ГОСТ 18604.6-74*
(CT СЭВ 3998-83)

Группа Э29

    
    
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод измерения обратного тока эмиттера

Transistors. Method for measuring emitter reverse current

    
    
Дата введения 1976-01-01

    
    
    Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. N 1478 срок введения установлен с 01.01.76
    
    Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 N 184 срок действия продлен до 01.01.91**

________________

    ** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1454 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.
    
    ВЗАМЕН ГОСТ 10867-68
    
    * ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в апреле 1984 г. (ИУС 8-84).
    
    
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера (ток через переход эмиттер - база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА.
    
    Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998-83 в части измерения обратного тока эмиттера (справочное приложение).
    
    Общие условия при измерении обратного тока эмиттера должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.
    
    (Измененная редакция, Изм. N 1).
    
    

1. АППАРАТУРА

    
    1.1. Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерение с основной погрешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.
    
    Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
    
    Для импульсного метода измерения при использовании стрелочных приборов основная погрешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, для цифровых приборов - в пределах ±10% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
    
    1.2. Допускаются токи утечки в цепи коллектора, не приводящие к превышению основной погрешности измерения сверх значения, указанного в п.1.1.
    
    

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

    
    2.1. Структурная электрическая схема для измерения обратного тока эмиттера должна соответствовать указанной на чертеже.
    
    

- измеритель постоянного тока, - измеритель постоянного напряжения,
- напряжение источника питания эмиттера, - испытуемый транзистор

    
    
    (Измененная редакция, Изм. N 1).
    
    2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.
    
    2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока не должно превышать 5% от показаний измерителя постоянного напряжения .
    
    Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение источника питания на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении .
    
    2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока эмиттера не должна превышать 2%.
    
    Значение напряжения указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения .
    
    (Измененная редакция, Изм. N 1).
    
    2.3. Допускается проводить измерение мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.
    
    Измерение проводят по схеме, указанной в настоящем стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.
    
    2.3.1. Длительность импульса должна выбираться из соотношения
    

,

    
где ,

    
     - включение последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление внешней цепи (в том числе внутреннее сопротивление генератора импульсов);
    
     - емкость эмиттерного перехода испытуемого транзистора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
    
    (Измененная редакция, Изм. N 1).
    
    2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Длительность фронта импульса генератора должна быть
    

.

    
    2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.
    
    2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
    
    (Измененная редакция, Изм. N 1).
    
    2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.
    
    (Введен дополнительно, Изм. N 1).
    
    

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

    
    3.1. Обратный ток эмиттера измеряют следующим образом. От источника постоянного тока на эмиттер подают обратное напряжение и с помощью измерителя постоянного тока измеряют обратный ток эмиттера .
    
    Допускается измерять обратный ток по значению падения напряжения на калиброванном резисторе , включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблюдаться соотношение
    

.

    
    Если падение напряжения на резисторе превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение назначение, равное падению напряжения на резисторе .
    
    3.2. Порядок проведения измерения импульсным методом аналогичен указанному в п.3.1.
    
    3.3. При измерении импульсным методом должно быть исключено влияние выброса напряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал времени не менее 3 с момента начала импульса.
    
    

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

    
Информационные данные о соответствии ГОСТ 18604.6-74 СТ СЭВ 3998-83

    
    ГОСТ 18604.6-74 соответствует разд.2 СТ СЭВ 3998-83.
    
    (Введено дополнительно, Изм. N 1).