главная сделать стартовой в избранное
почта Моя жизнь помощь регистрация вход
Краснодар:
 погода
ноября
22
пятница,
Вход в систему
Логин:
Пароль: забыли?

Использовать мою учётную запись:
Вконтакте Mail.ru Одноклассники

Курсы

  • USD ЦБ 03.12 30.8099 -0.0387
  • EUR ЦБ 03.12 41.4824 -0.0244

Индексы

  • DJIA 03.12 12019.4 -0.01
  • NASD 03.12 2626.93 0.03
  • RTS 03.12 1545.57 -0.07

  отправить на печать


ГОСТ 19480-89

Группа Э00


МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ


МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Integrated circuits. Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters

     
     
МКС 01.040.31
        31.200
ОКСТУ 6301

Дата введения 1991-01-01

     
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

     
     1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электронной промышленности СССР
     
     РАЗРАБОТЧИКИ
     
     Л.Р.Хворостьян, В.Ф.Марушкин, Е.Ф.Мещанкин, Ю.В.Назаров, Л.С.Жирякова
     
     2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 21.12.89 N 3960
     
     3. Стандарт соответствует Публикациям МЭК 748-1, МЭК 748-2, МЭК 748-3 в части терминов, определений и буквенных обозначений параметров и СТ СЭВ 1817-88, СТ СЭВ 4755-84, СТ СЭВ 4756-84
     
     4. ВЗАМЕН ГОСТ 19480-74
     
     5. ПЕРЕИЗДАНИЕ
     
     
     Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.
     
     Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ.
     
     Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.
     
     1. Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл.1.
     
     2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
     
     Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп".
     
     2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
     
     2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
     
     2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе "Определение" поставлен прочерк.
     
     2.4. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (Е) и французском (F) языках.
     
     3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-4.
     
     4. Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.
     
     5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
     
     

Таблица 1

     

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест-
венное

междуна-
родное


ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

1. Параметр интегральной микросхемы

Параметр

Величина, характеризующая свойства или режимы работы интегральной микросхемы

2. Номинальное значение параметра интегральной микросхемы

Номинальное значение параметра

Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормативно-технической документации и являющееся исходным для отсчета отклонений

3. Диапазон значений параметра интегральной микросхемы

Диапазон значений параметра

-

Область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности

4. Допустимый диапазон значений параметра интегральной микросхемы

Допустимый диапазон значений параметра

-

Разброс значений параметра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации

5. Отклонение параметра интегральной микросхемы

Отклонение параметра

-

Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением

6. Относительное отклонение параметра интегральной микросхемы

Относительное отклонение параметра

-

Отношение отклонения параметра интегральной микросхемы к его номинальному значению

7. Напряжение (ток) управления интегральной микросхемы

Напряжение (ток) управления

-

Напряжение (ток), управляющее функциональным назначением интегральной микросхемы

8. Температурный коэффициент параметра интегральной микросхемы

Температурный коэффициент параметра

Отношение изменения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды

9. Нестабильность параметра интегральной микросхемы

Нестабильность параметра

-

Отношение относительного отклонения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его дистабилизирующему фактору

10. Максимальное значение параметра интегральной микросхемы

Максимальное значение параметра

Наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям

11. Минимальное значение параметра интегральной микросхемы

Минимальное значение параметра
     

Наименьшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

12. Напряжение питания интегральной микросхемы

Напряжение питания

Значение напряжения на выводах питания интегральной микросхемы

13. Входное напряжение интегральной микросхемы

Входное напряжение

Напряжение на входе интегральной микросхемы в заданном режиме

14. Выходное напряжение интегральной микросхемы

Выходное напряжение

Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданном режиме

15. Напряжение срабатывания интегральной микросхемы

Напряжение срабатывания

Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

16. Напряжение отпускания интегральной микросхемы

Напряжение отпускания

Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

17. Входной ток интегральной микросхемы

Входной ток

Ток, протекающий во входной цепи интегральной микросхемы в заданном режиме

18. Выходной ток интегральной микросхемы

Выходной ток

Ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме

19. Ток утечки интегральной микросхемы

Ток утечки

Ток в цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах

20. Ток потребления интегральной микросхемы

Ток потребления

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источников питания в заданном режиме

21. Ток короткого замыкания интегральной микросхемы

Ток короткого замыкания

E. Short-circuit current

F. Courant de court-circuit

Выходной ток интегральной микросхемы при закороченном выходе

22. Потребляемая мощность интегральной микросхемы

Потребляемая мощность

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме, от соответствующего источника питания

23. Рассеиваемая мощность интегральной микросхемы

Рассеиваемая мощность

Мощность, рассеиваемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме

24. Входное сопротивление интегральной микросхемы

Входное сопротивление

Отношение приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала

25. Выходное сопротивление интегральной микросхемы

Выходное сопротивление

Отношение приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала

26. Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы

Сопротивление нагрузки

Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы

27. Входная емкость интегральной микросхемы

Входная емкость

Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты

28. Выходная емкость интегральной микросхемы

Выходная емкость

Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты

29. Емкость нагрузки интегральной микросхемы

Емкость нагрузки

Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы

30. Время нарастания сигнала интегральной микросхемы

Время нарастания сигнала

Е. Rise time

G. Temps de croissance

Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

31. Время спада сигнала интегральной микросхемы

Время спада сигнала

E. Fall time

F. Temps de decroissance

Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

32. Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность фронта входного сигнала

-

Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 номинального значения

33. Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность спада входного сигнала

-

Интервал времени убывания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 номинального значения

34. Чувствительность интегральной микросхемы

Чувствительность

-

Наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям

     

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

35. Входное напряжение покоя интегральной микросхемы

Входное напряжение покоя

Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом

36. Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы

Выходное напряжение покоя

Постоянное напряжение на выходе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом

37. Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы

Напряжение коммутируемое

Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы

38. Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

Напряжение смещения нуля

E. Input offset voltage

F. Tension de

Постоянное напряжение, которое должно быть приложено ко входу интегральной микросхемы, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению

39. Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы

Напряжение шума на выходе

E. Output noise voltage

F. Tension de bruit en sortie

Напряжение собственного шума на выходе интегральной микросхемы

40. Приведенное ко входу напряжение шума интегральной микросхемы

Приведенное ко входу напряжение шума

Отношение напряжения собственного шума на выходе интегральной микросхемы при заданных условиях к коэффициенту усиления напряжения

41. Синфазные входные напряжения интегральной микросхемы

Синфазные входные напряжения

Напряжения между каждым из входов интегральной микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают

42. Входное напряжение ограничения интегральной микросхемы

Входное напряжение ограничения

Наименьшее значение входного напряжения интегральной микросхемы, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину

43. Остаточное напряжение интегральной микросхемы

Остаточное напряжение

Напряжение между входом и выходом интегральной микросхемы при включенном канале и заданном значении коммутируемого тока

44. Разность входных токов интегральной микросхемы

Разность входных токов

Разность значений токов, протекающих через дифференциальный вход интегральной микросхемы в заданном режиме

45. Средний входной ток интегральной микросхемы

Средний входной ток

Среднеквадратическое значение входных токов интегральной микросхемы

46. Коммутируемый ток интегральной микросхемы

Коммутируемый ток

Ток, протекающий через коммутирующий элемент интегральной микросхемы в замкнутом состоянии ключа

47. Выходная мощность интегральной микросхемы

Выходная мощность

Мощность, выделяемая на нагрузке интегральной микросхемы в заданном режиме

48. Нижняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы

Нижняя граничная частота полосы пропускания

Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте

49. Верхняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы

Верхняя граничная частота полосы пропускания

Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте

50. Частота коммутации интегральной микросхемы

Частота коммутации

Частота, с которой интегральная микросхема коммутирует ток

51. Центральная частота полосы пропускания интегральной микросхемы

Центральная частота полосы пропускания

Частота, равная полусумме нижней и верхней граничных частот полосы пропускания интегральной микросхемы

52. Полоса пропускания интегральной микросхемы

Полоса пропускания

Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления интегральной микросхемы не падает ниже 3 дБ по сравнению с усилением на заданной частоте внутри этого диапазона

53. Полоса задерживания интегральной микросхемы

Полоса задерживания

Диапазон частот между верхней и нижней частотами полосы задерживания интегральной микросхемы

54. Нижняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Нижняя частота полосы задерживания

Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

55. Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Верхняя частота полосы задерживания

Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

56. Частота единичного усиления интегральной микросхемы

Частота единичного усиления

Ндп. Полоса единичного усиления

E. Frequency of unity (open loop) amplification

F.  pour l'amplification

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице

57. Частота входного сигнала интегральной микросхемы

Частота входного сигнала

Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы или ее эксплуатацию

58. Частота генерирования интегральной микросхемы

Частота генерирования

-

59. Время успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения

E. Ripple time

F. Temps de vacillement

Интервал времени с момента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня

60. Время задержки импульса интегральной микросхемы

Время задержки

E. Delay time

F. Temps de

Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока

61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент усиления напряжения

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к входному напряжению

62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы

Коэффициент усиления тока

Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току

63. Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы

Коэффициент усиления мощности

Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности

64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент усиления синфазных входных напряжений

E. Common-mode voltage amplification

F. Amplification en tension en mode commun

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению

65. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений

E. Common-mode rejection ratio

F. Taux de  en mode commun

Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений

66. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля

Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания

67. Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы

Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению

E. Differential-mode voltage amplification

F. Amplification en tension en mode

Отношение изменения значения выходного напряжения интегральной микросхемы к изменению значения напряжения на дифференциальном входе в заданном режиме

68. Коэффициент гармоник интегральной микросхемы

Коэффициент гармоник

Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала интегральной микросхемы к среднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник

69. Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Диапазон АРУ

Отношение наибольшего значения коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к наименьшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах

70. Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Скорость нарастания выходного напряжения

Ндп. Скорость отслеживания

Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной формы

71. Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент прямоугольности АЧХ

-

Отношение полосы частот интегральной микросхемы на уровне 0,01 или 0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7

72. Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент пульсаций

-

Отношение амплитудного значения напряжения пульсаций интегральной микросхемы к значению постоянной составляющей напряжения

73. Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы

Коэффициент умножения частоты

-

Отношение частоты выходного сигнала интегральной микросхемы к частоте входного сигнала

74. Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы

Коэффициент деления частоты

-

Отношение частоты входного сигнала интегральной микросхемы к частоте выходного сигнала

75. Крутизна преобразования интегральной микросхемы

Крутизна преобразования

     

-

Отношение выходного тока смесителя к вызвавшему его приращению входного напряжения при заданном напряжении гетеродина интегральной микросхемы

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ И КОМПАРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ

76. Максимальное выходное напряжение интегральной микросхемы

Максимальное выходное напряжение

Выходное напряжение интегральной микросхемы при заданном сопротивлении нагрузки и напряжении входного сигнала, когда его приращение не вызывает приращения выходного напряжения

77. Напряжение шума интегральной микросхемы

Напряжение шума

Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю

78. Эффективное напряжение шума интегральной микросхемы

Эффективное напряжение шума

Отношение шума на выходе, выраженного в эффективных значениях напряжения в заданной полосе частот, к коэффициенту усиления интегральной микросхемы

79. Размах шума интегральной микросхемы

Размах шума

Разность между максимальными значениями пиков шума противоположного знака в заданной полосе частот на выходе интегральной микросхемы, повторяющихся в заданном интервале времени при входном напряжении, равном нулю

80. Нормированная электродвижущая сила шума интегральной микросхемы

Нормированная ЭДС шума

Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов, сопротивление которых стремится к нулю, к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума

81. Нормированный ток шума интегральной микросхемы

Нормированный ток шума

Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов заданного сопротивления к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума

82. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения

Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения

83. Частота среза интегральной микросхемы

Частота среза

E. Open-loop cut-off frequency

F.  de coupure en boucle ouverte

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается до 0,707 значения на заданной частоте

84. Частота полной мощности интегральной микросхемы

Частота полной мощности

Частота, на которой значение максимального выходного напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте

85. Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы

Время успокоения выходного напряжения

Время с момента достижения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины

86. Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы

Коэффициент разделения каналов

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала

87. Временной коэффициент входного тока интегральной микросхемы

Временной коэффициент входного тока

Отношение изменения входного тока интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

88. Временной коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы

Временной коэффициент разности входных токов

Отношение изменения разности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

89. Временной коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы

Временной коэффициент напряжения смещения нуля
     

Отношение изменения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ, ПРОМЕЖУТОЧНОЙ И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

90. Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон входных напряжений

E. Input voltage operating range

F. Domaine de fonctionnement de la tension  

Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального

91. Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение АРУ

Напряжение на регулирующем входе интегральной микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах

92. Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение задержки АРУ

 

Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным

93. Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы

Напряжение пульсаций источника питания

Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания интегральной микросхемы

94. Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Ток АРУ

Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах

95. Частота резонанса интегральной микросхемы

Частота резонанса

Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает максимальное значение

96. Частота квазирезонанса интегральной микросхемы

Частота квазирезонанса

-

Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает минимальное значение

97. Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности)



 



 

Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющего электрического сигнала

98. Динамический диапазон по напряжению интегральной микросхемы

Динамический диапазон по напряжению

Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению выходного напряжения

99. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики

Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики интегральной микросхемы относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону

100. Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент неравномерности АЧХ

Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания, выраженное в децибелах

101. Коэффициент шума интегральной микросхемы

Коэффициент шума

Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе интегральной микросхемы к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот

102. Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы

Коэффициент интермодуляционных искажений

Отношение среднеквадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах

103. Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы

Коэффициент полезного действия

Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к потребляемой мощности

104. Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы

Крутизна проходной характеристики

Отношение выходного тока к вызвавшему его входному напряжению в заданном электрическом режиме интегральной микросхемы

105. Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы

Отношение сигнал/шум

Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот

106. Фазовый сдвиг интегральной микросхемы

Фазовый сдвиг

Ндп. Сдвиг фаз

     

Разность между фазами выходного и входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
НЕПРЕРЫВНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА

107. Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон выходных напряжений

E. Output voltage operating range

F. Domaine de fonctionnement de la tension de sortie

Интервал значений выходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы

108. Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы

Напряжение считывания обратной связи

E. Feedback sense voltage

F. Tension de lecture de

-

Напряжение, являющееся функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы

109. Опорное напряжение интегральной микросхемы

Опорное напряжение

E. Reference voltage

F. Tension de

Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой

110. Падение напряжения на интегральной микросхеме

Падение напряжения

-

Разность между входным и выходным напряжением интегральной микросхемы в заданном режиме

111. Минимальное падение напряжения на интегральной микросхеме

Минимальное падение напряжения

-

Наименьшее значение падения напряжения на интегральной микросхеме, при котором параметр интегральной микросхемы удовлетворяет заданным требованиям

112. Ток холостого хода интегральной микросхемы

Ток холостого хода

Ток потребления интегральной микросхемы при отсутствии нагрузки на выходе

113. Время готовности интегральной микросхемы

Время готовности

Интервал времени от момента подачи входного напряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовлетворяют заданным требованиям

114. Время восстановления по напряжению интегральной микросхемы

Время восстановления по напряжению

E. Input transient voltage recovery time

F. Temps de recouvrement de la tension transitoire

Интервал времени от момента ступенчатого изменения входного напряжения интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащий в себе конечное значение

115. Время восстановления по току интегральной микросхемы

Время восстановления по току

E. Input transient curtent recovery time

F. Temps de recouvrement du courant transitoire

Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащих в себе конечное значение

116. Взаимная нестабильность по напряжению интегральной микросхемы

Взаимная нестабильность по напряжению

Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении входного или выходного напряжения на другом канале, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

117. Взаимная нестабильность по току интегральной микросхемы

Взаимная нестабильность по току

Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении выходного тока на другом канале, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

118. Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы

Нестабильность по напряжению

Относительное изменение значения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы при изменении входного напряжения, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

119. Нестабильность по току интегральной микросхемы

Нестабильность по току

Относительное изменение значения выходного напряжения интегральной микросхемы при изменении выходного тока, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

Нестабильность по нагрузке

-

Относительное изменение значения выходного тока интегральной микросхемы при изменении сопротивления нагрузки, приведенное к 1 Ом изменения сопротивления нагрузки, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

121. Коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации входного напряжения

E. Input stabilization coefficient

F. Coefficient de stabilisation en fonction de la tension

Отношение относительного изменения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы к заданному относительному изменению входного напряжения при отсутствии других дестабилизирующих факторов

122. Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации нагрузки

E. Load stabilization coefficient

F. Coefficient de stabilisation en fonction de la charge

Отношение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к заданному относительному изменению выходного тока при отсутствии других дестабилизирующих факторов

123. Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент сглаживания пульсаций

E. Ripple rejection ratio

F. Taux de  de l'ondulation

Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты интегральной микросхемы к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты

124. Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы

Дрейф выходного напряжения

E. Output voltage drift

F.  de la tension de sortie

Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов

125. Дрейф выходного тока интегральной микросхемы
     
Дрейф выходного тока

E. Output current drift

F.  du courant de sortie

Наибольшее значение относительного изменения выходного тока интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов

126. Температурный коэффициент выходного тока интегральной микросхемы

Температурный коэффициент выходного тока

Отношение относительного изменения выходного тока к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса при отсутствии других дестабилизирующих факторов

     

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ СТАБИЛИЗАТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ

127. Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы

Напряжение гистерезиса

Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания интегральной микросхемы

128. Напряжение синхронизации интегральной микросхемы

Напряжение синхронизации

-

Напряжение, подаваемое на синхронизирующий вход интегральной микросхемы, при котором рабочая частота интегральной микросхемы равна или кратна частоте напряжения синхронизации

129. Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы

Полоса захвата синхронизации

-

Максимальное относительное отклонение собственной частоты коммутации от частоты синхронизирующего сигнала, при котором обеспечивается работа интегральной микросхемы на частоте синхронизирующего сигнала

130. Коммутируемая мощность интегральной микросхемы

Коммутируемая мощность

-

Значение мощности, определяемое как произведение коммутируемого напряжения на среднеквадратическое значение коммутируемого тока, в заданном режиме интегральной микросхемы

131. Коэффициент передачи интегральной микросхемы

Коэффициент передачи

-

Отношение абсолютного значения изменения выходного напряжения усилителя рассогласования интегральной микросхемы к абсолютному изменению входного напряжения
     

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ КОММУТАТОРОВ И КЛЮЧЕЙ

132. Управляющее напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Управляющее напряжение низкого уровня

Максимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее разомкнутое состояние ключа интегральной микросхемы

133. Управляющее напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Управляющее напряжение высокого уровня

Минимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее замкнутое состояние ключа интегральной микросхемы

134. Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы

Ток утечки аналогового входа

Постоянный ток, протекающий через аналоговый вход (входы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)

135. Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы

Ток утечки аналогового выхода

Постоянный ток, протекающий через аналоговый выход (выходы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)

136. Входной ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы

Входной ток низкого уровня управляющего напряжения

Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них) управляющего напряжения низкого уровня

137. Входной ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы

Входной ток высокого уровня управляющего напряжения

Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них) управляющего напряжения высокого уровня

138. Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения

Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения низкого уровня

139. Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения

Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы, при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения высокого уровня

140. Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы

Сопротивление в открытом состоянии

Отношение падения напряжения между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы к вызвавшему его току при включенном канале

141. Время включения интегральной микросхемы

Время включения

Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения

142. Время выключения интегральной микросхемы

Время выключения

Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения

143. Время переключения интегральной микросхемы

Время переключения

Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме параллельного переключения

144. Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы

Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе

Максимальная амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы, работающей в режиме переключения при отсутствии коммутируемого напряжения

145. Емкость управляющего входа интегральной микросхемы

Емкость управляющего входа

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход, интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

146. Емкость аналогового входа интегральной микросхемы

Емкость аналогового входа

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

147. Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы

Емкость аналогового выхода

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

148. Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы

Емкость между аналоговыми выходом и входом

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

149. Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы

Частота управляющего напряжения

Частота напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы при заданной скважности, при которой значения выходного напряжения низкого и высокого уровней удовлетворяют заданным значениям

150. Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом интегральной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом

Отношение переменной составляющей выходного напряжения закрытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей коммутируемого напряжения

151. Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала между каналами

Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения

152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы

Коэффициент передачи по напряжению

     

Отношение напряжения на выходе интегральной микросхемы к заданному значению коммутируемого напряжения при включенном канале

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

153. Напряжение -го источника питания интегральной микросхемы

Напряжение -го источника питания

Напряжение -го источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы в заданном режиме.

Примечание. - порядковый номер источника. =1-4

154. Входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Входное напряжение низкого уровня

Напряжение низкого уровня на входе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение низкого уровня - наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение

155. Входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Входное напряжение высокого уровня

Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение высокого уровня - наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение

156. Прямое падение напряжения на антизвонном диоде интегральной микросхемы

Прямое падение напряжения на антизвонном диоде

Напряжение на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока через защитный диод

157. Выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Выходное напряжение высокого уровня

-

158. Выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Выходное напряжение низкого уровня

-

159. Ток потребления -го источника питания интегральной микросхемы

Ток потребления -го источника питания

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от -го источника питания в заданном режиме

160. Динамический ток потребления интегральной микросхемы

Динамический ток потребления

Ток потребления интегральной микросхемы в режиме переключения

161. Входной ток низкого уровня интегральной микросхемы

Входной ток низкого уровня

Входной ток при входном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы

162. Входной ток высокого уровня интегральной микросхемы

Входной ток высокого уровня

Входной ток при входном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы

163. Выходной ток высокого уровня интегральной микросхемы

Выходной ток высокого уровня

Выходной ток при выходном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы

164. Выходной ток низкого уровня интегральной микросхемы

Выходной ток низкого уровня

Выходной ток при выходном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы

165. Выходной ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы

Выходной ток в состоянии "Выключено"

Выходной ток интегральной микросхемы с тремя состояниями на выходе при выключенном состоянии выхода

166. Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы

Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено"

Выходной ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы при подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня

167. Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы

Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено"

Выходной ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня

168. Ток утечки на входе интегральной микросхемы

Ток утечки на входе

Ток во входной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

169. Ток утечки на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки на выходе

Ток в выходной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

170. Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы

Ток утечки низкого уровня на входе

Ток утечки во входной цепи интегральной микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

171. Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы

Ток утечки высокого уровня на входе

Ток утечки во входной цепи интегральной микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

172. Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки низкого уровня на выходе

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

173. Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки высокого уровня на выходе

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

174. Потребляемая мощность -го источника питания интегральной микросхемы

Потребляемая мощность -го источника питания

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от -го источника питания

175. Время перехода при включении интегральной микросхемы

Время перехода при включении

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения

176. Время перехода при выключении интегральной микросхемы

Время перехода при выключении

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения

177. Время выбора интегральной микросхемы

Время выбора

Интервал времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации

178. Время сохранения сигнала интегральной микросхемы

Время сохранения

E. Valid time

F. Temps de validation

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным

179. Время хранения информации интегральной микросхемы

Время хранения информации

Интервал времени, в течение которого интегральная микросхема в заданном режиме эксплуатации сохраняет информацию

180. Время установления входных сигналов интегральной микросхемы

Время установления входных сигналов

E. Set-up time

F. Temps de

Интервал времени между началом сигнала на заданном выводе входа и последующим активным переходом на другом заданном выводе входа

181. Время цикла интегральной микросхемы

Время цикла

E. Cycle time

F. Temps de cycle

Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которой интегральная микросхема выполняет одну из функций

182. Время восстановления интегральной микросхемы

Время восстановления

Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе интегральной микросхемы и началом заданного сигнала следующего цикла

183. Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы

Время задержки распространения при включении

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения

184. Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы

Время задержки распространения при выключении

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения

185. Время задержки включения интегральной микросхемы

Время задержки включения

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения

186. Время задержки выключения интегральной микросхемы

Время задержки выключения

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения

187. Длительность сигнала интегральной микросхемы

Длительность сигнала

Интервал времени между заданными контрольными точками по фронтам импульса интегральной микросхемы

188. Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы

Длительность сигнала низкого уровня

Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения

189. Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы

Длительность сигнала высокого уровня

Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения

190. Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы

Частота следования импульсов тактовых сигналов

-

191. Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы

Период следования импульсов тактовых сигналов

Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения

192. Помехоустойчивость при низком уровне сигнала интегральной микросхемы

Помехоустойчивость при низком уровне сигнала

Абсолютное значение разности между максимальным входным напряжением низкого уровня и максимальным выходным напряжением низкого уровня интегральной микросхемы

193. Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала интегральной микросхемы

Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала

Абсолютное значение разности между минимальным входным напряжением высокого уровня и минимальным выходным напряжением высокого уровня интегральной микросхемы

194. Емкость входа/выхода интегральной микросхемы

Емкость входа/выхода

Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное или выходное напряжение при заданном значении частоты сигнала

     

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ И СХЕМ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ

195. Выходное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Выходное пороговое напряжение высокого уровня

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе

196. Выходное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Выходное пороговое напряжение низкого уровня

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе

197. Входное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Входное пороговое напряжение высокого уровня

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

198. Входное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Входное пороговое напряжение низкого уровня

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

199. Входное напряжение блокировки интегральной микросхемы

Входное напряжение блокировки

Наименьшее значение напряжения на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока

200. Входной пробивной ток интегральной микросхемы

Входной пробивной ток

Входной ток при максимальном напряжении на входе интегральной микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме

201. Ток потребления выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении низкого уровня

202. Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении высокого уровня

203. Средний ток потребления интегральной микросхемы

Средний ток потребления

Ток, равный полусумме токов, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состояниях

204. Средняя потребляемая мощность интегральной микросхемы

Средняя потребляемая мощность

Мощность, равная полусумме мощностей, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состояниях

205. Среднее время задержки распространения интегральной микросхемы

Среднее время задержки распространения

Интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения сигнала при включении и выключении интегральной микросхемы

206. Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено"

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии "Выключено"

207. Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено"

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии "Выключено"

208. Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению высокого уровня

209. Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению низкого уровня

210. Рабочая частота интегральной микросхемы

Рабочая частота

Частота сигнала, подаваемого на вход интегральной микросхемы при заданных скважности и условиях на других входах, при которой на выходе обеспечиваются заданные уровни напряжений

211. Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы

Коэффициент разветвления по выходу

Число единичных нагрузок, которое можно одновременно подключить к выходу интегральной микросхемы.

Примечание. Единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем

212. Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы

Коэффициент объединения по входу

     

Число входов интегральной микросхемы, по которым реализуется логическая функция

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

213. Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интегральной микросхемы

Напряжение инжектора при заданном токе инжектора

-

214. Максимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Максимальное входное напряжение низкого уровня

Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы

215. Максимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Максимальное входное напряжение высокого уровня

Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы

216. Минимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Минимальное входное напряжение низкого уровня

Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы

217. Минимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Минимальное входное напряжение высокого уровня

Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы

218. Максимальное выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Максимальное выходное напряжение низкого уровня

Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы

219. Минимальное выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Минимальное выходное напряжение высокого уровня

Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы

220. Ток инжектора интегральной микросхемы

Ток инжектора

Ток в цепи вывода питания, необходимый для работы интегральной микросхемы в заданном режиме

221. Ток потребления в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы

Ток потребления в состоянии "Выключено"

Ток потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода.

Примечание. Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе
     

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

222. Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы

Напряжение питания в режиме хранения

Напряжение источника питания, необходимое для хранения информации интегральной микросхемы

223. Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала входной информации

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

224. Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

225. Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала входной информации

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

226. Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выходной информации

Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы

227. Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации

Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню

228. Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации

Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню

229. Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение сигнала записи

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему

230. Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала записи

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему

231. Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала записи

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется операция записи информации в интегральную микросхему

232. Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение сигнала считывания

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы

233. Напряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала считывания

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы

234. Напряжение высокого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала считывания

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы

235. Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение сигнала разрешения

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции

236. Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала разрешения

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции

237. Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала разрешения

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции

238. Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение сигнала адреса

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы

239. Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала адреса

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы

240. Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала адреса

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы

241. Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

Напряжение сигнала запись-считывание

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания

242. Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание

Наибольшее значение напряжения на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания

243. Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания

244. Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала выбора интегральной микросхемы

245. Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы

246. Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы

247. Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы

Напряжение тактового сигнала

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе тактового сигнала, обеспечивающее работу интегральной микросхемы в определенный интервал времени

248. Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов

Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

249. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов

Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню

250. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов

Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню

251. Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора адреса строк

Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

252. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк

Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню

253. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк

Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню

254. Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы

Напряжение сигнала стирания

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала "стирание" интегральной микросхемы, обеспечивающее стирание информации

255. Напряжение сигнала программирования интегральной микросхемы

Напряжение сигнала программирования

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала программирования интегральной микросхемы, обеспечивающее изменение информации в программируемых запоминающих устройствах с перепрограммированием

256. Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы

Ток потребления в режиме хранения

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника или источников питания в режиме хранения информации

257. Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток сигнала входной информации

Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы

258. Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала входной информации

Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню

259. Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня сигнала входной информации

Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню

260. Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток сигнала выходной информации

Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы

261. Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала выходной информации

Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню

262. Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня сигнала выходной информации

Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню

263. Ток сигнала записи интегральной микросхемы

Ток сигнала записи

Ток в цепи сигнала записи интегральной микросхемы

264. Ток сигнала считывания интегральной микросхемы

Ток сигнала считывания

Ток в цепи сигнала считывания интегральной микросхемы

265. Ток сигнала адреса интегральной микросхемы

Ток сигнала адреса

Ток в цепи сигнала адреса интегральной микросхемы

266. Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

Ток сигнала запись-считывание

Ток в цепи сигнала запись-считывание интегральной микросхемы в заданном режиме

267. Ток сигнала выбора интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора

Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы

268. Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток низкого уровня по входу выбора

Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню

269. Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток высокого уровня по входу выбора

Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню

270. Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы

Ток сигнала разрешения

Ток в цепи сигнала разрешения интегральной микросхемы

271. Ток сигнала стирания интегральной микросхемы

Ток сигнала стирания

Ток в цепи сигнала стирания интегральной микросхемы

272. Ток тактового сигнала интегральной микросхемы

Ток тактового сигнала

Ток в цепи импульсного питания интегральной микросхемы динамических запоминающих устройств

273. Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора адреса столбцов

Ток в цепи сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

274. Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора адреса строк

Ток в цепи сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

275. Динамическая потребляемая мощность интегральной микросхемы

Динамическая потребляемая мощность

Потребляемая мощность интегральной микросхемы в заданном динамическом режиме

276. Потребляемая мощность в режиме хранения интегральной микросхемы

Потребляемая мощность в режиме хранения

Потребляемая мощность интегральной микросхемы в режиме хранения от источников питания

277. Время выборки интегральной микросхемы

Время выборки

E. Access time

F. Temps

Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы

278. Время удержания сигнала интегральной микросхемы

Время удержания

E. Hold time

F. Temps de maintien

Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном выводе входа после активного перехода на другом заданном выводе входа

279. Время цикла записи информации интегральной микросхемы

Время записи информации

Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет запись информации

280. Время цикла считывания информации интегральной микросхемы

Время считывания

Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет считывание информации

281. Время регенерации интегральной микросхемы

Время регенерации

E. Refresh time interval

F. Intervalle de temps de

Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения

     
     

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


     
Таблица 2

     

Термин

Номер термина

Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе

144

Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы

144

Время включения

141

Время включения интегральной микросхемы

141

Время выключения

142

Время выключения интегральной микросхемы

142

Время восстановления

182

Время восстановления интегральной микросхемы

182

Время восстановления по напряжению

114

Время восстановления по напряжению интегральной микросхемы

114

Время восстановления по току

115

Время восстановления по току интегральной микросхемы

115

Время выбора

177

Время выбора интегральной микросхемы

177

Время выборки

277

Время выборки интегральной микросхемы

277

Время готовности

113

Время готовности интегральной микросхемы

113

Время задержки включения

185

Время задержки включения интегральной микросхемы

185

Время задержки выключения

186

Время задержки выключения интегральной микросхемы

186

Время задержки

60

Время задержки импульса интегральной микросхемы

60

Время задержки распространения интегральной микросхемы среднее

205

Время задержки распространения при включении

183

Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы

183

Время задержки распространения при выключении

184

Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы

184

Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня

209

Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня

208

Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено"

206

Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено"

207

Время задержки распространения среднее

205

Время записи информации

279

Время нарастания сигнала

30

Время нарастания сигнала интегральной микросхемы

30

Время переключения

143

Время переключения интегральной микросхемы

143

Время перехода при включении

175

Время перехода при включении интегральной микросхемы

175

Время перехода при выключении

176

Время перехода при выключении интегральной микросхемы

176

Время регенерации

281

Время регенерации интегральной микросхемы

281

Время сохранения

178

Время сохранения сигнала интегральной микросхемы

178

Время спада сигнала

31

Время спада сигнала интегральной микросхемы

31

Время считывания

280

Время удержания

278

Время удержания интегральной микросхемы

278

Время успокоения

59

Время успокоения интегральной микросхемы

59

Время успокоения выходного напряжения

85

Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы

85

Время установления входных сигналов

180

Время установления входных сигналов интегральной микросхемы

180

Время хранения информации

179

Время хранения информации интегральной микросхемы

179

Время цикла

181

Время цикла записи информации интегральной микросхемы

279

Время цикла интегральной микросхемы

181

Время цикла считывания информации интегральной микросхемы

280

Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

69

Диапазон АРУ

69

Диапазон входных напряжений

90

Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

90

Диапазон выходных напряжений

107

Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы

107

Диапазон значений параметра

3

Диапазон значений параметра допустимый

4

Диапазон значений параметра интегральной микросхемы

3

Диапазон значений параметра интегральной микросхемы допустимый

4

Диапазон по напряжению динамический

98

Диапазон по напряжению интегральной микросхемы динамический

98

Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности

97

Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности интегральной микросхемы

97

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения

97

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы

97

Диапазон регулировки коэффициента усиления тока

97

Диапазон регулировки коэффициента усиления тока интегральной микросхемы

97

Длительность сигнала

187

Длительность сигнала высокого уровня

189

Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы

189

Длительность сигнала интегральной микросхемы

187

Длительность сигнала низкого уровня

188

Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы

188

Длительность спада входного сигнала

33

Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы

33

Длительность фронта входного сигнала

32

Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы

32

Дрейф выходного напряжения

124

Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы

124

Дрейф выходного тока

125

Дрейф выходного тока интегральной микросхемы

125

Емкость аналогового входа

146

Емкость аналогового входа интегральной микросхемы

146

Емкость аналогового выхода

147

Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы

147

Емкость входа/выхода

194

Емкость входа/выхода интегральной микросхемы

194

Емкость входная

27

Емкость выходная

28

Емкость интегральной микросхемы входная

27

Емкость интегральной микросхемы выходная

28

Емкость нагрузки

29

Емкость нагрузки интегральной микросхемы

29

Емкость между аналоговыми выходом и входом

148

Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы

148

Емкость управляющего входа

145

Емкость управляющего входа интегральной микросхемы

145

Значение параметра интегральной микросхемы максимальное

10

Значение параметра интегральной микросхемы минимальное

11

Значение параметра интегральной микросхемы номинальное

2

Значение параметра максимальное

10

Значение параметра минимальное

11

Значение параметра номинальное

2

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля

66

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

66

Коэффициент входного тока временной

87

Коэффициент входного тока интегральной микросхемы временной

87

Коэффициент выходного тока интегральной микросхемы температурный

126

Коэффициент выходного тока температурный

126

Коэффициент гармоник

68

Коэффициент гармоник интегральной микросхемы

68

Коэффициент деления частоты

74

Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы

74

Коэффициент интермодуляционных искажений

102

Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы

102

Коэффициент напряжения смещения нуля временной

89

Коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы временной

89

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики

99

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы

99

Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

100

Коэффициент неравномерности АЧХ

100

Коэффициент объединения по входу

212

Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы

212

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений

65

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

65

Коэффициент параметра интегральной микросхемы температурный

8

Коэффициент параметра температурный

8

Коэффициент передачи

131

Коэффициент передачи интегральной микросхемы

131

Коэффициент передачи по напряжению

152

Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы

152

Коэффициент подавления сигнала между каналами

151

Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы

151

Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом

150

Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом интегральной микросхемы

150

Коэффициент полезного действия

103

Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы

103

Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

71

Коэффициент прямоугольности АЧХ

71

Коэффициент пульсаций

72

Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы

72

Коэффициент разветвления по выходу

211

Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы

211

Коэффициент разделения каналов

86

Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы

86

Коэффициент разности входных токов временной

88

Коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы временной

88

Коэффициент сглаживания пульсаций

123

Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы

123

Коэффициент стабилизации входного напряжения

121

Коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы

121

Коэффициент стабилизации нагрузки

122

Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микросхемы

122

Коэффициент умножения частоты

73

Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы

73

Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению

67

Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы

67

Коэффициент усиления мощности

63

Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы

63

Коэффициент усиления напряжения

61

Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы

61

Коэффициент усиления синфазных входных напряжений

64

Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

64

Коэффициент усиления тока

62

Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы

62

Коэффициент шума

101

Коэффициент шума интегральной микросхемы

101

Крутизна преобразования

75

Крутизна преобразования интегральной микросхемы

75

Крутизна проходной характеристики

104

Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы

104

Мощность в режиме хранения интегральной микросхемы потребляемая

276

Мощность в режиме хранения потребляемая

276

Мощность выходная

47

Мощность интегральной микросхемы выходная

47

Мощность интегральной микросхемы коммутируемая

130

Мощность интегральной микросхемы потребляемая

22

Мощность интегральной микросхемы потребляемая динамическая

275

Мощность интегральной микросхемы потребляемая средняя

204

Мощность интегральной микросхемы рассеиваемая

23

Мощность -го источника питания интегральной микросхемы потребляемая

174

Мощность -го источника питания потребляемая

174

Мощность коммутируемая

130

Мощность потребляемая

22

Мощность потребляемая динамическая

275

Мощность потребляемая средняя

204

Мощность рассеиваемая

23

Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

91

Напряжение АРУ

91

Напряжение блокировки входное

199

Напряжение блокировки интегральной микросхемы входное

199

Напряжение входное

13

Напряжение высокого уровня входное

155

Напряжение высокого уровня входное максимальное

215

Напряжение высокого уровня входное минимальное

217

Напряжение высокого уровня выходное

157

Напряжение высокого уровня выходное минимальное

219

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное

155

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное максимальное

215

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное минимальное

217

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы выходное

157

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы выходное минимальное

219

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы пороговое входное

197

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы пороговое выходное

195

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы управляющее

133

Напряжение высокого уровня пороговое входное

197

Напряжение высокого уровня пороговое выходное

195

Напряжение высокого уровня сигнала адреса

240

Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

240

Напряжение высокого уровня сигнала входной информации

225

Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

225

Напряжение высокого уровня сигнала выбора

246

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов

250

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

250

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк

253

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

253

Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы

246

Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации

228

Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

228

Напряжение высокого уровня сигнала записи

231

Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы

231

Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание

243

Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

243

Напряжение высокого уровня сигнала разрешения

237

Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы

237

Напряжение высокого уровня сигнала считывания

234

Напряжение высокого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы

234

Напряжение высокого уровня управляющее

133

Напряжение выходное

14

Напряжение выходное максимальное

76

Напряжение гистерезиса

127

Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы

127

Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

92

Напряжение задержки АРУ

92

Напряжение инжектора при заданном токе инжектора

213

Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интегральной микросхемы

213

Напряжение интегральной микросхемы входное

13

Напряжение интегральной микросхемы выходное

14

Напряжение интегральной микросхемы выходное максимальное

76

Напряжение интегральной микросхемы коммутируемое

37

Напряжение интегральной микросхемы опорное

109

Напряжение интегральной микросхемы остаточное

43

Напряжение -го источника питания

153

Напряжение -го источника питания интегральной микросхемы

153

Напряжение коммутируемое

37

Напряжение низкого уровня входное

154

Напряжение низкого уровня входное максимальное

214

Напряжение низкого уровня входное минимальное

216

Напряжение низкого уровня выходное

158

Напряжение низкого уровня выходное максимальное

218

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное

154

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное максимальное

214

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное минимальное

216

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы выходное

158

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы выходное максимальное

218

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы пороговое входное

198

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы пороговое выходное

196

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы управляющее

132

Напряжение низкого уровня пороговое входное

198

Напряжение низкого уровня пороговое выходное

196

Напряжение низкого уровня сигнала адреса

239

Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

239

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации

224

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

224

Напряжение низкого уровня сигнала выбора

245

Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы

245

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов

249

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

249

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк

252

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

252

Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации

227

Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

227

Напряжение низкого уровня сигнала записи

230

Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной микросхемы

230

Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание

242

Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывания интегральной микросхемы

242

Напряжение низкого уровня сигнала разрешения

236

Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы

236

Напряжение низкого уровня сигнала считывания

233

Напряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы

233

Напряжение низкого уровня управляющее

132

Напряжение ограничения входное

42

Напряжение ограничения интегральной микросхемы входное

42

Напряжение опорное

109

Напряжение остаточное

43

Напряжение отпускания

16

Напряжение отпускания интегральной микросхемы

16

Напряжение питания

12

Напряжение питания в режиме хранения

222

Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы

222

Напряжение питания интегральной микросхемы

12

Напряжение покоя входное

35

Напряжение покоя выходное

36

Напряжение покоя интегральной микросхемы входное

35

Напряжение покоя интегральной микросхемы выходное

36

Напряжение пульсаций источника питания

93

Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы

93

Напряжение сигнала адреса

238

Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы

238

Напряжение сигнала входной информации

223

Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы

223

Напряжение сигнала выбора

244

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов

248

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

248

Напряжение сигнала выбора адреса строк

251

Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

251

Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы

244

Напряжение сигнала выходной информации

226

Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы

226

Напряжение сигнала записи

229

Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы

229

Напряжение сигнала запись-считывание

241

Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

241

Напряжение сигнала программирования

255

Напряжение сигнала программирования интегральной микросхемы

255

Напряжение сигнала разрешения

235

Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы

235

Напряжение сигнала стирания

254

Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы

254

Напряжение сигнала считывания

232

Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы

232

Напряжение синхронизации

128

Напряжение синхронизации интегральной микросхемы

128

Напряжение смещения нуля

38

Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

38

Напряжение срабатывания

15

Напряжение срабатывания интегральной микросхемы

15

Напряжение считывания обратной связи

108

Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы

108

Напряжение тактового сигнала

247

Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы

247

Напряжение управления

7

Напряжение управления интегральной микросхемы

7

Напряжение шума

77

Напряжение шума интегральной микросхемы

77

Напряжение шума интегральной микросхемы эффективное

78

Напряжение шума на выходе

39

Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы

39

Напряжение шума, приведенное ко входу

40

Напряжение шума, приведенное ко входу интегральной микросхемы

40

Напряжение шума эффективное

78

Напряжения входные синфазные

41

Напряжения интегральной микросхемы входные синфазные

41

Нестабильность параметра

9

Нестабильность параметра интегральной микросхемы

9

Нестабильность по нагрузке

120

Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

120

Нестабильность по напряжению

118

Нестабильность по напряжению взаимная

116

Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы

118

Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы взаимная

116

Нестабильность по току

119

Нестабильность по току взаимная

117

Нестабильность по току интегральной микросхемы

119

Нестабильность по току интегральной микросхемы взаимная

117

Отклонение параметра

5

Отклонение параметра интегральной микросхемы

5

Отклонение параметра интегральной микросхемы относительное

6

Отклонение параметра относительное

6

Отношение сигнал/шум

105

Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы

105

Падение напряжения

110

Падение напряжения минимальное

111

Падение напряжения на антизвонном диоде интегральной микросхемы прямое

156

Падение напряжения на антизвонном диоде прямое

156

Падение напряжения на интегральной микросхеме

110

Падение напряжения на интегральной микросхеме минимальное

111

Параметр

1

Параметр интегральной микросхемы

1

Период следования импульсов тактовых сигналов

191

Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы

191

Полоса единичного усиления

56

Полоса задерживания

53

Полоса задерживания интегральной микросхемы

53

Полоса захвата синхронизации

129

Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы

129

Полоса пропускания

52

Полоса пропускания интегральной микросхемы

52

Помехоустойчивость при высоком уровне

193

Помехоустойчивость при высоком уровне интегральной микросхемы

193

Помехоустойчивость при низком уровне

192

Помехоустойчивость при низком уровне интегральной микросхемы

192

Размах шума

79

Размах шума интегральной микросхемы

79

Разность входных токов

44

Разность входных токов интегральной микросхемы

44

Сдвиг интегральной микросхемы фазовый

106

Сдвиг фаз

106

Сдвиг фазовый

106

Сила шума интегральной микросхемы электродвижущая нормированная

80

Скорость нарастания выходного напряжения

70

Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

70

Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы максимальная

82

Скорость нарастания выходного напряжения максимальная

82

Скорость отслеживания

70

Сопротивление в открытом состоянии

140

Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы

140

Сопротивление входное

24

Сопротивление выходное

25

Сопротивление интегральной микросхемы входное

24

Сопротивление интегральной микросхемы выходное

25

Сопротивление нагрузки

26

Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы

26

Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

94

Ток АРУ

94

Ток в состоянии "Выключено" выходной

165

Ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы выходной

165

Ток входной

17

Ток входной пробивной

200

Ток входной средний

45

Ток высокого уровня в состоянии "Выключено" выходной

167

Ток высокого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы выходной

167

Ток высокого уровня входной

162

Ток высокого уровня выходной

163

Ток высокого уровня интегральной микросхемы входной

162

Ток высокого уровня интегральной микросхемы выходной

163

Ток высокого уровня по входу выбора

269

Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

269

Ток высокого уровня сигнала входной информации

259

Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

259

Ток высокого уровня сигнала выходной информации

262

Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

262

Ток высокого уровня управляющего напряжения входной

137

Ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы выходной

137

Ток выходной

18

Ток инжектора

220

Ток инжектора интегральной микросхемы

220

Ток интегральной микросхемы входной

17

Ток интегральной микросхемы входной пробивной

200

Ток интегральной микросхемы входной средний

45

Ток интегральной микросхемы выходной

18

Ток интегральной микросхемы коммутируемый

46

Ток коммутируемый

46

Ток короткого замыкания

21

Ток короткого замыкания интегральной микросхемы

21

Ток низкого уровня в состоянии "Выключено" выходной

166

Ток низкого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы выходной

166

Ток низкого уровня входной

161

Ток низкого уровня выходной

164

Ток низкого уровня интегральной микросхемы входной

161

Ток низкого уровня интегральной микросхемы выходной

164

Ток низкого уровня по входу выбора

268

Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

268

Ток низкого уровня сигнала входной информации

258

Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

258

Ток низкого уровня сигнала выходной информации

261

Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

261

Ток низкого уровня управляющего напряжения входной

136

Ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы входной

136

Ток потребления

20

Ток потребления в режиме хранения

256

Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы

256

Ток потребления в состоянии "Выключено"

221

Ток потребления в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы

221

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня

202

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы

202

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня

201

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы

201

Ток потребления динамический

160

Ток потребления интегральной микросхемы

20

Ток потребления интегральной микросхемы динамический

160

Ток потребления -го источника питания

159

Ток потребления -го источника питания интегральной микросхемы

159

Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения

139

Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

139

Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения

138

Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

138

Ток потребления средний

203

Ток потребления интегральной микросхемы средний

203

Ток сигнала адреса

265

Ток сигнала адреса интегральной микросхемы

265

Ток сигнала выбора

267

Ток сигнала выбора интегральной микросхемы

267

Ток сигнала выбора адреса столбцов

273

Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

273

Ток сигнала выбора адреса строк

274

Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

274

Ток сигнала входной информации

257

Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы

257

Ток сигнала выходной информации

260

Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы

260

Ток сигнала записи

263

Ток сигнала записи интегральной микросхемы

263

Ток сигнала запись-считывание

266

Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

266

Ток сигнала разрешения

270

Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы

270

Ток сигнала стирания

271

Ток сигнала стирания интегральной микросхемы

271

Ток сигнала считывания

264

Ток сигнала считывания интегральной микросхемы

264

Ток тактового сигнала

272

Ток тактового сигнала интегральной микросхемы

272

Ток управления

7

Ток управления интегральной микросхемы

7

Ток утечки

19

Ток утечки аналогового входа

134

Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы

134

Ток утечки аналогового выхода

135

Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы

135

Ток утечки высокого уровня на входе

171

Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы

171

Ток утечки высокого уровня на выходе

173

Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы

173

Ток утечки интегральной микросхемы

19

Ток утечки на входе

168

Ток утечки на входе интегральной микросхемы

168

Ток утечки на выходе

169

Ток утечки на выходе интегральной микросхемы

169

Ток утечки низкого уровня на входе

170

Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы

170

Ток утечки низкого уровня на выходе

172

Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы

172

Ток холостого хода

112

Ток холостого хода интегральной микросхемы

112

Ток шума нормированный

81

Ток шума интегральной микросхемы нормированный

81

Частота входного сигнала

57

Частота входного сигнала интегральной микросхемы

57

Частота генерирования

58

Частота генерирования интегральной микросхемы

58

Частота единичного усиления

56

Частота единичного усиления интегральной микросхемы

56

Частота интегральной микросхемы рабочая

210

Частота квазирезонанса

96

Частота квазирезонанса интегральной микросхемы

96

Частота коммутации

50

Частота коммутации интегральной микросхемы

50

Частота полной мощности

84

Частота полной мощности интегральной микросхемы

84

Частота полосы задерживания верхняя

55

Частота полосы задерживания интегральной микросхемы верхняя

55

Частота полосы задерживания интегральной микросхемы нижняя

54

Частота полосы задерживания нижняя

54

Частота полосы пропускания граничная верхняя

49

Частота полосы пропускания граничная нижняя

48

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная верхняя

49

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная нижняя

48

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы центральная

51

Частота полосы пропускания центральная

51

Частота рабочая

210

Частота резонанса

95

Частота резонанса интегральной микросхемы

95

Частота следования импульсов тактовых сигналов

190

Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы

190

Частота среза

83

Частота среза интегральной микросхемы

83

Частота управляющего напряжения

149

Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы

149

Чувствительность

34

Чувствительность интегральной микросхемы

34

ЭДС шума нормированная

80

     
     

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ


     
Таблица 3

     

Термин

Номер термина

Access time

277

Common-mode rejection ratio

65

Common-mode voltage amplification

64

Cycle time

181

Delay time

60

Differential-mode voltage amplification

67

Fall time

31

Feedback sense voltage

108

Frequency of unity (open loop) amplification

56

Hold time

278

Input offset voltage

38

Input stabilization coefficient

121

Input transient current recovery time

115

Input transient voltage recovery time

114

Input voltage operating range

90

Load stabilization coefficient

122

Open-loop cut-off freguency

83

Output current drift

125

Output noise voltage

39

Output voltage drift

124

Output voltage operating range

107

Reference voltage

109

Refresh time interval

281

Ripple rejection ratio

123

Ripple time

59

Rise time

30

Set-up time

180

Short-circuit current

21

Valid time

178

     
     

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ


     
Таблица 4

     

Термин

Номер термина

Amplification en tension en mode commun

64

Amplification en tension en mode  

67

Coefficient de stabilisation en fonction de la charge

122

Coefficient de stabilisation en fonction de la tension  

121

Courant de court-circuit

21

 de la tension de sortie

124

 du courant de sortie

125

Domaine de fonctionnement de la tension  

90

Domaine de fonctionnement de la tension de sortie

107

 de coupure en boucle ouverte

83

 pour l'amplification  

56

Intervalle de temps de rafrachissement

281

Taux de  en mode commun

65

Taux de  de l'ondulation  

123

Temps  

277

Temps de croissance

30

Temps de cycle

181

Temps de decroissance

31

Temps de  

60

Temps de maintien

278

Temps de  

180

Temps de recourement de la tension transitoire  

114

Temps de recouvrement du courant transitoire  

115

Temps de vacillement

59

Temps de validation

178

Tension de bruit en sortie

39

Tension de  

38

Tension de lecture de contre

108

Tension de  

109

     
     
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

     

МЕТОДИКА ОБРАЗОВАНИЯ БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ПРОИЗВОДНЫХ ПАРАМЕТРОВ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

     
     1. Для буквенных обозначений производных параметров используют следующий способ записи: *,
     
где  - буквенное обозначение параметра, установленное настоящим стандартом;
          

     ,  - подстрочные индексы буквенных обозначений входных и (или) выходных сигналов, приведенных в табл.5;
                
     ,  - цифровые индексы соответствующих входов и (или) выходов, равные 0, 1, 2, 3 ..., где  - число входов и (или) выходов.
________________
     * Данный способ записи используют для микропроцессорных интегральных микросхем.
     
     При однозначном понимании допускаются следующие сокращенные формы записи: ; ; ; .
     
     Для обозначений временных параметров сигналов необходимо использовать следующий способ записи: ,
     
где  - вид временного параметра;
     
      - порядковый номер параметра (1, 2 ...);
     
      - наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл.6, состояние которого изменяется первым;
     
      - направление перехода сигнала ;
     
      - наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл.6, состояние которого изменяется последним, т.е. в конце временного интервала;
     
      - направление перехода сигнала ;
     
      - дополнительная информация в соответствии с перечнем, приведенным в табл.9.
     
     Для направления перехода сигнала  и  используют обозначения в соответствии с табл.5.
     
     При однозначном понимании допускается первый индекс в обозначении направления перехода сигнала  и  опускать.
     
     

Таблица 5

Наименование направления перехода сигнала

Обозначение

отечественное

международное

Для перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня

01

LH

Для перехода из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня

10

HL

     
     
Таблица 6

     

Наименование сигнала

Обозначение

отечественное

международное

СИГНАЛЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

1. Адрес

а

А

2. Выбор микросхемы

в.м

CS

3. Запись

зп

WR

4. Считывание (чтение)

сч

RD

5. Тактовый

т

C

6. Разрешение

р

CE

7. Запись-считывание

зп.сч

WR/RD

8. Адрес-данные

а.д

AD

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

9. Авария источника питания

а.и.п

PSB

10. Авария сети питания

а.с.п

PNB

11. Арифметический сдвиг

а.с.д

AS

12. Асинхронный

асх

ASYN

13. Вектор

вс

REC

14. Внешний

вн

EXT

15. Вывод для подключения кварцевого резонатора

K1

K2

BQ1

BQ2

16. Выход

вых

O

17. Вход

вх

I

18. Блокировка

бл

DE

19. Ведомый

вдм

SV

20. Ведущий

вдщ

MS

21. Восстановление

вс

REC

22. Вычитание

вч

SUB

23. Генерация

гн

GEN

24. Готовность

гт

RA

25. Графический символ

гс

GRS

26. Данные

д

D

27. Деление

дл

DIV

28. Декремент 1

-1

DEC1

29. Декремент 2

-2

DEC2

30. Доступ

дс

AC

31. Запрос

зпр

RQ

32. Заем

зм

BR

33. Зависание

звс

HG

34. Задатчик

зд

DR

35. Захват

зх

TR

36. Знак

зн

SI

37. Инкремент 1

+1

INC1

38. Инкремент 2

+2

INC2

39. Инкремент 1/Декремент 1

+1/-1

INC1/DEC1

40. Исполнитель

исп

PF

41. Инструкция (команда)

км

INS

42. Канал (шина)

кн

B

43. Канал занят

к.зт

BUSY

44. Квитирование

кв

AK

45. Конец

к

END

46. Код

код

CODE

47. Логический сдвиг

л.с

LSH

48. Логическая операция

л.о

LOP

49. Маркер

мр

MR

50. Маскирование

мс

MK

51. Микрооперация

моп

MOP

52. Микрокоманда

мк

MINS

53. Младший

мл

LSB

54. Множитель

мнж

MPLX

55. Множимое

мже

MPLY

56. Максимальный

max

MX

57. Минимальный

min

MN

58. Начало исполнения команды

нк

STINS

59. Начало исполнения микрокоманды

н.мк

NMKINR

60. Немаскируемое прерывание

н.пр

NMK

61. Нуль

нул

Z

62. Ожидание

жд

WT

63. Останов

ост

HLT

64. Обратный ход

об.х

RVM

65. Операция

оп

OP

66. Ответ

отв

AN

67. Ошибка

ош

ER

68. Перенос

пс

CR

69. Переполнение

пп

CF

70. Передача

пч

T

71. Подтверждение

п

ACK

72. Прямой доступ к памяти

п.д.п.

DMA

73. Повтор

пвт

RP

74. Продолжение

прд

CN

75. Предварительный заряд

п.з

PSN

76. Приоритет

пт

PR

77. Прием

пм

R

78. Прерывание

пр

INR

79. Пуск

пск

ST

80. Порт

п

P

81. Расширение

рш

EX

82. Распространение переноса

рпс

SPCR

83. Равенство нулю

р.н

ZR

84. Регистр команд

р.к

RGINS

85. Режим

реж

MO

86. Регистр микрокоманд

р.мк

RGMINS

87. Результат

рез

RZ

88. Сброс

сбр

SR

89. Сдвиг

сд

SH

90. Сдвиг влево

сд.л

SHL

91. Сдвиг вправо

сд.п

SHR

92. Синхронизация

с

SYN

93. Состояние

сс

SA

94. Строб

ст

ST

95. Сложение

сл

SM

96. Строка

стр

R

97. Следующий

слд

NEXT

98. Стек

ск

SK

99. Старший

ср

MSB

100. Средний

сд

ML

101. Тактовый вход

т.в

CI

102. Тактовый выход

т.вых

CO

103. Тестирование (проверка)

т

TEST

104. Условие

усл

CC

105. Условный бит (флаг)

ус.б

PL

106. Управление

упр

CN

107. Ускоренный перенос

уск.п

RSR

108. Установка в состояние  

уст

Sn

109. Умножение

умн

MPL

110. Управление

у

CO

111. Цикл

цкл

CY

112. Циклический сдвиг

ц.сд

CYSH

113. Чтение

чт

RD

114. Фаза

ф

F

115. Экран

э

RT

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

116. Выбор адреса строки

в.а.с.

RAS

117. Выбор адреса столбца

в.а.к

CAS

118. Входная информация

вх.и

D

119. Выходная информация

вых.и

Q

120. Входная/выходная информация

вх.и/вых.и

DQ

121. Запись-считывание

зп/сч

WR

122. Разрешение выхода

р.вых

OE

123. Программирование

прг

PR

     
     
     2. Для микросхем с тремя состояниями на выходе для направления перехода сигнала  и  используют обозначения в соответствии с табл.7.
     
     

Таблица 7

     

Наименование направления перехода сигнала

Обозначение

отечественное

международное

Для перехода из третьего состояния в состояние высокого уровня

31

ZH

Для перехода из состояния высокого уровня в третье состояние

13

HZ

Для перехода из состояния низкого уровня в третье состояние

03

LZ

Для перехода из третьего состояния в состояние низкого уровня

30

ZL

     
     
     При однозначном понимании допускается использовать сокращенные формы записи для временных параметров сигналов:
     

.

     
     3. Примеры обозначения производных параметров и их буквенных обозначений приведены в табл.8.
          
     

Таблица 8

     

Наименование параметра


 



 

Производное обозначение

отечест- венное

между- народное
 

отечест- венное

между- народное

отечест- венное

между- народное

1. Входное напряжение низкого уровня сигнала прерывания

пр

INR

2. Выходное напряжение высокого уровня сигнала синхронизации третьего канала

с.кн3

SYN, B3

3. Максимальное входное напряжение высокого уровня сигнала маскирования 1-го разряда

max мc1

max MK1

4. Время установления сигнала квитирования "Принято" относительно сигнала "Выдача"

(кп-вд)

(TR-RCAK)

5. Время сохранения сигнала адреса относительно сигнала данных

(д-а)

(D-A)

     
     
Таблица 9

     

Режим работы

Буквенное обозначение

отечественное

международное

Запись

зп

WR

Считывание

сч

RD

Считывание-запись

сч/зп

RD/WR

Запись-считывание

зп/сч

WR/RD

Считывание по страницам

сч.стр

P

Слоговый режим

сл.р

N

Запись по страницам

зп.стр

PW

Считывание-модификация-запись

сч.м.зп

RMW

Регенерация

рг

REF

Программирование

прг

PR

Стирание

ст

ER

     
    
     
Электронный текст документа

  отправить на печать

Личный кабинет:

доступно после авторизации

Календарь налогоплательщика:

ПнВтСрЧтПтСбВс
01 02 03
04 05 06 07 08 09 10
11 12 13 14 15 16 17
18 19 20 21 22 23 24
25 26 27 28 29 30

Заказать прокат автомобилей в Краснодаре со скидкой 15% можно через сайт нашего партнера – компанию Автодар. http://www.avtodar.ru/

Светлана Бессараб: все социальные обязательства государства будут выполнены
Создайте свой интернет-магазин на новой платформе ReadyScript
Хостинг, домены, VPS/VDS, размещение серверов
Что это?
RuFox.ru - голосования онлайн
добавить голосование

наверх
© 2007-2024 ООО «РуФокс» о проекте вакансии хостинг создание сайтов реклама на сайте наши партнеры сообщить об ошибке