- USD ЦБ 03.12 30.8099 -0.0387
- EUR ЦБ 03.12 41.4824 -0.0244
Краснодар:
|
погода |
ГОСТ 20003-74
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
МКС 01.040.31
31.080.30
ОКСТУ 6201
Дата введения 1975-07-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. N 1799 дата введения установлена 01.07.75
ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2, утвержденными в августе 1982 г., июне 1985 г. (ИУС 12-82, 9-85).
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770-80.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.
Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены "Ндп".
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе "Определение" поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины - курсивом.
Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона ; время включения биполярного транзистора
; время включения полевого транзистора
.
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | ||
отечест- венное |
междуна- родное |
|||
1. Обратный ток коллектора |
|
|
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | |
E. Collector cut-off current |
||||
F. Courant |
||||
2. Обратный ток эмиттера |
|
|
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора | |
E. Emitter cut-off current |
||||
F. Courant |
||||
3. Обратный ток коллектор-эмиттер |
|
- |
Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер | |
D. Kollektor-Emitter-Reststrom |
||||
E. Collector-emitter cut-off current |
||||
F. Courant |
||||
________________ | ||||
4. Обратный ток базы |
|
|
Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база | |
E. Base cut-off current |
||||
F. Courant |
||||
5. Критический ток биполярного транзистора |
|
- |
Значение тока коллектора, при достижении которого значение | |
6. Граничное напряжение биполярного транзистора |
|
|
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера | |
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
|
|
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора | |
E. Saturation collector-emitter voltage |
||||
F. Tension de saturation |
||||
8. Напряжение насыщения база-эмиттер |
|
|
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора | |
E. Saturation baseemitter voltage |
||||
F. Tension de saturation |
||||
9. Плавающее напряжение эмиттер-база |
|
|
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю | |
F. Tension flottante |
||||
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора |
|
|
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база | |
11. Пробивное напряжение эмиттер-база |
|
|
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю | |
Е. Breakdown emitter-base voltage |
||||
F. Tension de claquage |
||||
12. Пробивное напряжение коллектор-база |
|
|
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю | |
Е. Breakdown collector-base voltage |
||||
F. Tension de claquage collecteur-base |
| |||
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер |
|
- |
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора | |
Е. Breakdown collector-emitter voltage |
| |||
F. Tension de claquage |
||||
________________ | ||||
14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
|
|
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора | |
Е. Small-signal value of the short-circuit input impedance |
||||
F. Valeur de |
| |||
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
|
|
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току | |
Е. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio |
||||
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, |
| |||
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
|
|
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току | |
Е. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio |
||||
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
| |||
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте |
|
|
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте | |
D. Betrag der |
| |||
Е. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio |
| |||
F. Module du rapport de transfert direct du courant |
| |||
18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
|
|
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току | |
Е. Small-signal value of the open-circuit output admittance |
| |||
F. Valeur de l'admittance de sortie, |
| |||
19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала |
|
|
Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером | |
Е. Static value of the input resistance |
||||
F. Valeur statique de la |
| |||
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора |
|
|
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером | |
Е. Static value of the forward current transfer ratio |
| |||
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant |
| |||
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
|
|
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе | |
Е. Small-signal value of the short-circuit input admittance |
| |||
F. Valeur de l'admittance |
| |||
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
|
|
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе | |
Е. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance |
| |||
F. Valeur de l'admittance de transfert inverse, |
| |||
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
|
|
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе | |
Е. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance |
| |||
F. Valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
| |||
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора |
|
|
Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером | |
D. Betrag des |
|
| ||
Е. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance |
| |||
F. Module de l'admittance de transfert direct |
| |||
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
|
|
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе | |
Е. Small-signal value of the short-circuit output admittance |
| |||
F. Valeur de l'admittance de sortie, |
| |||
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером |
|
|
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер | |
D. Statische |
| |||
Е. Static value of the forward transconductance |
| |||
F. Pente statique de transfert direct |
| |||
27. Входная емкость биполярного транзистора |
|
|
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала | |
Е. Input capacitance |
| |||
F. |
| |||
28. Выходная емкость биполярного транзистора |
|
|
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала | |
Е. Output capacitance |
| |||
F. |
| |||
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора |
|
|
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала | |
Е. Feedback capacitance |
||||
F. |
| |||
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора |
|
|
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением | |
Е. Cut-off frequency |
| |||
F. |
| |||
30. Граничная частота коэффициента передачи тока |
|
|
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. | |
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора |
|
|
Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора | |
Е. Maximum frequency of oscillation |
||||
F. |
| |||
32. Коэффициент шума биполярного транзистора |
|
|
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала | |
Е. Noise figure |
||||
F. Facteur de bruit |
||||
32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора |
|
|
Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума | |
Е. Minimal noise figure |
||||
F. Facteur de bruit minimum |
| |||
32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора |
|
|
Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным | |
F. Tension de bruit |
| |||
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора |
|
|
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения | |
Ндп. Степень насыщения |
| |||
Е. Saturation coefficient |
| |||
F. Coefficient de saturation |
| |||
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора |
|
|
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения | |
Е. Power gain |
| |||
F. Gain en puissance |
| |||
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора |
|
|
Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума | |
Е. Optimal power gain |
| |||
F. Gain de puissance optimum |
||||
35. Коэффициент полезного действия коллектора |
|
|
Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания | |
Е. Collector efficiency |
| |||
F. |
| |||
36. Время задержки для биполярного транзистора |
|
|
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды | |
F. Retard |
||||
37. Время нарастания для биполярного транзистора |
|
|
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90% его амплитуды | |
F. Temps de croissance |
||||
38. Время рассасывания для биполярного транзистора |
|
|
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня | |
F. Retard |
||||
39. Время спада для биполярного транзистора |
|
|
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды | |
Е. Fall time |
||||
F. Temps de |
||||
40. Время включения биполярного транзистора |
|
|
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания | |
D. Einschaltzeit |
| |||
Е. Turn-on time |
| |||
F. Temps total |
| |||
41. Время выключения биполярного транзистора |
|
|
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения | |
F. Temps total de coupure |
| |||
42. Сопротивление базы биполярного транзистора |
|
|
Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер | |
D. Basisbahnwiderstand |
| |||
Е. Base intrinsic resistance |
| |||
F. |
| |||
43. Емкость эмиттерного перехода |
|
|
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи | |
Е. Emitter capacitance |
||||
F. |
| |||
44. Емкость коллекторного перехода |
|
|
Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи | |
Е. Collector capacitance |
||||
F. |
||||
45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора |
|
|
Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода | |
D. |
| |||
Е. Collector-base time constant |
| |||
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора |
|
|
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
47. Коэффициент обратной передачи напряжения |
|
|
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
48. Коэффициент прямой передачи напряжения |
|
|
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора |
|
|
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
50. Постоянный ток коллектора |
|
|
Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход | |
D. Kollektorgleichstrom |
| |||
Е. Collector (d.с.) current |
| |||
F. Courant continu de collecteur |
| |||
51. Постоянный ток эмиттера |
|
|
Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход | |
D. Emittergleichstrom |
| |||
Е. Emitter (d.с.) current |
| |||
F. Courant continu d'emetteur |
| |||
52. Постоянный ток базы |
|
|
Постоянный ток, протекающий через базовый вывод | |
D. Basisgleichstrom |
||||
Е. Base (d.с.) current |
| |||
F. Courant continu de base |
| |||
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения |
|
|
- | |
Е. Saturation collector current |
| |||
F. Courant de saturation collecteur |
| |||
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения |
|
|
- | |
Е. Saturation base current |
| |||
F. Courant de saturation base |
| |||
55. Импульсный ток коллектора |
|
- |
Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса | |
56. Импульсный ток эмиттера |
|
- |
Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса | |
57. Постоянное напряжение эмиттер-база |
|
|
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы | |
D. Emitter-Basis-Spannung |
| |||
Е. Emitter-base (d.с.) voltage |
| |||
F. Tension continue |
| |||
58. Постоянное напряжение коллектор-база |
|
|
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы | |
D. Kollektor-Basis-Spannung |
| |||
Е. Collector-base (d.с.) voltage |
| |||
F. Tension continue collecteur-base |
| |||
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
|
|
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера | |
D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) |
| |||
Е. Collector-emitter (d.с.) voltage |
| |||
F. Tension continue |
||||
________________ | ||||
60. Выходная мощность биполярного транзистора |
|
|
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте | |
D. Ausgangsleistung |
||||
Е. Output power |
| |||
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора |
|
|
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе | |
D. Gesamtverlustleistung |
| |||
Е. Total input power (d.c.) to all electrodes |
| |||
F. Puissance totale |
| |||
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора |
|
|
Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе | |
D. Mittlere Verlustleistung |
| |||
Е. Total input power (average) to all electrodes |
| |||
F. Puissance totale |
| |||
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора |
|
|
- | |
D. Impulsverlustleistung |
|
|
| |
F. Peak power dissipation |
|
|
| |
F. Puissance |
|
|
| |
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
|
|
Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора | |
D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung |
| |||
Е. Collector (d.c.) power dissipation |
| |||
F. Puissance |
| |||
65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора |
|
|
Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора | |
D. Mittlere Kollektorverlustleistung |
| |||
Е. Collector (average) power dissipation |
| |||
F. Ruissance |
| |||
65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора |
|
Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. | ||
65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора |
|
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | ||
65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора |
|
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | ||
Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** |
||||
66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
Е. Maximum collector (d.с.) current |
| |||
F. Courant continu de collecteur maximal |
| |||
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
Е. Maximum emitter (d.с.) current |
| |||
F. Courant continu d'emetteur maximal |
| |||
68. Максимально допустимый постоянный ток базы |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
Е. Maximum base (d.с.) current |
| |||
F. Courant continu de base maximal |
| |||
69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
Е. Maximum peak collector current |
| |||
F. Courant de |
| |||
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
Е. Maximum peak emitter current |
| |||
F. Courant de |
| |||
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения |
|
|
- | |
Е. Maximum saturation collector current |
| |||
F. Courant de saturation collecteur maximal |
| |||
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения |
|
|
- | |
Е. Maximum saturation base current |
| |||
F. Courant de saturation base maximal |
| |||
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
Е. Maximum emitter-base (d.c.) voltage |
| |||
F. Tension continue |
| |||
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
Е. Maximum collector-base (d.c.) voltage |
| |||
F. Tension continue collecteur-base maximale |
| |||
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
Е. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage |
| |||
F. Tension continue |
| |||
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
E. Maximum peak collector-emitter voltage |
| |||
F. Tension de |
| |||
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
E. Maximum peak collector-base voltage |
| |||
F. Tension de |
| |||
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
E. Maximum collector power dissipation (d.c.) |
| |||
F. Puissance |
| |||
79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора |
|
- |
- | |
E. Maximum collector power dissipation (average) |
| |||
F. Puissance |
| |||
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора |
|
|
- | |
D. Maximal |
| |||
E. Maximum peak power dissipation |
| |||
F. Puissance |
|
________________
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время включения биполярного транзистора |
40 |
Время выключения биполярного транзистора |
41 |
Время задержки для биполярного транзистора |
36 |
Время нарастания для биполярного транзистора |
37 |
Время рассасывания для биполярного транзистора |
38 |
Время спада для биполярного транзистора |
39 |
Емкость биполярного транзистора входная |
27 |
Емкость биполярного транзистора выходная |
28 |
Емкость коллекторного перехода |
44 |
Емкость обратной связи биполярного транзистора |
28а |
Емкость эмиттерного перехода |
43 |
Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора |
65в |
Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора |
65б |
Коэффициент насыщения биполярного транзистора |
33 |
Коэффициент обратной передачи напряжения |
47 |
Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
15 |
Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора |
46 |
Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора |
49 |
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
16 |
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический |
20 |
Коэффициент полезного действия коллектора |
35 |
Коэффициент прямой передачи напряжения |
48 |
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора |
34 |
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный |
34а |
Коэффициент шума биполярного транзистора |
32 |
Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный |
32а |
Крутизна передаточной характеристики статическая |
26 |
Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая |
26 |
Крутизна характеристики статическая |
26 |
Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте |
17 |
Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора |
24 |
Мощность биполярного транзистора выходная |
60 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная |
63 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая |
80 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная |
61 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя |
62 |
Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная |
65а |
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная |
64 |
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая |
78 |
Мощность коллектора рассеиваемая средняя |
65 |
Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая |
79 |
Напряжение биполярного транзистора граничное |
6 |
Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое |
77 |
Напряжение коллектор-база постоянное |
58 |
Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое |
74 |
Напряжение коллектор-база пробивное |
12 |
Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое |
76 |
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное |
59 |
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое |
75 |
Напряжение коллектор-эмиттер пробивное |
13 |
Напряжение насыщения база-эмиттер |
8 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
7 |
Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера |
6 |
Напряжение смыкания биполярного транзистора |
10 |
Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное |
32б |
Напряжение эмиттер-база плавающее |
9 |
Напряжение эмиттер-база постоянное |
57 |
Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое |
73 |
Напряжение эмиттер-база пробивное |
11 |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора |
45 |
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная |
21 |
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная |
18, 25 |
Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная |
22 |
Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная |
23 |
Сопротивление базы биполярного транзистора |
42 |
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное |
19 |
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное |
14 |
Степень насыщения |
33 |
Ток базы обратный |
4 |
Ток базы постоянный |
52 |
Ток базы постоянный в режиме насыщения |
54 |
Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый |
72 |
Ток базы постоянный максимально допустимый |
68 |
Ток биполярного транзистора критический |
5 |
Ток коллектора закрытого транзистора |
3 |
Ток коллектора импульсный |
55 |
Ток коллектора импульсный максимально допустимый |
69 |
Ток коллектора начальный |
3 |
Ток коллектора обратный |
1 |
Ток коллектора постоянный |
50 |
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения |
53 |
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый |
71 |
Ток коллектора постоянный максимально допустимый |
66 |
Ток коллектор-эмиттер обратный |
3 |
Ток эмиттера импульсный |
56 |
Ток эмиттера импульсный максимально допустимый |
70 |
Ток эмиттера обратный |
2 |
Ток эмиттера постоянный |
51 |
Ток эмиттера постоянный максимально допустимый |
67 |
Частота генерации биполярного транзистора максимальная |
31 |
Частота коэффициента передачи тока граничная |
30 |
Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная |
29 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Abfallzeit |
39 |
Anstiegszeit |
37 |
Aquivalente Rauschspannung |
32б |
|
28 |
Ausgangsleistung |
60 |
Ausgangsreflexionsfaktor |
49 |
Ausschaltzeit |
41 |
Basisbahnwiderstand |
42 |
Basis-Emitter-Reststrom |
4 |
Basis-Emitter- |
8 |
Basisgleichstrom |
52 |
Betrag der |
17 |
Betrag des |
24 |
|
27 |
Eingangsreflexionsfaktor |
46 |
Einschaltzeit |
40 |
Emitter-Basis-Durchbruchspannung |
11 |
Emitter-Basis-Spannung |
57 |
Emittergleichstrom |
51 |
Emitterrestrom (bei offenem Kollektor) |
2 |
Gesamtverlustleistung |
61 |
Gleichstrom-KoIlektorverlustleistung |
64 |
|
20 |
Grenzfrequenz der |
29 |
|
45 |
Impulsverlustleistung |
63 |
Innerer |
65a |
|
43 |
|
44 |
Kleinsignalausgangsleitwert |
18 |
Kleinsignaleingangswiderstand |
14 |
|
15 |
|
16 |
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung |
12 |
Kollektor-Basis-Spannung |
58 |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) |
13 |
Kollektor-Emitter-Reststrom |
3 |
Kollektor-Emitter- |
7 |
Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) |
59 |
Kollektorgleichstrom |
50 |
Kollektorreststrom (bei offenen Emitter) |
1 |
Kollektorwirkungsgrad |
35 |
Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert |
25 |
Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert |
21 |
Komplexer |
22 |
Komplexer |
23 |
|
34 |
Maximal |
73 |
Maximal |
80 |
Maximal |
74 |
Maximal |
77 |
Maximal |
75 |
Maximal |
76 |
Maximal |
78 |
Maximal |
68 |
Maximal |
67 |
Maximal |
70 |
Maximal |
66 |
Maximal |
69 |
Minimale Rauschzahl |
32a |
Mittlere Kollektorverlustleistung |
65 |
Mittlere Verlustleistung |
62 |
Optimale |
34a |
Rauschzahl |
32 |
|
28a |
|
47 |
|
48 |
Speicherzeit |
38 |
Statische |
26 |
Ubergangsfrequenz der |
30 |
|
36 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Base cut-off current |
4 |
Base (d.с.) current |
52 |
Base intrinsic resistance |
42 |
Breakdown collector-base voltage |
12 |
Breakdown collector-emitter voltage |
13 |
Breakdown emitter-base voltage |
11 |
Carrier storage time |
38 |
Collector (average) power dissipation |
65 |
Collector-base (d.c.) voltage |
58 |
Collector-base time constant |
45 |
Collector capacitance |
44 |
Collector cut-off current |
1 |
Collector (d.c.) current |
50 |
Collector (d.c.) power dissipation |
64 |
Collector efficiency |
35 |
Collector-emitter cut-off current |
3 |
Collector-emitter (d.c.) voltage |
59 |
Cut-off frequency |
29 |
Delay time |
36 |
Emitter-base (d.c.) voltage |
57 |
Emitter capacitance |
43 |
Emitter cut-off current |
2 |
Emitter (d.c.) current |
51 |
Equivalent noise voltage |
32б |
Fall time |
39 |
Feedback capacitance |
28a |
Fifth order intermodulation products factor |
65a |
Floating emitter-base voltage |
9 |
Input capacitance |
27 |
Maximum base (d.c.) current |
68 |
Maximum collector-base (d.c.) voltage |
74 |
Maximum collector (d.c.) current |
66 |
Maximum collector-emitter (d.c.) voltage |
75 |
Maximum collector power dissipation (average) |
79 |
Maximum collector power dissipation (d.c.) |
78 |
Maximum emitter-base (d.c.) voltage |
73 |
Maximum emitter (d.c.) current |
67 |
Maximum frequency of oscillation |
31 |
Maximum peak collector-base voltage |
77 |
Maximum peak collector current |
69 |
Maximum peak collector-emitter voltage |
76 |
Maximum peak emitter current |
70 |
Maximum peak power dissipation |
80 |
Maximum saturation base current |
72 |
Maximum saturation collector current |
71 |
Minimal noise figure |
32a |
Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio |
17 |
Modulus of the short-circuit forward transfer admittance |
24 |
Noise figure |
32 |
Optimal power gain |
34a |
Output capacitance |
28 |
Output power |
60 |
Peak envelope power |
65a |
Peak power dissipation |
63 |
Power gain |
34 |
Punch-through (penetration) voltage |
10 |
Rise time |
37 |
Saturation base current |
54 |
Saturation base-emitter voltage |
8 |
Saturation coefficient |
33 |
Saturation collector current |
53 |
Saturation collector-emitter voltage |
7 |
Small-signal value of the open-circuit output admittance |
18 |
Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio |
15 |
Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio |
16 |
Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance |
23 |
Small-signal value of the short-circuit input admittance |
21 |
Small-signal value of the short-circuit input impedance |
14 |
Small-signal value of the short-circuit output admittance |
25 |
Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance |
22 |
Static value of the forward current transfer ratio |
20 |
Static value of the forward transconductance |
26 |
Static value of the input resistance |
19 |
Third order intermodulation products factor |
65б |
Total input power (average) to all electrodes |
62 |
Total input power (d.c.) to all electrodes |
61 |
Transition frequency |
30 |
Turn-off time |
41 |
Turn-on time |
40 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
|
44 |
|
43 |
|
28a |
|
27 |
|
28 |
Coefficient de saturation |
33 |
Courant continu de base |
52 |
Courant continu de base maximal |
68 |
Courant continu de collecteur |
50 |
Courant continu de collecteur maximal |
66 |
Courant continu |
51 |
Courant continu |
67 |
Courant de |
69 |
Courant de |
70 |
Courant de saturation base |
54 |
Courant de saturation base maximal |
72 |
Courant de saturation collecteur |
53 |
Courant de saturation collecteur maximal |
71 |
Courant |
4 |
Courant |
2 |
Courant |
1 |
Courant |
3 |
|
35 |
Facteur de bruit |
32 |
Facteur de bruit minimum |
32a |
|
29 |
|
30 |
|
31 |
Gain de puissance optimum |
34a |
Gain en puissance |
34 |
Module de l'admittance de transfert direct |
24 |
Module de rapport de transfert direct du courant |
17 |
Pente statique de transfert direct |
26 |
Retard |
36 |
Retard |
38 |
|
42 |
Puissage |
78 |
Puissance |
79 |
Puissance |
64 |
Puissance |
63 |
Puissance |
80 |
Puissance |
65 |
Puissance totale |
61 |
Puissance totale |
62 |
Temps de croissance |
37 |
Temps de |
39 |
Temps total de coupure |
41 |
Temps total |
40 |
Tension continue collecteur-base |
58 |
Tension continue collecteur-base maximale |
74 |
Tension continue |
59 |
Tension continue |
75 |
Tension continue |
57 |
Tension continue |
73 |
Tension de bruit |
32б |
Tension de claquage collecteur-base |
12 |
Tension de claquage |
13 |
Tension de claquage |
11 |
Tension de |
77 |
Tension de |
76 |
Tension de |
10 |
Tension de saturation |
8 |
Tension de saturation |
7 |
Tension flottante |
9 |
Valeur de l'admittance |
21 |
Valeur de l'admittance de sortie, |
18 |
Valeur de l'admittance de sortie, |
25 |
Valeur Ie l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
23 |
Valeur de l'admittance de transfert inverse, |
22 |
Valeur de |
14 |
Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
16 |
Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, |
15 |
Valeur statique de la |
19 |
Valeur statique du rapport de transfert direct du courant |
20 |
(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).
ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. N 1).
Текст документа сверен по:
официальное издание
Электроника. Термины и определения. Часть 2:
Сб. стандартов. - М.: Стандартинформ, 2005