- USD ЦБ 03.12 30.8099 -0.0387
- EUR ЦБ 03.12 41.4824 -0.0244
Краснодар:
|
погода |
ГОСТ 28111-89
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
МИКРОСБОРКИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ
Термины и определения
Bubble memory device. Terms and definitions
MКC 01.040.31
31.200
ОКСТУ 6301
Дата введения 1990-07-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТЧИКИ
Э.С.Зиборов (руководитель темы); В.Н.Зубков; Г.Д.Пучкова; В.П.Сушков; Н.П.Самров; Э.И.Багдасарьянц; В.Г.Таширов; П.И.Набокин
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 24.04.89 N 1058
3. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
4. Срок первой проверки - 1994 г.
5. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
Обозначение НТД, на который дана ссылка |
Номер пункта |
ГОСТ 19693-74 |
Вводная часть |
1 |
6. ПЕРЕИЗДАНИЕ
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области микросборок на цилиндрических магнитных доменах.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
Настоящий стандарт должен применяться совместно с ГОСТ 19693.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп".
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе "Определение" поставлен прочерк.
2.4. В табл.1 приведены в качестве справочных буквенные обозначения к ряду терминов.
2.5. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском языке.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл.2-3.
4. Термины и определения общих понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении.
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблица 1
Термин |
Определение |
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ | |
1. Магнитоэлектронное изделие на цилиндрических магнитных доменах |
Магнитоэлектронное изделие, в котором для хранения и обработки информации используются цилиндрические магнитные домены |
2. Цилиндрический магнитный домен |
Домен цилиндрической формы, намагниченность которого параллельна и противоположна направлению намагниченности окружающего магнитного материала |
3. Жесткий цилиндрический магнитный домен |
Цилиндрический магнитный домен, имеющий сложную структуру доменной границы и большую поверхностную плотность энергии границы, более высокое поле коллапса и меньшую подвижность |
4. Несквозной цилиндрический магнитный домен |
Цилиндрический магнитный домен, доменная граница которого выходит только на одну из поверхностей магнитного слоя или не выходит ни на одну из поверхностей |
5. Информационный цилиндрический магнитный домен |
Цилиндрический магнитный домен, используемый как носитель информации |
6. Неинформационный цилиндрический магнитный домен |
Цилиндрический магнитный домен, не используемый как носитель информации |
7. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах |
По ГОСТ 25492 |
8. Микросборка на цилиндрических магнитных доменах |
Конструктивно законченные и неремонтируемые магнитоэлектронные изделия на ЦМД или его составная часть, определяющая назначение и принципы функционирования изделия |
9. ЦМД-накопитель |
Микросборка ЦМД или совокупность микросборок ЦМД и электронное обрамление, обеспечивающие информационную емкость запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах |
10. ЦМД-сигнал |
Двоичный сигнал, представленный наличием или отсутствием цилиндрического магнитного домена |
11. ЦМД-материал |
Магнитоодноосный материал, в котором существуют цилиндрические магнитные домены |
12. ЦМД-пластина |
Пластина из ЦМД-материала или пластина, состоящая из немагнитной подложки с выращенным на ней ЦМД-материалом |
13. Монокристаллическая пленка феррита-граната |
ЦМД-материал в виде слоя монокристаллического феррита со структурой граната |
14. Дефект МПФГ |
Дефект поверхности или магнитный дефект монокристаллической пленки феррита-граната |
15. Дефект поверхности МПФГ |
Неоднородность поверхности монокристаллической пленки феррита-граната, видимая в оптический микроскоп при заданных увеличении и апертуре объектива, кроме частиц на поверхности |
16. Магнитный дефект МПФГ |
Область локального изменения свойств монокристаллической пленки феррита-граната, вызванного неоднородностью ее структуры, характеризующаяся локальным увеличением коэрцитивной силы или несанкционированными зарождением, уничтожением или изменением скорости движения ЦМД |
17. Подложка МПФГ |
Немагнитная пластина, на которой выращивается монокристаллическая пленка феррита-граната |
18. Решетка ЦМД |
Упорядоченная совокупность ЦМД в виде правильной плоской решетки |
19. Напряженность магнитного поля зарождения ЦМД |
Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая зарождению цилиндрического магнитного домена |
20. Напряженность магнитного поля коллапса ЦМД |
Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая исчезновению цилиндрического магнитного домена |
21. Напряженность магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД |
Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая переходу цилиндрического магнитного домена в полосовой домен |
ПАРАМЕТРЫ ЦМД-МАТЕРИАЛА | |
22. Характеристическая длина ЦМД-материала |
Отношение поверхностной плотности энергии доменной границы к объемной плотности магнитостатической энергии ЦМД-материала |
23. Фактор качества ЦМД-материала |
Отношение напряженности поля одноосной магнитной анизотропии ЦМД-материала к намагниченности технического насыщения |
24. Динамическая коэрцитивная сила |
Параметр, равный критическому значению |
25. Скорость насыщения доменной границы |
Скорость доменной границы, существенно не изменяющаяся при увеличении напряженности продвигающего доменную границу поля |
26. Область устойчивости ЦМД |
Параметр, равный разности напряженностей магнитного поля коллапса ЦМД и магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД |
27. Равновесная ширина полосового домена |
Средняя ширина полосового домена, соответствующая абсолютному минимуму энергии размагниченной монокристаллической пленки феррита-граната |
28. Угол отклонение оси легкого намагничивания МПФГ |
Угол между осью легкого намагничивания и нормалью к поверхности монокристаллической пленки феррита-граната |
29. Номинальный диаметр ЦМД |
Диаметр цилиндрического магнитного домена в середине области устойчивости ЦМД |
30. Толщина МПФГ |
- |
КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
31. ЦМД-кристалл |
Часть ЦМД-пластины с нанесенной на нее схемой управления цилиндрическими магнитными доменами |
32. Плата микросборки ЦМД |
Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для закрепления одного или нескольких ЦМД-кристаллов и соединения их с выводами микросборки ЦМД |
33. Корпус микросборки ЦМД |
Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для защиты от внешнего воздействия, экранирования от внешних магнитных полей и замыкания магнитного поля смещения микросборки ЦМД |
34. Система постоянных магнитов микросборки ЦМД |
Часть конструкции микросборки ЦМД, являющаяся источником поля смещения |
35. Растекатель микросборки ЦМД |
Часть системы постоянных магнитов микросборки ЦМД, выполненная из магнитомягкого материала, предназначенная для повышения однородности поля смещения |
36. Катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
Система катушек микросборки ЦМД, при пропускании через которые токов заданной формы осуществляется продвижение цилиндрических магнитных доменов |
37. Вывод микросборки ЦМД |
Элемент конструкции микросборки ЦМД, предназначенный для ее электрического соединения с внешними электрическими цепями и механического крепления |
38. Контактная площадка ЦМД-кристалла |
Металлизированный участок на ЦМД-кристалле, служащий для присоединения выводов ЦМД-кристалла, а также для контроля исправности его электрических цепей |
39. Вывод ЦМД-кристалла |
Элемент конструкции микросборки ЦМД, соединенный с контактной площадкой ЦМД-кристалла и предназначенный для электрического соединения ЦМД-кристалла и платы микросборки ЦМД |
40. Ферромагнитная аппликация |
Пленочная аппликация из ферромагнитного материала, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатической ловушки. |
41. Токовая аппликация |
Пленочная проводниковая аппликация, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатической ловушки |
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
42. Схема управления ЦМД |
Совокупность аппликаций или локальных изменений структуры ЦМД-материала или их комбинированная совокупность, служащие для осуществления функциональных операций с цилиндрическими магнитными доменами при воздействии полей и токов |
43. Функциональный узел ЦМД-кристалла |
Часть схемы управления ЦМД, предназначенная для реализации определенной функции |
44. Схема продвижения ЦМД |
Часть схемы управления ЦМД, определяющая траекторию продвижения цилиндрического магнитного домена |
45. Элемент продвижения ЦМД |
Токовая аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-материала, предназначенные для перемещения цилиндрических магнитных доменов по схеме продвижения |
46. Элемент сопряжения схемы продвижения ЦМД |
Аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-материала, предназначенные для соединения прямолинейных участков схемы продвижения цилиндрических магнитных доменов при изменении их направления продвижения |
47. Магнитостатическая ловушка |
Локализованная зона ЦМД-кристалла с меньшим значением напряженности магнитного поля смещения, вызванная существованием магнитных полей, параллельных и противоположно направленных полю смещения, и служащая для удержания цилиндрических магнитных доменов |
48. Генератор ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для зарождения цилиндрических магнитных доменов |
49. Узел считывания микросборки ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, осуществляющий подготовку ЦМД-сигнала к регистрации и преобразование его в электрический выходной сигнал микросборки ЦМД |
50. Детектор ЦМД |
Часть узла считывания микросборки ЦМД, предназначенная для формирования выходного сигнала микросборки ЦМД |
51. Рабочий детектор ЦМД |
Часть детектора ЦМД, предназначенная для выделения ЦМД-сигнала и преобразования его в электрический сигнал |
52. Компенсационный детектор ЦМД |
Часть детектора ЦМД, предназначенная для компенсации электрического сигнала, наводимого в рабочем детекторе ЦМД вращающимся магнитным полем |
53. Расширитель ЦМД |
Часть узла считывания микросборки ЦМД, осуществляющая растягивание цилиндрического магнитного домена в полосовой домен с целью увеличения выходного сигнала микросборки ЦМД |
54. Аннигилятор ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для уничтожения цилиндрических магнитных доменов |
55. Регистр хранения информации микросборки ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для накопления и хранения цилиндрических магнитных доменов |
56. Регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для связи элементов управления цилиндрическими магнитными доменами с регистрами хранения информации при записи и считывании информации |
57. Регистр ввода информации микросборки ЦМД |
Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации от генератора ЦМД в регистры хранения информации микросборки ЦМД |
58. Регистр вывода информации микросборки ЦМД |
Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации из регистров хранения к узлу считывания микросборки ЦМД |
59. Репликатор ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для деления цилиндрического магнитного домена на два, а также для ввода цилиндрического магнитного домена в регистр хранения и вывода из него |
60. Переключатель ввода-вывода ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для ввода информации в виде наличия или отсутствия цилиндрического магнитного домена в регистры хранения информации микросборки ЦМД и вывода информации из них |
61. Переключатель вывода ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для вывода информации из регистров хранения в регистр вывода или регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
62. Переключатель ввода ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для перевода информации из регистра ввода или регистра ввода-вывода в регистр хранения информации микросборки ЦМД |
63. Обменный переключатель ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для обмена информацией между регистром хранения и регистром ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
64. Реверсивный переключатель ввода-вывода ЦМД |
Функциональный узел ЦМД-кристалла, осуществляющий функции переключателя ввода или переключателя вывода ЦМД при изменении направления вращающегося магнитного поля |
65. Защитный массив ЦМД-кристалла |
Совокупность ферромагнитных аппликаций и (или) локальных изменений структуры ЦМД-кристалла, охватывающих рабочую зону ЦМД-кристалла для ее экранирования и вывода неинформационных ЦМД |
ОРГАНИЗАЦИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД | |
66. Последовательная структура микросборки ЦМД |
Организация микросборки ЦМД в виде одного автономного регистра хранения информации микросборки ЦМД |
67. Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД |
Организация микросборки ЦМД в виде совокупности регистров хранения информации микросборки ЦМД, объединенных регистром или регистрами ввода и вывода информации микросборки ЦМД |
68. Структура микросборки ЦМД с замкнутым регистром ввода-вывода |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены одним замкнутым регистром ввода и вывода информации микросборки ЦМД |
69. Структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-вывода |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены раздельными регистрами ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
70. Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации микросборки ЦМД |
71. Структура микросборки ЦМД с блочным реплицированием |
Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой совокупность регистров хранения информации микросборки ЦМД разделена на определенное число блоков |
ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
72. Вращающееся магнитное поле микросборки ЦМД |
Магнитное поле, вектор напряженности которого вращается в плоскости ЦМД-кристалла, служащее для продвижения цилиндрических магнитных доменов |
73. Магнитное поле смещения микросборки ЦМД |
Постоянное магнитное поле, создаваемое системой постоянных магнитов микросборки ЦМД, перпендикулярное к плоскости ЦМД-кристалла |
74. Поле управления ЦМД |
Переменное магнитное поле, возникающее в ЦМД-кристалле при подаче импульсов тока в элементы управления и осуществляющее функциональные операции с цилиндрическими магнитными доменами при наличии вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
75. Страница данных микросборки ЦМД |
Последовательность информационных ЦМД, определяемая количеством регистров хранения информации микросборки ЦМД и выводимая из регистров хранения в одном такте вращающегося магнитного поля |
76. Дефектный регистр хранения информации микросборки ЦМД |
Регистр хранения информации микросборки ЦМД, имеющий технологический дефект и неспособный накапливать и хранить цилиндрические магнитные домены |
77. Резервные регистры хранения информации микросборки ЦМД |
Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД, предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла, за счет которых обеспечивается, при наличии дефектных регистров, номинальная информационная емкость микросборки ЦМД |
78. Служебные регистры хранения информации микросборки ЦМД |
Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД, предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла, используемые по усмотрению потребителя для обнаружения и исправления ошибок и хранения карты дефектных регистров |
79. Карта дефектных регистров хранения информации |
Перечень номеров дефектных регистров хранения информации микросборки ЦМД |
80. Режим "старт-стоп" микросборки ЦМД |
Режим работы и контроля микросборки ЦМД, при котором вращающееся магнитное поле останавливается в определенной фазе, с которой в дальнейшем оно возобновляется. |
81. Удерживающее поле микросборки ЦМД |
Проекция поля смещения в плоскости ЦМД-кристалла, получаемая наклоном ЦМД-кристалла к плоскости постоянных магнитов и служащая для сохранения информации при отключении питания микросборки ЦМД |
ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЕ РАБОТУ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
82. Электронное обрамление ЗУ на ЦМД |
Система функциональных электронных блоков, обеспечивающая функционирование микросборок ЦМД и ЦМД-накопителей и их совместимость с внешними устройствами |
83. Линейное обрамление ЦМД-накопителя |
Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая формирование токов управления функциональными узлами ЦМД-кристалла и усиление выходных сигналов микросборки ЦМД |
84. Контроллер ЗУ на ЦМД |
Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая заданные режимы работы запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах и организацию связи с интерфейсом внешних систем |
ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД | |
85. Одноуровневое исполнение ЦМД-кристалла |
Исполнение ЦМД-кристалла, при котором функциональные узлы и коммутационную разводку изготавливают из пермаллоевого слоя на одном уровне |
86. Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла |
- |
87. Планарное исполнение ЦМД-кристалла |
Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором все магнитопленочные элементы располагаются в одном уровне |
88. Непланарное исполнение ЦМД-кристалла |
Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором часть магнитопленочных элементов приподнята над токовыми элементами управления |
89. Квазипланарное исполнение ЦМД-кристалла |
Многоуровневое построение ЦМД-кристалла, при котором геометрический рельеф топологического элемента сглаживается диэлектрическим слоем более чем на половину толщины элемента |
ПАРАМЕТРЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
90. Время считывания страницы данных микросборки ЦМД |
Интервал времени, в течение которого все цилиндрические магнитные домены страницы данных проходят через детектор ЦМД |
91. Выходное напряжение высокого уровня микросборки ЦМД |
Значение напряжения высокого уровня на выходе микросборки ЦМД при считывании информации |
92. Выходное напряжение низкого уровня микросборки ЦМД |
Значение напряжения низкого уровня на выходе микросборки ЦМД при считывании информации |
93. Среднее время выборки микросборки ЦМД |
Время выборки первого бита средней страницы данных микросборки ЦМД |
94. Период вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
Интервал времени, за который вектор вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД делает поворот на 360° |
95. Рабочая частота микросборки ЦМД |
Частота вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
96. Потребляемая мощность микросборки ЦМД |
Средняя мощность, потребляемая микросборкой ЦМД при наиболее характерном режиме обращения к микросборке ЦМД |
97. Область устойчивой работы микросборки ЦМД |
Совокупность значений параметров микросборки ЦМД в допустимых пределах их изменений, обеспечивающая функционирование микросборки ЦМД |
98. Рабочий диапазон температур микросборки ЦМД |
Диапазон температур окружающей среды или на корпусе микросборки ЦМД, при котором обеспечиваются требуемые характеристики микросборки ЦМД |
99. Диапазон температур хранения информации микросборки ЦМД |
Диапазон температур, пребывание в котором микросборки ЦМД с записанной информацией и отключенным питанием не вызывает потерь информации |
ПАРАМЕТРЫ РЕЖИМА ЭКСПЛУАТАЦИИ И ИЗМЕРЕНИЙ МИКРОСБОРКИ ЦМД | |
100. Ток управления микросборки ЦМД |
Амплитуда импульса тока, проходящего через катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
101. Ток генератора ЦМД |
Амплитуда импульса тока генератора ЦМД при зарождении цилиндрического магнитного домена |
102. Ток переключателя ввода ЦМД |
Амплитуда импульса тока переключателя ввода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистра ввода в регистр хранения |
103. Ток переключателя вывода ЦМД |
Амплитуда импульса тока переключателя вывода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистров хранения в регистр вывода |
104. Ток обменного переключателя ЦМД |
Амплитуда импульса тока обменного переключателя ЦМД при одновременном переводе цилиндрического магнитного домена из регистра ввода-вывода в регистры хранения и из регистров хранения в регистр ввода-вывода |
105. Ток репликатора ЦМД |
Амплитуда импульса тока репликатора ЦМД при делении цилиндрического магнитного домена с последующим выводом информации |
106. Ток детектора ЦМД |
Амплитуда импульса тока, проходящего через детектор ЦМД при считывании ЦМД-сигнала, представленного наличием цилиндрического магнитного домена |
107. Длительность импульса тока генератора ЦМД |
- |
108. Длительность импульса тока переключателя ввода ЦМД |
- |
109. Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД |
- |
110. Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД |
- |
111. Длительность импульса тока репликатора ЦМД |
- |
112. Время задержки импульса тока генератора ЦМД |
- |
113. Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД |
- |
114. Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД |
- |
115. Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД |
- |
116. Время задержки импульса тока репликатора ЦМД |
- |
117. Сопротивление генератора ЦМД |
- |
118. Сопротивление переключателя ввода ЦМД |
- |
119. Сопротивление переключателя вывода ЦМД |
- |
120. Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД |
- |
121. Сопротивление обменного переключателя ЦМД |
- |
122. Сопротивление детектора ЦМД |
- |
123. Разность сопротивлений детекторов ЦМД |
Разность сопротивлений рабочего и компенсационного детекторов ЦМД |
124. Сопротивление катушек вращающегося поля микросборки ЦМД |
- |
125. Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
- |
126. Фазовый сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД |
- |
127. Чувствительность детектора ЦМД |
Отношение выходного напряжения высокого уровня микросборки ЦМД к току детектора ЦМД |
__________________
* Длительность импульсов токов определяют на уровне 0,5 максимальной амплитуды.
** Время задержки импульсов токов отсчитывают от начала положительной полуволны тока катушки вращающегося магнитного поля.
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
Термин |
Номер термина |
Аннигилятор |
54 |
Аннигилятор ЦМД |
54 |
Аппликация токовая |
41 |
Аппликация ферромагнитная |
40 |
Время выборки среднее |
93 |
Время выборки микросборки ЦМД среднее |
93 |
Время задержки импульса тока ввода |
113 |
Время задержки импульса тока вывода |
114 |
Время задержки импульса тока генератора |
112 |
Время задержки импульса тока генератора микросборки ЦМД |
112 |
Время задержки импульса тока обменного переключателя |
115 |
Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД |
115 |
Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД |
113 |
Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД |
114 |
Время задержки импульса тока репликатора |
116 |
Время задержки импульса тока репликатора ЦМД |
116 |
Время задержки импульса тока репликации |
116 |
Время считывания страницы |
90 |
Время считывания страницы данных микросборки ЦМД |
90 |
Вывод микросборки ЦМД |
37 |
Вывод ЦМД-кристалла |
39 |
Генератор ЦМД |
48 |
Детектор ЦМД |
50 |
Детектор ЦМД компенсационный |
52 |
Детектор ЦМД рабочий |
51 |
Дефект МПФГ |
14 |
Дефект МПФГ магнитный |
16 |
Дефект поверхности МПФГ |
15 |
Диаметр ЦМД номинальный |
29 |
Диапазон температур микросборки ЦМД рабочий |
98 |
Диапазон температур рабочий |
98 |
Диапазон температур хранения информации |
99 |
Диапазон температур хранения информации микросборки ЦМД |
99 |
Длина ЦМД-материала характеристическая |
22 |
Длительность импульса тока генератора |
106 |
Длительность импульса тока генератора ЦМД |
106 |
Длительность импульса тока ввода |
108 |
Длительность импульса тока вывода |
109 |
Длительность импульса тока обмена информации |
110 |
Длительность импульса тока обменного переключателя |
110 |
Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД |
110 |
Длительность импульса тока переключателя ввода ЦМД |
108 |
Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД |
109 |
Длительность импульса тока репликатора |
111 |
Длительность импульса тока репликатора ЦМД |
111 |
Домен магнитный цилиндрический |
2 |
Домен магнитный цилиндрический жесткий |
3 |
Домен магнитный цилиндрический информационный |
5 |
Домен магнитный цилиндрический неинформационный |
6 |
Домен магнитный цилиндрический несквозной |
4 |
ЗУ на ЦМД |
7 |
Изделие на цилиндрических магнитных доменах магнитоэлектронное |
1 |
Изделие на ЦМД магнитоэлектронное |
1 |
Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля |
125 |
Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
125 |
Индуктивность узла управления |
125 |
Исполнение ЦМД-кристалла квазипланарное |
89 |
Исполнение ЦМД-кристалла многоуровневое |
86 |
Исполнение ЦМД-кристалла непланарное |
88 |
Исполнение ЦМД-кристалла одноуровневое |
85 |
Исполнение ЦМД-кристалла планарное |
87 |
Канал продвижения |
44 |
Карта дефектных регистров |
79 |
Карта дефектных регистров хранения информации |
79 |
Катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
36 |
Катушки вращающегося поля |
36 |
Катушки управления |
36 |
Контроллер ЗУ на ЦМД |
84 |
Контроллер |
84 |
Корпус |
33 |
Корпус микросборки ЦМД |
33 |
Ловушка магнитостатическая |
47 |
Массив защитный |
65 |
Массив ЦМД-кристалла защитный |
65 |
Микросборка на цилиндрических магнитных доменах |
8 |
Микросборка ЗУ ЦМД |
8 |
Микросборка ЦМД |
8 |
Мощность микросборки ЦМД потребляемая |
96 |
Мощность потребляемая |
96 |
МПФГ |
13 |
МСЛ |
47 |
Напряжение высокого уровня выходное |
91 |
Напряжение высокого уровня микросборки ЦМД выходное |
91 |
Напряжение низкого уровня выходное |
92 |
Напряжение низкого уровня микросборки ЦМД выходное |
92 |
Напряженность поля зарождения |
19 |
Напряженность магнитного поля зарождения ЦМД |
19 |
Напряженность магнитного поля коллапса ЦМД |
20 |
Напряженность магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД |
21 |
Напряженность поля коллапса |
20 |
Напряженность поля неустойчивости |
21 |
Область устойчивой работы микросборки ЦМД |
97 |
Область устойчивости ЦМД |
26 |
Обрамление ближайшее |
83 |
Обрамление ЗУ на ЦМД электронное |
82 |
Обрамление линейное |
83 |
Обрамление ЦМД-накопителя линейное |
83 |
Обрамление электронное |
82 |
Переключатель ввода |
62 |
Переключатель ввода-вывода |
60 |
Переключатель ввода-вывода реверсивный |
64 |
Переключатель ввода-вывода ЦМД |
60 |
Переключатель ввода-вывода ЦМД реверсивный |
64 |
Переключатель ввода ЦМД |
62 |
Переключатель вывода |
61 |
Переключатель вывода ЦМД |
61 |
Переключатель обменный |
63 |
Переключатель ЦМД обменный |
63 |
Период вращающегося магнитного поля |
94 |
Период вращающегося магнитного поля микроосборки ЦМД |
94 |
Петля мажорная |
56 |
Петля минорная |
55 |
Плата |
32 |
Плата микросборки ЦМД |
32 |
Пленка доменосодержащая |
13 |
Пленка феррита-граната монокристаллическая |
13 |
Площадка контактная |
38 |
Площадка ЦМД-кристалла контактная |
38 |
Подложка МПФГ |
17 |
Поле магнитное вращающееся |
72 |
Поле микросборки ЦМД магнитное вращающееся |
72 |
Поле микросборки ЦМД удерживающее |
81 |
Поле смещения |
73 |
Поле смещения микросборки ЦМД магнитное |
73 |
Поле удерживающее |
81 |
Поле управления ЦМД |
74 |
Разность сопротивлений детекторов |
123 |
Разность сопротивлений детекторов ЦМД |
123 |
Растекатель |
35 |
Растекатель микросборки ЦМД |
35 |
Расширитель |
53 |
Расширитель ЦМД |
53 |
Регистр ввода |
57 |
Регистр ввода-вывода |
56 |
Регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД |
56 |
Регистр ввода информации микросборки ЦМД |
57 |
Регистр вывода |
58 |
Регистр вывода информации микросборки ЦМД |
58 |
Регистр дефектный |
76 |
Регистр хранения |
55 |
Регистр хранения информации микросборки ЦМД |
55 |
Регистр хранения информации микросборки ЦМД дефектный |
76 |
Регистры резервные |
77 |
Регистры служебные |
78 |
Регистры хранения информации микросборки ЦМД резервные |
77 |
Регистры хранения информации микросборки ЦМД служебные |
78 |
Режим "старт-стоп" |
80 |
Режим "старт-стоп" микросборки ЦМД |
80 |
Репликатор |
59 |
Репликатор ЦМД |
59 |
Решетка ЦМД |
18 |
Сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД фазовый |
126 |
Сдвиг фазовый |
126 |
Сила коэрцитивная динамическая |
24 |
Система постоянных магнитов |
34 |
Система постоянных магнитов микросборки ЦМД |
34 |
Скорость насыщения доменной границы |
25 |
Сопротивление генератора |
117 |
Сопротивление генератора ЦМД |
117 |
Сопротивление детектора |
122 |
Сопротивление детектора ЦМД |
122 |
Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля |
124 |
Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД |
124 |
Сопротивление обменного переключателя |
121 |
Сопротивление обменного переключателя ЦМД |
121 |
Сопротивление переключателя ввода |
118 |
Сопротивление переключателя ввода-вывода |
117 |
Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД |
117 |
Сопротивление переключателя ввода ЦМД |
118 |
Сопротивление переключателя вывода |
119 |
Сопротивление переключателя вывода ЦМД |
119 |
Страница данных |
75 |
Страница данных микросборки ЦМД |
75 |
Структура микросборки ЦМД последовательная |
66 |
Структура микросборки ЦМД последовательно-параллельная |
67 |
Структура микросборки ЦМД с блочным реплицированием |
71 |
Структура микросборки ЦМД с замкнутым регистром ввода-вывода |
68 |
Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем |
70 |
Структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-вывода |
69 |
Структура последовательная |
66 |
Структура последовательно-параллельная |
67 |
Структура с блочным реплицированием |
71 |
Структура с замкнутым регистром ввода-вывода |
68 |
Структура с обменным переключателем |
70 |
Структура с раздельными регистрами ввода-вывода |
69 |
Схема продвижения |
44 |
Схема продвижения ЦМД |
44 |
Схема управления |
42 |
Схема управления ЦМД |
42 |
Ток ввода |
102 |
Ток вывода |
103 |
Ток генератора |
101 |
Ток генератора ЦМД |
101 |
Ток детектора |
106 |
Ток детектора ЦМД |
106 |
Ток обменного переключателя |
104 |
Ток обменного переключателя ЦМД |
104 |
Ток переключателя ввода ЦМД |
102 |
Ток переключателя вывода ЦМД |
103 |
Ток репликатора |
105 |
Ток репликатора ЦМД |
105 |
Ток управления |
100 |
Ток управления микросборки ЦМД |
100 |
Толщина МПФГ |
30 |
Трансфер ввода |
63 |
Трансфер ввода-вывода |
61 |
Трансфер вывода |
62 |
Угол отклонения оси легкого намагничивания МПФГ |
28 |
Узел считывания |
49 |
Узел считывания микросборки ЦМД |
49 |
Узел функциональный |
43 |
Узел ЦМД-кристалла функциональный |
43 |
Узел чипа функциональный |
43 |
Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее |
7 |
Фактор качества |
23 |
Фактор качества ЦМД-материала |
23 |
ЦМД |
2 |
ЦМД жесткий |
3 |
ЦМД информационный |
5 |
ЦМД-кристалл |
31 |
ЦМД неинформационный |
6 |
ЦМД несквозной |
4 |
ЦМД-материал |
11 |
ЦМД-накопитель |
9 |
ЦМД-пластина |
12 |
ЦМД-сигнал |
10 |
Частота микросборки ЦМД рабочая |
95 |
Частота рабочая |
95 |
Чип |
31 |
Чувствительность детектора ЦМД |
127 |
Ширина полосового домена равновесная |
27 |
Элемент продвижения |
45 |
Элемент продвижения ЦМД |
45 |
Элемент сопряжения |
46 |
Элемент сопряжения схемы продвижения ЦМД |
46 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
Термин |
Номер термина |
A map of defective loop |
76 |
Bias magnetic field |
73 |
Bubble chip |
31 |
Bubble collaps field intensity |
20 |
Bubble detector |
50 |
Bubble generator |
48 |
Bubble margin |
26 |
Bubble material |
11 |
Bubble memory |
7 |
Bubble memory controller |
84 |
Bubble memory device |
8 |
Bubble propagation path |
44 |
Bubble replicator |
59 |
Bubble signal |
10 |
Bubble storage loop |
55 |
Chip |
31 |
Hard bubble |
3 |
Magnetic bubble |
2 |
Major loop |
56 |
Minor loop |
55 |
Propagation element |
45 |
Read gate |
61 |
Redundant gate |
77 |
Replicate gate |
59 |
Rotating magnetic field |
72 |
Strip domain width |
27 |
Swap gate |
63 |
Transfer in |
62 |
Transfer out |
61 |
Write gate |
62 |
X'Y coils |
36 |
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ, НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ ПОНИМАНИЯ ТЕКСТА СТАНДАРТА
Таблица 4
Термин |
Определение |
1. Магнитоэлектронное изделие |
Изделие, состоящее из конструктивных элементов, функционирующих на основе использования физических явлений магнитной природы |
2. Средняя страница |
Страница данных, хранящаяся в регистрах хранения, время выборки, которой равно половине суммы времени выборки первой и последней страницы данных |
3. Магнитоодноосный материал |
Магнитный материал, имеющий единственную ось легкого намагничивания |
4. Полосовая доменная структура |
Упорядоченная совокупность полосовых доменов |
5. Подвижность доменной границы |
Отношение приращения скорости перемещения доменной границы к приращению напряженности продвигающего ее магнитного поля |
6. Блоховская граница |
Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, параллельной плоскости доменной границы |
7. Неелевская граница |
Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, перпендикулярной плоскости доменной границы |
8. Вертикальная блоховская линия |
Переходной неелевский участок доменной границы, разделяющий блоховские участки доменной границы с противоположными направлениям разворота вектора намагничивания |
9. Напряженность поля одноосной магнитной анизотропии |
Отношение удвоенной константы одноосной магнитной анизотропии к намагниченности технического насыщения |
10. Эффективная напряженность поля одноосной магнитной анизотропии |
Разность напряженности поля одноосной магнитной анизотропии и намагниченности технического насыщения |
Текст документа сверен по:
официальное издание
Электроника. Термины и определения.
Часть 3: Сб. стандартов. -
М.: Стандартинформ, 2005