des

E. Reverse direction (of a P-N junction)

F. Sens inverse (d'une jounction P-N)

Направление постоянного тока, в котором  переход имеет наибольшее сопротивление

45. Пробой  перехода

D. Durchbruch des

E. Breakdown of a P-N junction

F. Claquage (d'une jonction P-N)

Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости  перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения.

Примечание. Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя

46. Электрический пробой  перехода

D. Elektrischer Durchbruch des

E. P-N junction electrical breakdown

F. Claquage  (d'une jonction P-N)

Пробой  перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения

47. Лавинный пробой  перехода

D. Lawinendurchbruch des

E. (P-N junction) avalanche breakdown

F. Claquage par avalanche (d'une jonction P-N)

Электрический пробой  перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля

48. Туннельный пробой  перехода

D.Tunneldurchbruch des

E. Zenner (tunnel) breakdown

F. Claquage par effet Zenner (tunnel)

Электрический пробой  перехода, вызванный туннельным эффектом

49. Тепловой пробой  перехода

D. Thermischer Durchbruch des

E. (P-N junction) thermal breakdown

F. Claquage par effet thermique (d'une jonction P-N)

Пробой  перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в  переходе и отводимым от него теплом

50. Модуляция толщины базы

D. Modulation der Basisbreite

E. Base thickness modulation

F. Modulation  de base

Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу

51. Эффект смыкания

Ндп. Прокол базы

D. Durchgreifeffekt

E. Punch-through

F.

Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода

52. Накопление неравновесных носителей заряда в базе

Накопление заряда в базе

D. Speicherung von  in der Basis

E. Minority carrier storage (in the base)

F. Accumulation de porteurs dans la base

Увеличение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда

53. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе

Рассасывание заряда в базе

D. Abbau von  in der Basis

E. Excess carrier resorption (in the base)

F.  de porteurs dans la base

Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации

54. Прямое восстановление полупроводникового диода

D. Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode

E. Forward recovery

F. Recouvrement direct

Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении.

Примечание. Под словом "быстрый" в определениях 54 и 55 понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления

55. Обратное восстановление полупроводникового диода

D. Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode

E. Reverse recovery

F. Recouvrement inverse

Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное

56. Закрытое состояние тиристора

D. Blockierzustand eines Thyristors

E. Off-state of a thyristor

F. Etat  de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующее участку прямой ветви вольтамперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения

57. Открытое состояние тиристора

D. Durchlasszustand eines Thyristors

E. On-state of a thyristor

F. Etat passant de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольт-амперной характеристики

58. Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении

D. Sperrzustand eines Thyristors

E. Reverse blocking state of a thyristor

F. Etat  dans le sens inverse de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующие участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя

59. Переключение тиристора

D. Umschalten eines Thyristors

E. Switching of a thyristor

F. Commutation de thyristor

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выводе

60. Включение тиристора

D.  eines Thyristots

E. Gate triggering of a thyristor

F. Amorcage de thyristor

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления

61. Выключение тиристора

D. Ausschalten eines Thyristors

E. Gate turning-off of a thyristor

F.  de thyristor
     

Переход тиристора (105) из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления

ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

62. Полупроводниковый прибор (ПП)

D. Halbleiterbauelement

E. Semiconductor device

F. Dispositif semiconducteurs

Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника

63. Силовой полупроводниковый прибор (СПП)

D. Halbleiterleistungsbauelement

E. Semiconductor power device

F. Diode  semiconducteurs pour forte puissance

Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств

64. Полупроводниковый блок

E. Semiconductor assembly

F. Assemblage  semiconducteurs

Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов

65. Набор полупроводниковых приборов

E. Semiconductor assembly set

Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам

66. Полупроводниковый диод

Диод

Ндп. Полупроводниковый вентиль

D. Halbleiterdiode

E. Semiconductor diode

F. Diode  semiconducteurs

Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтамперной характеристикой.

Примечание. Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного перехода

67. Точечный диод

Ндп. Точечно-контактный диод

D. Halbleiterspitzendiode

E. Point-contact diode

F. Diode  pointe

Полупроводниковый диод с точечным переходом

68. Плоскостной диод

D.
E. Junction diode

F. Diode  jonction

Полупроводниковый диод с плоскостным переходом

69. Выпрямительный полупроводниковый диод

Выпрямительный диод

D. Halbleitergleichrichterdiode

E. Semiconductor rectifier diode

F. Diode de redressement

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно целое

69а. Лавинный выпрямительный диод

Е. Avalanche rectifier diode

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики

69б. Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем

Е. Controlled-avalanche rectifier diode

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики

70. Выпрямительный полупроводниковый столб

Выпрямительный столб

E. Semiconductor rectifier stack

F. Bloc de redressement (a semiconducteurs)

Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода

71. Выпрямительный полупроводниковый блок

Выпрямительный блок

E. Semiconductor rectifier assembly

F. Assemblage de redressement ( semiconducteurs)

Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов

72. Импульсный полупроводниковый диод

Импульсный диод

D. Halbleiterimpulsdiode

E. Signal diode

F. Diode d'impulsion

Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы

73. Диод с накоплением заряда

Е. Snap-off (step-recovery) diode

Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания

74. Туннельный диод

D. Halbleitertunneldiode

E. Tunnel diode

F. Diode tunnel

Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости

75. Обращенный диод

D. Halbleiterunitunneldiode

E. Unitunnel (backward) diode

F. Diode

Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны

76. Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод

СВЧ-диод

D. UHF-Halbleiterdiode

E. Microwave diode

F. Diode en

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала

77. Лавинно-пролетный диод

D. Halbleiterlawinenlaufzeitdiode

E. Impact avalanche-(and-) transit time diode

F. Diode  avalanche  temps de transit

Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

78. Инжекционно-пролетный диод

D. Halbleiterinjektionslaufzeitdiode

E. Injection- (and-) transit time diode

F. Diode  injection  temps de transit

Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

79. Переключательный диод

D. Halbleiterschaltdiode

E. Switching diode

F. Diode de commutation

Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление - при обратном, предназначенный для управления уровнем мощности сигнала

80. Смесительный диод

D. Halbleitermischdiode

E. Semiconductor mixer diode

F. Diode  

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты

81. Диод Ганна

D. Gunn-Element

E. Gunn diode

F. Diode Gunn

Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний

82. Коммутационный полупроводниковый диод

Коммутационный диод

D. Halbleiter-HF-Schaltdiode

Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей

83. Регулируемый резистивный диод

D. PIN-Diode

E. PIN diode

F. Diode PIN

Полупроводниковый  диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения

84. Детекторный полупроводниковый диод

Детекторный диод

D. Halbleiterdemodulatordiode

E. Detector diode

F. Diode semiconducteurs

Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала

85. Ограничительный полупроводниковый род

Ограничительный диод

D. Halbleiterbegrenzerdiode

E. Microwave limiting diode

F. Diode de limitation de

Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения

86. Умножительный диод

D. Halbleitervervielflacherdiode

E. Semiconductor frequency multiplication diode

F. Diode pour multiplication de

Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты

87. Модуляторный диод

D. Halbleitermodulatordiode

E. Semiconductor modulator diode

F. Diode modulatrice ( semiconducteurs)

Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала

88. Диод Шоттки

D. Schottky-Diode

F. Schottky (-barrier) diode

F. Diode de Schottky

Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника

89. Варикап

D.Kapazitatsdiode

E. Variable capacitance diode

F. Diode  capacite  (varicape)

Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью

90. Параметрический полупроводниковый диод

Параметрический диод

D. Halbleitervaraktordiode

E. Semiconductor parametric (amplifier) diode

F. Diode ( semiconducteurs)

Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях

91. Полупроводниковый стабилитрон
 
Стабилитрон

Ндп. Зенеровский диод

D. Halbleiter-Z-Diode

E. Voltage reference diode

F. Diode de tension de

Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения

92. (Исключен, Изм. N 2).

93. Полупроводниковый шумовой диод

D. Halbleiterrauschdiode

E. Semiconductor noise diode

F. Diode de bruit

Полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот

94. Биполярный транзистор

Транзистор

D. Bipolarer Transistor

E. Bipolar transistor

F. Transistor bipolaire

Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей

95. Бездрейфовый транзистор

Ндп. Диффузионный транзистор

D. Diffusionstransistor

E. Diffusion transistor

F. Transistor  diffusion

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии

96. Дрейфовый транзистор

D. Drifttransistor

E. Drift (diffused) transistor

F. Transistor en

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа

97. Точечный транзистор

Ндп.Точечно-контактный диод

D. Spitzentransistor

E. Point-contact transistor

F. Transistor  pointe

Биполярный транзистор с точечными переходами

98. Плоскостной транзистор

D.

E. Junction transistor

F. Transistor  jonction

Биполярный транзистор с плоскостными переходами

99. Лавинный транзистор

D. Lawinentransistor

E. Avalanche transistor

F. Transistor  avalanche

Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе

100. Полевой транзистор

Ндп. Канальный транзистор

D. Feldeffekttransistor (FET)

E. Field-effect transistor

F. Transistor  effet de champ

Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.

Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности

101. Полевой транзистор с изолированным затвором

D. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate

E. Insulated-gate FET

F. Transistor  effet de champ  

Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала

102. Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник

МДП-транзистор

D. MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)

E. MIS-transistor

F. Transistor-MIS

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик

103. Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник

МОП-транзистор

D. MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)

E. MOS-transistor

F. Transistor-MOS

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел

104. Симметричный транзистор

D. Bidirektionaltransistor

E. Bi-directional transistor

F. Transistor bi-directionnel

Биполярный или полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока

105. Тиристор

D. Thyristor

E. Thyristor

F. Thyristor

Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот

106. Диодный тиристор

Динистор

D. Thyristordiode

E. Diode thyristor

F. Thyristor diode

Тиристор, имеющий два вывода

107. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D.  sperrende Thyristordiode

E. Reverse blocking diode thyristor

F. Thyristor diode  en inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии

108. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D.  leitende Thyristordiode

E. Reverse conducting diode thyristor

F. Thyristor diode passant en inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

109. Симметричный диодный тиристор

Диак

D. Zweirichtungsthyristordiode

E. Bi-directional diode thyristor

F. Thyristor diode bi-directionnel

Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях

110. Триодный тиристор

Тринистор

D. Thyristordiode

E. Triode thyristor

F. Thyristor triode

Тиристор, имеющий три вывода

111. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D.  sperrende Thyristortriode

E. Reverse blocking triode thyristor

F. Thyristor triode  en inverse

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин "тиристор", если исключается возможность другого толкования

112. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D.  leitende Thyristortriode

E. Reverse conducting triode thyristor

F. Thyristor triode passant en inverse

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

113. Симметричный триодный тиристор

Триак

D. Zweirichtungsthyristortriode

E. Bi-directional triode thyristor; Triac

F. Thyristor triode bi-directionnel

Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях

114. Запираемый тиристор

D. Abschaltbarer Thyristor

E. Turn-off thyristor

F. Thyristor blocable

Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.

Примечание. Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы

115. (Исключен, Изм. N 2).

116. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа

D. Katodenseitig gesteuerter Thyristor

E. P-gate thyristor

F. Thyristor P

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала

117. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа

D. Anodenseiltig gesteuerter Thyristor

E. N-gate thyristor

F. Thyristor N

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала

117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении

Лавинный тиристор

Е. Avalanche reverse blocking thyristor

Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния

117б. Комбинированно-выключаемый тиристор

Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения

118. Импульсный тиристор

E. Pulse thyristor

F. Thyristor signal

Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы

119. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор

D. Optoelektronisches Halbleiterbauelement

E. Semiconductor optoelectronic device

F. Dispositif  semiconducteur

Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов

120. Полупроводниковый излучатель
 
Излучатель

D. Halbleiterstrahler

E. Semiconductor photoemitter

F.   semiconducteurs

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения

120a. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор

Е. Semiconductor character display

По ГОСТ 25066

120б. Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора

Приемник излучения

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергию от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним

(Введен дополнительно, Изм. N 4).

121. Оптопара

D. Optoelektronischer Koppler

E. Photocoupler; Optocoupler

F. Photocoupleur

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция

121а. Резисторная оптопара

Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фоторезистора

121б. Диодная оптопара

Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фотодиода

121в. Транзисторная оптопара

Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототранзистора

121г. Тиристорная оптопара

Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототиристора

121д. (Исключен, Изм. N 3).

121е. Полупроводниковый излучатель, работающий с физическим приемником

-

121а-121е. (Введены дополнительно, Изм N 1).

121ж. Дифференциальная диодная оптопара

Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя

121з. Тиристорная оптопара с симметричным выходом

Тиристорная оптопара с симметричным диодным или триодным фототиристором

121ж, 121з. (Введены дополнительно, Изм N 4).

122. Светоизлучающий диод

СИД

D. Lichtemitterdiode (LED)

E. Light-emitting diode (LED)

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

123, 123a. (Исключены, Изм. N 2).

124. (Исключен, Изм. N 1).

125. (Исключен, Изм. N 2).

126. Полупроводниковый экран

Е. Semiconductor analog indicator

Полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащих    строк светоизлучающих диодов, предназначенный для использования в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации

127. Инфракрасный излучающий диод

И-К диод

D. Infrarotemitterdiode (IRED)

E. Infra-red-emitting diode

F. Diode emettrice en infrarouge

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

127a. Фотодиод

D. Fotodiode

E. Photodiode

F. Photodiode

По ГОСТ 21934

127б. Фототранзистор

D. Fototransistor

E. Phototransistor

F. Phototransistor

По ГОСТ 21934

127в. Фоторезистор

D. Fotowiderstand

E. Photoconductive cell

F. Cellule photoinductive

По ГОСТ 21934

127г. Фототиристор

D. Fotothyristor

E. Photothyristor

F. Photothyristor

Тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект

127д. Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе

127е. Оптоэлектронный коммутатор нагрузки

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе

127ж. Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока

Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока

127з. Оптоэлектронный коммутатор переменного тока

Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока

127и. Оптоэлектронный переключатель логических сигналов

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе

127к. Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции

127л. Октрон

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому каналу

127м. Отражательный октрон

Октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от отражательной поверхности, расположенной на определенном расстоянии от излучателя

127н. Щелевой октрон

Октрон в котором между излучателем и приемником излучения для управления световым потоком устанавливают свето-непроницаемую заслонку

127о. Волстрон

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу.

Примечание. Излучатель и приемник излучения могут иметь схемы электронного обрамления

127п. Оптопреобразователь

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими  переходами, работающими в режиме передачи и (или) приема оптического излучения

127р. Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов

Совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линии

127с. Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов

Совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам

127а-127с. (Введены дополнительно, Изм 4).

     

ЭЛЕМЕНТЫ КОНСТРУКЦИИ

128. Вывод полупроводникового прибора

Вывод

D. Anschluss eines Halbleiterbauelementes

E. Terminal (of a semiconductor device)

F. Borne

Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

129. Основной вывод полупроводникового прибора

D. Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes

E. Main terminal

F. Borne principale

Вывод полупроводникового прибора, через который протекает основной ток

130. Катодный вывод полупроводникового прибора

D. Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes

E. Cathode terminal (of a semiconductor device)

F. Cathode

Вывод полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь

131. Анодный вывод полупроводникового прибора

D. Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

E. Anode terminal (of a semiconductor device)

F. Anode

Вывод полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи

132. Управляющий вывод полупроводникового прибора

E. Gate terminal (of a semiconductor device)

F. Grille

Вывод полупроводникового прибора, через который течет только ток управления

133. Корпус полупроводникового прибора

Корпус

D.  eines Halbleiterbauelementes

E. Package (case) (of a semiconductor device)

F. Capsule

Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов

134. Бескорпусный полупроводниковый прибор

Ндп. Полупроводниковая структура

D.  Halbleiterbauelement

E. Beam lead semiconductor device

F. Dispositif semiconducteur sans boitier

Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре

135. Полупроводниковый излучающий элемент

Часть полупроводникового прибора отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме

135а. Электрод полупроводникового прибора

Е. Electrode (of a semiconductor device)

Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупроводникового прибора и выводом

Термин

Номер термина

База

26

Блок выпрямительный

71

Блок полупроводниковый

64

Блок полупроводниковый выпрямительный

71

Варикап

89

Вентиль полупроводниковый

66

Включение тиристора

60

Волстрон

127о

Восстановление полупроводникового диода обратное

55

Восстановление полупроводникового диода прямое

54

Вывод

128

Вывод полупроводникового прибора

128

Вывод полупроводникового прибора анодный

131

Вывод полупроводникового прибора катодный

130

Вывод полупроводникового прибора основной

129

Вывод полупроводникового прибора управляющий

132

Выключение тиристора

61

Гетеропереход

16

Гомопереход

17

Диак

109

Динистор

106

Диод

66

Диод выпрямительный

69

Диод выпрямительный лавинный

69а

Диод Ганна

81

Диод детекторный

84

Диод Зенеровский

91

Диод излучающий инфракрасный

127

Диод импульсный

72

Диод инжекционно-пролетный

78

Диод коммутационный

82

Диод лавинно-пролетный

77

Диод модуляторный

87

Диод обращенный

75

Диод ограничительный

85

Диод параметрический

90

Диод переключательный

79

Диод плоскостной

68

Диод полупроводниковый

66

Диод полупроводниковый выпрямительный

69

Диод полупроводниковый детекторный

84

Диод полупроводниковый импульсный

72

Диод полупроводниковый коммутационный

82

Диод полупроводниковый ограничительный

85

Диод полупроводниковый параметрический

90

Диод полупроводниковый сверхвысокочастотный

76

Диод резистивный регулируемый

83

Диод светоизлучающий

122

Диод смесительный

80

Диод с накоплением заряда

73

Диод с контролируемым лавинным пробоем полупроводниковый выпрямительный

69б

Диод точечно-контактный

67

Диод точечный

67

Диод туннельный

74

Диод умножительный

86

Диод Шоттки

88

Диод шумовой полупроводниковый

93

Затвор

33

Излучатель

120

Излучатель полупроводниковый

120

Излучатель, работающий с физическим приемником, полупроводниковый

121е

И-К диод

127

Индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый

120а

Исток

32

Канал проводящий

31

Коллектор

28

Коммутатор аналогового сигнала оптоэлектронный

127д

Коммутатор нагрузки оптоэлектронный

127е

Коммутатор переменного тока оптоэлектронный

127з

Коммутатор постоянного тока оптоэлектронный

127ж

Контакт линейный

20

Корпус

133

Корпус полупроводникового прибора

133

Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов

127р

Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов

127с

МДП-транзистор

102

Мезаструктура

38

Модуляция толщины базы

50

МОП-транзистор

103

Набор полупроводниковых приборов

65

Накопление заряда в базе

52

Накопление неравновесных носителей заряда в базе

52

Направление для  перехода обратное

44

Направление для  перехода прямое

43

Область базовая

26

Область дырочная

23

Область коллекторная

28

Область собственной электропроводности

25

Область собственная

25

Область электронная

24

Область эмиттерная

27

Область  

25

Область  

24

Область  

23

Октрон

127л

Октрон отражательный

127м

Октрон щелевой

127н

Оптопара

121

Оптопара диодная

121

Оптопара диодная дифференциальная

121ж

Оптопара резисторная

121а

Оптопара с симметричным выходом тиристорная

121з

Оптопара тиристорная

121б

Оптопара транзисторная

121в

Оптопреобразователь

127п

Переключение тиристора

59

Переключатель логических сигналов оптоэлектронный

127и

Переход

1

Переход вплавной

12

Переход выпрямляющий

19

Переход выращенный

14

Переход гетерогенный

16

Переход гомогенный

17

Переход диффузионный

9

Переход дырочно-дырочный

4

Переход коллекторный

22

Переход конверсионный

11

Переход микровплавной

13

Переход микросплавной

13

Переход омический

20

Переход плавный

6

Переход планарный

10

Переход плоскостной

7

Переход резкий

5

Переход сплавной

12

Переход точечный

8

Переход тянутый

14

Переход Шоттки

18

Переход электрический

1

Переход электронно-дырочный

2

Переход электронно-электронный

3

Переход эмиттерный

21

Переход эпитаксиальный

15

Переход

3

Переход

2

Переход

4

Прибор полупроводниковый (ПП)

62

Прибор полупроводниковый бескорпусный

134

Прибор полупроводниковый оптоэлектронный

119

Прибор полупроводниковый оптоэлектронный линейный

127к

Прибор полупроводниковый силовой (СПП)

63

Приемник излучения

120б

Приемник излучения оптоэлектронного прибора полупроводниковый

120б

Пробой  перехода

45

Пробой  перехода лавинный

47

Пробой  перехода тепловой

49

Пробой  перехода туннельный

48

Пробой  перехода электрический

46

Прокол базы

51

Рассасывание заряда в базе

53

Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе

53

СВЧ-диод

76

СИД

122

Слой запирающий

40

Слой запорный

40

Слой инверсный

42

Слой обедненный

39

Слой обогащенный

41

Состояние тиристора в обратном направлении непроводящее

58

Состояние тиристора закрытое

56

Состояние тиристора открытое

57

Стабилитрон

91

Стабилитрон полупроводниковый

91

Столб выпрямительный

70

Столб полупроводниковый выпрямительный

70

Сток

33

Структура

35

Структура МДП

36

Структура металл-диэлектрик-полупроводник

36

Структура металл-окисел-полупроводник

37

Структура МОП

37

Структура полупроводниковая

134

Структура полупроводникового прибора

35

Тиристор

105

Тиристор диодный

106

Тиристор диодный симметричный

109

Тиристор запираемый

114

Тиристор импульсный

118

Тиристор комбинированно-выключаемый

117б

Тиристор лавинный

117а

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, диодный

107

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный

111

Тиристор, проводящий в обратном направлении, диодный

108

Тиристор, проводящий в обратном направлении, триодный

112

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный лавинный

117а

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа

116

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом -типа

117

Тиристор триодный

110

Тиристор триодный симметричный

113

Транзистор

94

Транзистор бездрейфовый

95

Транзистор биполярный

94

Транзистор диффузионный

95

Транзистор дрейфовый

96

Транзистор канальный

100

Транзистор лавинный

99

Транзистор типа металл-окисел-полупроводник полевой

103

Транзистор плоскостной

98

Транзистор полевой

100

Транзистор с изолированным затвором полевой

101

Транзистор симметричный

104

Транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник полевой

102

Триод точечно-контактный

97

Транзистор точечный

97

Триак

113

Тринистор

110

Фотодиод

127а

Фоторезистор

127d

Фототиристор

127г

Фототранзистор

127б

Часть базовой области активная

29

Часть базовой области пассивная

30

Элемент излучающий полупроводниковый

135

Элемент полупроводникового прибора  

135а

Эмиттер  

27

Эффект смыкания

51

Термин

Номер термина

Abbau von in der Basis

53

Abschaltbarer Thyristor

114

Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

29

Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

131

Anodenseitig gesteuerter Thyristor

117

Anreicherungsschicht

41

Auschluss eines Halbleiterbauelementes

128

Ausschalten eines Thyristors

61

Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes

129

Basisgebiet

26

Bidirektionaltransistor

104

Bipolarer Transistor

94

Blockierzustand eines Thyristors

56

Defektelektronengebiet

23

Diffundierter

9

Diffusionstransistor

95

Drain (Senke)

33

Drifttransistor

96

Durchbruch des

45

Durchgreifeffekt

51

Durchlassrichtung des

43

Durchlasszusfand eines Thyristors

57

Eigenleitungsgebiet

25

Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode

54

Elektrischer Durchbruch des

46

Elektrischer  (Sperrschicht)

1

Elektronengebiet

24

Emittergebiet

27

21

15

Gate (Tor)

34

 eines Halbleiterbauelementes

133

 Halbleiterbauelement

134

Gezogener

14

19

Gunn-Element

81

Feldeffekttransistor (FET)

100

Feldetffekttransistor mit isoliertem Gate

101

98

7

Fotodiode

127а

Fotothyristor

127г

Fototransistor

127б

Fotowiderstand

127в

Halbleiterbauelement

62

Halbleiterbegrenzerdiode

85

Halbleiterdemodulatordiode

84

Halbleiterdiode

66

68

Halbleitergleichrichterdiode

69

Halbleiter-HF-Schaltdiode

82

Halbleiterimpulsdiode

72

Halbleiterinjektionslaufzeitdiode

78

Halbleiterlawinenlaufzeitdiode

77

63

Halbleitermischdiode

80

Halbleitermodulatoridiode

87

Halbleiterrauschdiode

93

Halbleiterschaltdiode

79

Halbleiterspitzendiode

67

Halbleiterstrahler

120

Halbleitertunneidiode

74

Halbleiterunitunneldiode

75

Halbleitervaraktordiode

90

Halbleitervervielfacherdiode

86

Halbleiter-Z-Diode

91

16

Homogener

17

Infrarotemitterdiode (IRED)

127

Inversionsschicht

42

Kanal

31

89

Katodenanschluss eines Halbleiterbauelements

130

Katodenseitig gesteuerter Thyristor

116

Kollektorgebiet

28

22

11

Ladungsspeicherdiode

73

Lawinendurchbruch des

47

Lawinentransistor

99

Legierter

12

Lichtemitterdiode (LED)

122

Mesastruktur

38

Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur)

36

Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur)

37

Mikrolegierter

13

MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)

102

Modulation der Basisbreite

50

MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)

103

3

Ohmischer  

20

Optoelektronischer Koppler

121

Optoelektronischer Halbleiterbauelement

119

Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

30

PIN-Diode

83

10

2

4

8

 leitende Thyristordiode

108

 Ieitende Thyristordiode

112

 sperrende Thyristordiode

107

 sperrende Thyristordiode

111

Schottky-Diode

88

18

Source (Quelle)

32

Speicherung von  in der Basis

52

Sperrichtung des

44

Sperrschicht

40

Sperrzustand eines Thyristors

58

Spitzentransistor

97

Steiler

5

Stetiger

6

Steuerelektrode eines Halbleiterbauelementes

132

Struktur eines Halbleiterbauelementes

35

Thermischer Durchbruch des

49

Thyristor

105

Thyristordiode

106

Thyristordiode

110

Tunneldurchbruch des

48

UHF-Halbleiterdiode

76

Umschalten eines Thyristors

59

Verarmungsschicht

39

Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode

55

 eines Thyristors

60

Zweirichtungsthyristordiode

109

Zweirichtungsthyristortriode

113

Термин

Номер термина

Abrupt junction

5

Active part of base region

29

Alloyed junction

12

Anode terminal (of a semiconductor device)

131

Avalanche rectifier diode

69a

Avalanche reverse blocking thyristor

117a

Avalanche transistor

99

Barrier region (layer)

40

Base region

26

Base thickness modulation

50

Beam lead semiconductor device

134

Bi-directional diode thyristor

109

Bi-directional transistor

104

Bi-directional triode thyristor

113

Bipolar transistor

94

Breakdown of a P-N junction

45

Cathode terminal (of a semiconductor device)

130

Channel

31

Collector junction

22

Collector region

28

Controlled-avalanche rectifier diode

69б

Conversion junction

11

Depletion layer

39

Detector diode

84

Diffused junction

9

Diffusion transistor

95

Diode thyristor

106

Drain

33

Drift (diffused) transistor

96

Electrode (of a semiconductor device)

135а

Emitter junction

21

Emitter region

27

Enriched layer

41

Epitaxial junction

15

Excess carrier resorption (in the base)

53

Field-effect transistor

100

Forward direction (of a P-N junction)

43

Forward recovery

54

Gate

34

Gate terminal (of a semiconductor device)

132

Gate triggering of a thyristor

60

Gate turning-off of a thyristor

61

Graded junction

6

Grown junction

14

Gunn diode

81

Heterogenous junction

16

Homogenous junction

17

Impact avalanche-(and-) transit time diode

77

Infra-red-emitting diode

127

Injection-(and-) transit time diode

78

Insulated-gate FET

101

Intrinsic region

25

Inversion layer

42

Junction

1

Junction diode

68

Junction transistor

98

Light-emitting diode (LED)

122

Main terminal

129

Mesa-structure

38

Micro-alloy junction

13

Microwave diode

76

Microwave limiting diode

85

Minority carrier storage (in the base)

52

MIS-structure

36

MIS-transistor

102

MOS-structure

37

MOS-transistor

103

N-gate thyristor

117

N-N+ junction

3

N-region

24

Off-state of a thyristor

56

Ommic junction

20

On-state of a thyristor

57

Optocoupler

121

Package (case) (of a semiconductor device)

133

Passive part of base region

30

P-gate thyristor

116

Photocoupler

121

Photoconductive cell

127в

Photodiode

127а

Photothyristor

127г

Phototransistor

127б

PIN diode

83

Planar junction
 

10

P-N junction

2

(P-N junction) avalanche breakdown

47

P-N junction electrical breakdown

46

(P-N junction) thermal breakdown

49

Point-contact diode

67

Point-contact junction
 

8

Point-contact transistor

97

P-P junction

4

P-region

23

Pulse thyristor

118

Punch-through
 

51

Rectifying junction
 

19

Reverse blocking diode thyristor
 

107

Reverse blocking state of a thyristor
 

58

Reverse blocking triode thyristor

111

Reverse conducting diode thyristor

108

Reverse conducting triode thyristor

112

Reverse direction (of a P-N junction)

44

Reverse recovery

55

Schottky (-barrier) diode
 

88

Schottky junction
 

18

Semiconductor analog indicator
 

126

Semiconductor assembly
 

64

Semiconductor assembly set
 

65

Semiconductor character display

120а

Semiconductor device

62

Semiconductor diode

66

Semiconductor frequency multiplication diode

86

Semiconductor mixer diode

80

Semiconductor modulator diode

87

Semiconductor noise diode

93

Semiconductor optoelectronic device

119

Semiconductor optoelectronic display

126

Semiconductor parametric (amplifier) diode

90

Semiconductor photoemitter

120

Semiconductor power device

63

Semiconductor rectifier assembly

71

Semiconductor rectifier diode

69

Semiconductor rectifier stack

70

Signal diode

72

Snap-off (stec-recovery) diode

73

Source

32

Structure

35

Surface junction

7

Switching diode

79

Switching of a thyristor

59

Terminal (of a semiconductor device)

128

Thyristor

105

Triac

113

Triode thyristor

110

Tunnel diode

74

Turn-off thyristor

114

Unitunnel (backward) diode

75

Variable capacitance diode

89

Voltage reference diode

91

Zenner (tunnel) breakdown

48

Термин

Номер термина

Accumulation de porteurs  dans la base

52

Amorcage de thyristor

60

Anode

131

Assemblage  semiconducteurs

64

Assemblage de redressement ( semiconducteurs)

71

Bloc de redressement ( semiconducteurs)

70

Borne

128

Borne principale

129

Canal

31

Capsule

133

Cathode

130

Cellule photoinductive

127в

Claquage (d'une jonction P-N)

45

Claquage  (d'une jonction P-N)

46

Claquage par avalanche (d'une jonction P-N)

47

Claquage par effet thermique (d'une jonction P-N)

49

Claquage par effet Zenner (tunnel)

48

Commutation de thyristor

59

Couche de

39

Couche d'inversion

42

Couche enrichie

41

de thyristor

61

Diode  temps de transit

77

Diode  variable (varicape)

89

Diode  temps de transit

78

Diode  jonction

68

Diode  pointe

67

Diode  semiconducteurs

66

Diode  semiconducteurs pour forte puissance

63

Diode de bruit

93

Diode de commutation

79

Diode de limitation de

85

Diode de redressement

69

Diode de Schottky

88

Diode  semiconducteurs

84

Diode de tension de

91

Diode d'impulsion

72

Diode en infrarouge

127

Diode in

76

Diode Gunn

81

Diode

75

Diode

80

Diode modulatrice ( semiconducteurs)

87

Diode  ( semiconducteurs)

90

Diode PIN

83

Diode pour multiplication de

86

Diode tunnel

74

Dispositif  semiconducteur

119

Dispositif  semiconducteurs

62

Dispositif semiconducteur sans boitier

134

Drain

33

Etat  dans le sens inverse de thyristor

58

Etat  de thyristor

56

Etat passant de thyristor

57

Grille

34, 132

Jonction

1

Jonction abrupte

5

Jonction  diffusion

9

Jonction

12

Jonction  pointe

8

Jonction collecteur

22

Jonction de conversion

11

Jonction de croissance

14

Jonction de par surface

7

Jonction

21

Jonction

15

Jonction graduelle

6

Jonction

16

Jonction

17

Jonction

13

Jonction N-N

3

Jonction ohmique

20

Jonction planar

10

Jonction P-N

2

Jonction P-P

4

Jonction redresseuse

19

Jonction Schottky

18

Modulation   de base

50

51

Photocoupleur

121

Photodiode

127а

 semiconducteurs

120

Photothyristor

127г

Phototransistor

127б

Recouvrement direct

54

Recouvrement inverse

55

 active de base

29

 de

40

 de base

26

 de collecteur

28

 d'emetteur

27

25

 N

24

 Р

23

 passive de base

30

 de porteurs  dans la base

53

Sens direct (d'une jonction P-N)

43

Sens inverse (d'une jonction PN)

44

Source

32

Structure

35

38

Structure-MIS

36

Structure-MOS

37

Thyristor

105

Thyristor blocable

114

Thyristor diode

106

Thyristor diode bi-directionnel

109

Thyristor diode  en inverse

107

Thyristor diode passant en inverse

108

Thyristor N

117

Thyristor Р

116

Thyristor signal

118

Thyristor triode

110

Thyristor triode bi-directionnel

113

Thyristor triode  en inverse

111

Thyristor triode passant en inverse

112

Transistor  avalanche

99

Transistor  diffusion

95

Transistor  effet de champ

100

Transistor  effet de champ  grille

101

Transistor  jonction

98

Transistor  pointe

97

Transistor bi-directionnel

104

Transistor bipolaire

94

Transistor en

96

Transistor-MIS

102

Transistor-MOS

103

Номер пункта ГОСТ 15133-77

Номер пункта СТ СЭВ 2767-85

-

2.6

-

4.61

-

4.62